Emitterstrom bei gegebener Basis-Emitter-Spannung Taschenrechner

✖Der Sättigungsstrom bezieht sich auf den maximalen Strom, der durch den Transistor fließen kann, wenn er vollständig eingeschaltet ist.ⓘ Sättigungsstrom [I_sat]			+10% -10%
✖Die Basis-Emitter-Spannung bezieht sich auf den Spannungsabfall zwischen den Basis- und Emitteranschlüssen des Transistors im aktiven Modus.ⓘ Basis-Emitter-Spannung [V_BE]			+10% -10%
✖Temperaturverunreinigung ein Basisindex, der die durchschnittliche Lufttemperatur über verschiedene Zeitskalen darstellt.ⓘ Temperaturverunreinigung [t_o]			+10% -10%

✖Der Emitterstrom bezieht sich auf den Strom, der während des Betriebs zwischen den Emitter- und Basisanschlüssen des Transistors fließt.ⓘ Emitterstrom bei gegebener Basis-Emitter-Spannung [I_E]

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Formel

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Emitterstrom bei gegebener Basis-Emitter-Spannung

Formel

`"I"_{"E"} = "I"_{"sat"}*(exp(("[Charge-e]"*"V"_{"BE"})/("[BoltZ]"*"t"_{"o"})-1))`

Beispiel

`"0.741664A"="2.015A"*(exp(("[Charge-e]"*"0.9µV")/("[BoltZ]"*"20K")-1))`

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Emitterstrom bei gegebener Basis-Emitter-Spannung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Emitterstrom = Sättigungsstrom*(exp(([Charge-e]*Basis-Emitter-Spannung)/([BoltZ]*Temperaturverunreinigung)-1))
I_E = I_sat*(exp(([Charge-e]*V_BE)/([BoltZ]*t_o)-1))
Diese formel verwendet 2 Konstanten, 1 Funktionen, 4 Variablen

Verwendete Konstanten

[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19
[BoltZ] - Boltzmann-Konstante Wert genommen als 1.38064852E-23

Verwendete Funktionen

exp - Bei einer Exponentialfunktion ändert sich der Wert der Funktion bei jeder Änderung der unabhängigen Variablen um einen konstanten Faktor., exp(Number)

Verwendete Variablen

Emitterstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Emitterstrom bezieht sich auf den Strom, der während des Betriebs zwischen den Emitter- und Basisanschlüssen des Transistors fließt.
Sättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungsstrom bezieht sich auf den maximalen Strom, der durch den Transistor fließen kann, wenn er vollständig eingeschaltet ist.
Basis-Emitter-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Basis-Emitter-Spannung bezieht sich auf den Spannungsabfall zwischen den Basis- und Emitteranschlüssen des Transistors im aktiven Modus.
Temperaturverunreinigung - (Gemessen in Kelvin) - Temperaturverunreinigung ein Basisindex, der die durchschnittliche Lufttemperatur über verschiedene Zeitskalen darstellt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Sättigungsstrom: 2.015 Ampere --> 2.015 Ampere Keine Konvertierung erforderlich
Basis-Emitter-Spannung: 0.9 Mikrovolt --> 9E-07 Volt (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Temperaturverunreinigung: 20 Kelvin --> 20 Kelvin Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_E = I_sat*(exp(([Charge-e]*V_BE)/([BoltZ]*t_o)-1)) --> 2.015*(exp(([Charge-e]*9E-07)/([BoltZ]*20)-1))

Auswerten ... ...

I_E = 0.74166427252678

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.74166427252678 Ampere --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.74166427252678 ≈ 0.741664 Ampere <-- Emitterstrom

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

< 9 Emitterstrom Taschenrechner

Emitterstrom durch Minoritätsträgerkonzentration

Gehen Emitterstrom = Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs*[Charge-e]*Elektronendiffusivität*(-Thermische Gleichgewichtskonzentration/Breite der Basisverbindung)

Emitterstrom unter Verwendung der gemeinsamen Emitterstromverstärkung

Gehen Emitterstrom = ((Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*Sättigungsstrom*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Emitterstrom bei gegebener Basis-Emitter-Spannung

Gehen Emitterstrom = Sättigungsstrom*(exp(([Charge-e]*Basis-Emitter-Spannung)/([BoltZ]*Temperaturverunreinigung)-1))

Emitterstrom bei Sättigungsstrom

Gehen Emitterstrom = (Sättigungsstrom/Basisstromverstärkung)*e^(-Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Emitterstrom mit Transistorkonstante

Gehen Emitterstrom = (Sättigungsstrom/Basisstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Emitterstrom mit Kollektorstrom und Stromverstärkung

Gehen Emitterstrom = ((Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*Kollektorstrom

Emitterstrom bei gegebenem Kollektorstrom

Gehen Emitterstrom = Kollektorstrom/Stromverbrauch

Emitterstrom bei gegebenem Basisstrom

Gehen Emitterstrom = (Stromverbrauch+1)*Basisstrom

Emitterstrom von BJT

Gehen Emitterstrom = Kollektorstrom+Basisstrom

Emitterstrom bei gegebener Basis-Emitter-Spannung Formel

Emitterstrom = Sättigungsstrom*(exp(([Charge-e]*Basis-Emitter-Spannung)/([BoltZ]*Temperaturverunreinigung)-1))
I_E = I_sat*(exp(([Charge-e]*V_BE)/([BoltZ]*t_o)-1))

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