Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET Kalkulator

✖Transkonduktancja procesu w PMOS odnosi się do wzmocnienia tranzystora PMOS w odniesieniu do jego napięcia bramki-źródła.ⓘ Transkonduktancja procesowa w PMOS [k'_p]			+10% -10%
✖Współczynnik proporcji definiuje się jako stosunek szerokości kanału tranzystora do jego długości. Jest to stosunek szerokości bramki do odległości od źródłaⓘ Współczynnik proporcji [WL]			+10% -10%
✖Napięcie bramka-źródło jest krytycznym parametrem wpływającym na działanie tranzystora FET i często jest wykorzystywane do kontrolowania zachowania urządzenia.ⓘ Napięcie bramka-źródło [V_gs]			+10% -10%
✖Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.ⓘ Próg napięcia [V_th]			+10% -10%

✖Prąd drenu to prąd przepływający między drenem a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET), który jest typem tranzystora powszechnie stosowanego w obwodach elektronicznych.ⓘ Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET [i_d]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET

Formuła

`"i"_{"d"} = 1/2*"k'"_{"p"}*"WL"*("V"_{"gs"}-"V"_{"th"})^2`

Przykład

`"0.08381mA"=1/2*"0.58mS"*"0.1"*("4V"-"2.3V")^2`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd spustowy = 1/2*Transkonduktancja procesowa w PMOS*Współczynnik proporcji*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)^2
i_d = 1/2*k'_p*WL*(V_gs-V_th)^2
Ta formuła używa 5 Zmienne

Używane zmienne

Prąd spustowy - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu to prąd przepływający między drenem a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET), który jest typem tranzystora powszechnie stosowanego w obwodach elektronicznych.
Transkonduktancja procesowa w PMOS - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja procesu w PMOS odnosi się do wzmocnienia tranzystora PMOS w odniesieniu do jego napięcia bramki-źródła.
Współczynnik proporcji - Współczynnik proporcji definiuje się jako stosunek szerokości kanału tranzystora do jego długości. Jest to stosunek szerokości bramki do odległości od źródła
Napięcie bramka-źródło - (Mierzone w Wolt) - Napięcie bramka-źródło jest krytycznym parametrem wpływającym na działanie tranzystora FET i często jest wykorzystywane do kontrolowania zachowania urządzenia.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Transkonduktancja procesowa w PMOS: 0.58 Millisiemens --> 0.00058 Siemens (Sprawdź konwersję tutaj)
Współczynnik proporcji: 0.1 --> Nie jest wymagana konwersja
Napięcie bramka-źródło: 4 Wolt --> 4 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 2.3 Wolt --> 2.3 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

i_d = 1/2*k'_p*WL*(V_gs-V_th)^2 --> 1/2*0.00058*0.1*(4-2.3)^2

Ocenianie ... ...

i_d = 8.381E-05

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

8.381E-05 Amper -->0.08381 Miliamper (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.08381 Miliamper <-- Prąd spustowy

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Aktualny » Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 12 Aktualny Kalkulatory

Drugi prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami

Iść Prąd spustowy 2 = Prąd polaryzacji DC/2-Prąd polaryzacji DC/Napięcie przesterowania*Różnicowy sygnał wejściowy/2*sqrt(1-(Różnicowy sygnał wejściowy)^2/(4*Napięcie przesterowania^2))

Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami

Iść Prąd spustowy 1 = Prąd polaryzacji DC/2+Prąd polaryzacji DC/Napięcie przesterowania*Różnicowy sygnał wejściowy/2*sqrt(1-Różnicowy sygnał wejściowy^2/(4*Napięcie przesterowania^2))

Chwilowy prąd drenu

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji*(Składowa DC napięcia bramki-źródła-Całkowite napięcie+Napięcie krytyczne)^2

Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET

Iść Prąd spustowy = 1/2*Transkonduktancja procesowa w PMOS*Współczynnik proporcji*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)^2

Prąd nasycenia drenu tranzystora MOSFET

Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Transkonduktancja procesowa w PMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Efektywne napięcie)^2

Pierwszy prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami przy napięciu przesterowania

Iść Prąd spustowy 1 = Prąd polaryzacji DC/2+Prąd polaryzacji DC/Napięcie przesterowania*Różnicowy sygnał wejściowy/2

Drugi prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami przy napięciu przesterowania

Iść Prąd spustowy 2 = Prąd polaryzacji DC/2-Prąd polaryzacji DC/Napięcie przesterowania*Różnicowy sygnał wejściowy/2

Prąd drenu tranzystora MOSFET przy pracy z dużymi sygnałami przy napięciu przesterowania

Iść Prąd spustowy = (Prąd polaryzacji DC/Napięcie przesterowania)*(Różnicowy sygnał wejściowy/2)

Chwilowy prąd drenu w odniesieniu do składowej stałej Vgs

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji*((Napięcie krytyczne-Całkowite napięcie)^2)

Prąd w trybie wspólnym odrzucenia MOSFET

Iść Całkowity prąd = Sygnał przyrostowy/((1/Transkonduktancja)+(2*Rezystancja wyjściowa))

Opróżnij prąd w linii ładunkowej

Iść Prąd spustowy = (Napięcie zasilania-Napięcie źródła drenażu)/Odporność na obciążenie

Prąd zwarciowy MOSFET

Iść Prąd wyjściowy = Transkonduktancja*Napięcie bramka-źródło

Prąd spustowy bez modulacji długości kanału tranzystora MOSFET Formułę

Prąd spustowy = 1/2*Transkonduktancja procesowa w PMOS*Współczynnik proporcji*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)^2
i_d = 1/2*k'_p*WL*(V_gs-V_th)^2

Co to jest prąd drenu w tranzystorze MOSFET?

Prąd drenu poniżej napięcia progowego jest definiowany jako prąd podprogowy i zmienia się wykładniczo wraz z Vgs. Odwrotność nachylenia krzywej logicznej (Ids) względem charakterystyki Vgs jest definiowana jako nachylenie podprogowe, S i jest jedną z najbardziej krytycznych metryk wydajności dla tranzystorów MOSFET w zastosowaniach logicznych.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!