Drainstrom ohne Kanallängenmodulation des MOSFET Taschenrechner

✖Die Prozesstranskonduktanz in PMOS bezieht sich auf die Verstärkung eines PMOS-Transistors in Bezug auf seine Gate-Source-Spannung.ⓘ Transkonduktanz in PMOS verarbeiten [k'_p]			+10% -10%
✖Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelleⓘ Seitenverhältnis [WL]			+10% -10%
✖Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.ⓘ Gate-Source-Spannung [V_gs]			+10% -10%
✖Die Schwellenspannung, auch bekannt als Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind.ⓘ Grenzspannung [V_th]			+10% -10%

✖Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.ⓘ Drainstrom ohne Kanallängenmodulation des MOSFET [i_d]

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Formel

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Drainstrom ohne Kanallängenmodulation des MOSFET

Formel

`"i"_{"d"} = 1/2*"k'"_{"p"}*"WL"*("V"_{"gs"}-"V"_{"th"})^2`

Beispiel

`"0.08381mA"=1/2*"0.58mS"*"0.1"*("4V"-"2.3V")^2`

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Drainstrom ohne Kanallängenmodulation des MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Stromverbrauch = 1/2*Transkonduktanz in PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2
i_d = 1/2*k'_p*WL*(V_gs-V_th)^2
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.
Transkonduktanz in PMOS verarbeiten - (Gemessen in Siemens) - Die Prozesstranskonduktanz in PMOS bezieht sich auf die Verstärkung eines PMOS-Transistors in Bezug auf seine Gate-Source-Spannung.
Seitenverhältnis - Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelle
Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung, auch bekannt als Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Transkonduktanz in PMOS verarbeiten: 0.58 Millisiemens --> 0.00058 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Seitenverhältnis: 0.1 --> Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Source-Spannung: 4 Volt --> 4 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Grenzspannung: 2.3 Volt --> 2.3 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

i_d = 1/2*k'_p*WL*(V_gs-V_th)^2 --> 1/2*0.00058*0.1*(4-2.3)^2

Auswerten ... ...

i_d = 8.381E-05

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

8.381E-05 Ampere -->0.08381 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.08381 Milliampere <-- Stromverbrauch

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Zweiter Drainstrom des MOSFET im Großsignalbetrieb

Gehen Strom ableiten 2 = DC-Vorstrom/2-DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung*Differenzielles Eingangssignal/2*sqrt(1-(Differenzielles Eingangssignal)^2/(4*Overdrive-Spannung^2))

Erster Drainstrom des MOSFET im Großsignalbetrieb

Gehen Strom ableiten 1 = DC-Vorstrom/2+DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung*Differenzielles Eingangssignal/2*sqrt(1-Differenzielles Eingangssignal^2/(4*Overdrive-Spannung^2))

Momentaner Abflussstrom

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*(Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung-Gesamtspannung+Kritische Spannung)^2

Drainstrom ohne Kanallängenmodulation des MOSFET

Gehen Stromverbrauch = 1/2*Transkonduktanz in PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2

Drain-Sättigungsstrom des MOSFET

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanz in PMOS verarbeiten*Kanalbreite/Kanallänge*(Effektive Spannung)^2

Zweiter Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung

Gehen Strom ableiten 2 = DC-Vorstrom/2-DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung*Differenzielles Eingangssignal/2

Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung

Gehen Strom ableiten 1 = DC-Vorstrom/2+DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung*Differenzielles Eingangssignal/2

Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung

Gehen Stromverbrauch = (DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung)*(Differenzielles Eingangssignal/2)

Momentaner Drainstrom in Bezug auf die Gleichstromkomponente von Vgs

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*((Kritische Spannung-Gesamtspannung)^2)

Strom in Lastleitung ableiten

Gehen Stromverbrauch = (Versorgungsspannung-Drain-Source-Spannung)/Lastwiderstand

Strom in der Gleichtaktunterdrückung des MOSFET

Gehen Gesamtstrom = Inkrementelles Signal/((1/Steilheit)+(2*Ausgangswiderstand))

Kurzschlussstrom des MOSFET

Gehen Ausgangsstrom = Steilheit*Gate-Source-Spannung

Drainstrom ohne Kanallängenmodulation des MOSFET Formel

Stromverbrauch = 1/2*Transkonduktanz in PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2
i_d = 1/2*k'_p*WL*(V_gs-V_th)^2

Was ist Drainstrom im MOSFET?

Der Drainstrom unterhalb der Schwellenspannung ist als Unterschwellenstrom definiert und variiert exponentiell mit Vgs. Der Kehrwert der Steigung der logarithmischen (Ids) gegenüber der Vgs-Charakteristik wird als die Unterschwellensteigung S definiert und ist eine der kritischsten Leistungsmetriken für MOSFETs in logischen Anwendungen.

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