Courant de l'émetteur étant donné la tension base-émetteur Calculatrice

✖Le courant de saturation fait référence au courant maximum qui peut traverser le transistor lorsqu'il est complètement activé.ⓘ Courant de saturation [I_sat]			+10% -10%
✖La tension de l'émetteur de base fait référence à la chute de tension entre les bornes de base et d'émetteur du transistor lorsqu'il est en mode actif.ⓘ Tension de l'émetteur de base [V_BE]			+10% -10%
✖Impureté de température, un indice de base représentant la température moyenne de l'air sur différentes échelles de temps.ⓘ Impureté de température [t_o]			+10% -10%

✖Le courant d'émetteur fait référence au courant circulant entre l'émetteur et les bornes de base du transistor lorsqu'il est en fonctionnement.ⓘ Courant de l'émetteur étant donné la tension base-émetteur [I_E]

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Formule

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Courant de l'émetteur étant donné la tension base-émetteur

Formule

`"I"_{"E"} = "I"_{"sat"}*(exp(("[Charge-e]"*"V"_{"BE"})/("[BoltZ]"*"t"_{"o"})-1))`

Exemple

`"0.741664A"="2.015A"*(exp(("[Charge-e]"*"0.9µV")/("[BoltZ]"*"20K")-1))`

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Courant de l'émetteur étant donné la tension base-émetteur Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de l'émetteur = Courant de saturation*(exp(([Charge-e]*Tension de l'émetteur de base)/([BoltZ]*Impureté de température)-1))
I_E = I_sat*(exp(([Charge-e]*V_BE)/([BoltZ]*t_o)-1))
Cette formule utilise 2 Constantes, 1 Les fonctions, 4 Variables

Constantes utilisées

[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19
[BoltZ] - Constante de Boltzmann Valeur prise comme 1.38064852E-23

Fonctions utilisées

exp - Dans une fonction exponentielle, la valeur de la fonction change d'un facteur constant pour chaque changement d'unité dans la variable indépendante., exp(Number)

Variables utilisées

Courant de l'émetteur - (Mesuré en Ampère) - Le courant d'émetteur fait référence au courant circulant entre l'émetteur et les bornes de base du transistor lorsqu'il est en fonctionnement.
Courant de saturation - (Mesuré en Ampère) - Le courant de saturation fait référence au courant maximum qui peut traverser le transistor lorsqu'il est complètement activé.
Tension de l'émetteur de base - (Mesuré en Volt) - La tension de l'émetteur de base fait référence à la chute de tension entre les bornes de base et d'émetteur du transistor lorsqu'il est en mode actif.
Impureté de température - (Mesuré en Kelvin) - Impureté de température, un indice de base représentant la température moyenne de l'air sur différentes échelles de temps.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Courant de saturation: 2.015 Ampère --> 2.015 Ampère Aucune conversion requise
Tension de l'émetteur de base: 0.9 Microvolt --> 9E-07 Volt (Vérifiez la conversion ici)
Impureté de température: 20 Kelvin --> 20 Kelvin Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

I_E = I_sat*(exp(([Charge-e]*V_BE)/([BoltZ]*t_o)-1)) --> 2.015*(exp(([Charge-e]*9E-07)/([BoltZ]*20)-1))

Évaluer ... ...

I_E = 0.74166427252678

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.74166427252678 Ampère --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.74166427252678 ≈ 0.741664 Ampère <-- Courant de l'émetteur

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< 9 Courant de l'émetteur Calculatrices

Courant de l'émetteur à travers la concentration des porteurs minoritaires

Aller Courant de l'émetteur = Zone de section transversale de la jonction base-émetteur*[Charge-e]*Diffusivité électronique*(-Concentration d'équilibre thermique/Largeur de la jonction de base)

Courant d'émetteur utilisant le gain de courant d'émetteur commun

Aller Courant de l'émetteur = ((Gain de courant de l'émetteur commun+1)/Gain de courant de l'émetteur commun)*Courant de saturation*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)

Courant de l'émetteur étant donné la tension base-émetteur

Aller Courant de l'émetteur = Courant de saturation*(exp(([Charge-e]*Tension de l'émetteur de base)/([BoltZ]*Impureté de température)-1))

Courant d'émetteur donné Courant de saturation

Aller Courant de l'émetteur = (Courant de saturation/Gain de courant de base commune)*e^(-Tension base-émetteur/Tension thermique)

Courant d'émetteur utilisant la constante de transistor

Aller Courant de l'émetteur = (Courant de saturation/Gain de courant de base commune)*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)

Courant d'émetteur utilisant le courant de collecteur et le gain de courant

Aller Courant de l'émetteur = ((Gain de courant de l'émetteur commun+1)/Gain de courant de l'émetteur commun)*Courant de collecteur

Courant d'émetteur donné Courant de collecteur

Aller Courant de l'émetteur = Courant de collecteur/Courant de vidange

Courant de l'émetteur donné Courant de base

Aller Courant de l'émetteur = (Courant de vidange+1)*Courant de base

Courant d'émetteur de BJT

Aller Courant de l'émetteur = Courant de collecteur+Courant de base

Courant de l'émetteur étant donné la tension base-émetteur Formule

Courant de l'émetteur = Courant de saturation*(exp(([Charge-e]*Tension de l'émetteur de base)/([BoltZ]*Impureté de température)-1))
I_E = I_sat*(exp(([Charge-e]*V_BE)/([BoltZ]*t_o)-1))

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