Ток эмиттера при заданном напряжении база-эмиттер Калькулятор

✖Ток насыщения — это максимальный ток, который может протекать через транзистор, когда он полностью открыт.ⓘ Ток насыщения [I_sat]			+10% -10%
✖Напряжение базового эмиттера — это падение напряжения между выводами базы и эмиттера транзистора, когда он находится в активном режиме.ⓘ Базовое напряжение эмиттера [V_BE]			+10% -10%
✖Температурная загрязненность — базовый индекс, представляющий среднюю температуру воздуха в разные периоды времени.ⓘ Температурная примесь [t_o]			+10% -10%

✖Ток эмиттера относится к току, протекающему между выводами эмиттера и базы транзистора, когда он работает.ⓘ Ток эмиттера при заданном напряжении база-эмиттер [I_E]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Ток эмиттера при заданном напряжении база-эмиттер

Формула

`"I"_{"E"} = "I"_{"sat"}*(exp(("[Charge-e]"*"V"_{"BE"})/("[BoltZ]"*"t"_{"o"})-1))`

Пример

`"0.741664A"="2.015A"*(exp(("[Charge-e]"*"0.9µV")/("[BoltZ]"*"20K")-1))`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать БЮТ формула PDF PDF Image

Ток эмиттера при заданном напряжении база-эмиттер Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Ток эмиттера = Ток насыщения*(exp(([Charge-e]*Базовое напряжение эмиттера)/([BoltZ]*Температурная примесь)-1))
I_E = I_sat*(exp(([Charge-e]*V_BE)/([BoltZ]*t_o)-1))
В этой формуле используются 2 Константы, 1 Функции, 4 Переменные

Используемые константы

[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19
[BoltZ] - постоянная Больцмана Значение, принятое как 1.38064852E-23

Используемые функции

exp - В показательной функции значение функции изменяется на постоянный коэффициент при каждом изменении единицы независимой переменной., exp(Number)

Используемые переменные

Ток эмиттера - (Измеряется в Ампер) - Ток эмиттера относится к току, протекающему между выводами эмиттера и базы транзистора, когда он работает.
Ток насыщения - (Измеряется в Ампер) - Ток насыщения — это максимальный ток, который может протекать через транзистор, когда он полностью открыт.
Базовое напряжение эмиттера - (Измеряется в вольт) - Напряжение базового эмиттера — это падение напряжения между выводами базы и эмиттера транзистора, когда он находится в активном режиме.
Температурная примесь - (Измеряется в Кельвин) - Температурная загрязненность — базовый индекс, представляющий среднюю температуру воздуха в разные периоды времени.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Ток насыщения: 2.015 Ампер --> 2.015 Ампер Конверсия не требуется
Базовое напряжение эмиттера: 0.9 микровольт --> 9E-07 вольт (Проверьте преобразование здесь)
Температурная примесь: 20 Кельвин --> 20 Кельвин Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

I_E = I_sat*(exp(([Charge-e]*V_BE)/([BoltZ]*t_o)-1)) --> 2.015*(exp(([Charge-e]*9E-07)/([BoltZ]*20)-1))

Оценка ... ...

I_E = 0.74166427252678

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.74166427252678 Ампер --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.74166427252678 ≈ 0.741664 Ампер <-- Ток эмиттера

(Расчет завершен через 00.008 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » БЮТ » Аналоговая электроника » Текущий » Ток эмиттера » Ток эмиттера при заданном напряжении база-эмиттер

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 9 Ток эмиттера Калькуляторы

Ток эмиттера с использованием коэффициента усиления по току общего эмиттера

Идти Ток эмиттера = ((Коэффициент усиления по току с общим эмиттером+1)/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*Ток насыщения*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)

Ток эмиттера через концентрацию неосновных носителей

Идти Ток эмиттера = Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер*[Charge-e]*Электронная диффузия*(-Тепловая равновесная концентрация/Ширина базового соединения)

Ток эмиттера при заданном напряжении база-эмиттер

Идти Ток эмиттера = Ток насыщения*(exp(([Charge-e]*Базовое напряжение эмиттера)/([BoltZ]*Температурная примесь)-1))

Ток эмиттера при заданном токе насыщения

Идти Ток эмиттера = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общей базой)*e^(-Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)

Ток эмиттера с использованием постоянной транзистора

Идти Ток эмиттера = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общей базой)*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)

Ток эмиттера с использованием тока коллектора и коэффициента усиления по току

Идти Ток эмиттера = ((Коэффициент усиления по току с общим эмиттером+1)/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*Коллекторный ток

Ток эмиттера BJT

Идти Ток эмиттера = Коллекторный ток+Базовый ток

Ток эмиттера при заданном токе коллектора

Идти Ток эмиттера = Коллекторный ток/Ток стока