Sortie Miller Capacité Mosfet Calculatrice

✖La capacité grille-drain est une capacité parasite qui existe entre les électrodes de grille et de drain d'un transistor à effet de champ (FET).ⓘ Capacité de vidange de porte [C_gd]			+10% -10%
✖Le gain de tension est une mesure de l'amplification d'un signal électrique par un amplificateur. C'est le rapport de la tension de sortie à la tension d'entrée du circuit, exprimé en décibels (dB).ⓘ Gain de tension [A_v]			+10% -10%

✖La capacité de sortie Miller est une capacité parasite qui existe entre le drain et la grille d'un MOSFET.ⓘ Sortie Miller Capacité Mosfet [C_out(miller)]

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Formule

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Sortie Miller Capacité Mosfet

Formule

`"C"_{"out(miller)"} = "C"_{"gd"}*(("A"_{"v"}+1)/"A"_{"v"})`

Exemple

`"276.2308μF"="7μF"*(("0.026"+1)/"0.026")`

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Sortie Miller Capacité Mosfet Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Capacité de sortie Miller = Capacité de vidange de porte*((Gain de tension+1)/Gain de tension)
C_out(miller) = C_gd*((A_v+1)/A_v)
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Capacité de sortie Miller - (Mesuré en Farad) - La capacité de sortie Miller est une capacité parasite qui existe entre le drain et la grille d'un MOSFET.
Capacité de vidange de porte - (Mesuré en Farad) - La capacité grille-drain est une capacité parasite qui existe entre les électrodes de grille et de drain d'un transistor à effet de champ (FET).
Gain de tension - Le gain de tension est une mesure de l'amplification d'un signal électrique par un amplificateur. C'est le rapport de la tension de sortie à la tension d'entrée du circuit, exprimé en décibels (dB).

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Capacité de vidange de porte: 7 microfarades --> 7E-06 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Gain de tension: 0.026 --> Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_out(miller) = C_gd*((A_v+1)/A_v) --> 7E-06*((0.026+1)/0.026)

Évaluer ... ...

C_out(miller) = 0.000276230769230769

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.000276230769230769 Farad -->276.230769230769 microfarades (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

276.230769230769 ≈ 276.2308 microfarades <-- Capacité de sortie Miller

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Suma Madhuri

Université VIT (VIT), Chennai

Suma Madhuri a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

< 15 Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence Calculatrices

Conductance du canal des MOSFET

Aller Conductance du canal = Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*(Largeur de canal/Longueur du canal)*Tension aux bornes de l'oxyde

Fréquence de transition du MOSFET

Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))

Amplitude de la charge électronique dans le canal du MOSFET

Aller Charge d'électrons dans le canal = Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Longueur du canal*Tension efficace

Déphasage dans le circuit RC de sortie

Aller Déphasage = arctan(Réactance capacitive/(Résistance+Résistance à la charge))

Fréquence critique inférieure du Mosfet

Aller Fréquence de coin = 1/(2*pi*(Résistance+Résistance d'entrée)*Capacitance)

Sortie Miller Capacité Mosfet

Aller Capacité de sortie Miller = Capacité de vidange de porte*((Gain de tension+1)/Gain de tension)

Largeur du canal porte à source du MOSFET

Aller Largeur de canal = Capacité de chevauchement/(Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement)

Capacité de chevauchement du MOSFET

Aller Capacité de chevauchement = Largeur de canal*Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement

Capacité totale entre la porte et le canal des MOSFET

Aller Capacité du canal de porte = Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Longueur du canal

Fréquence critique dans le circuit RC d'entrée haute fréquence

Aller Fréquence de coin = 1/(2*pi*Résistance d'entrée*Capacité de Miller)

Déphasage dans le circuit RC d'entrée

Aller Déphasage = arctan(Réactance capacitive/Résistance d'entrée)

Réactance capacitive du Mosfet

Aller Réactance capacitive = 1/(2*pi*Fréquence*Capacitance)

Capacité Miller du Mosfet

Aller Capacité de Miller = Capacité de vidange de porte*(Gain de tension+1)

Fréquence critique du Mosfet

Aller Fréquence critique en décibels = 10*log10(Fréquence critique)

Atténuation du circuit RC

Aller Atténuation = Tension de base/Tension d'entrée

Sortie Miller Capacité Mosfet Formule

Capacité de sortie Miller = Capacité de vidange de porte*((Gain de tension+1)/Gain de tension)
C_out(miller) = C_gd*((A_v+1)/A_v)

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