Ausgangs-Miller-Kapazitäts-MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Ausgangs-Miller-Kapazität = Gate-Drain-Kapazität*((Spannungsverstärkung+1)/Spannungsverstärkung)
Cout(miller) = Cgd*((Av+1)/Av)
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Ausgangs-Miller-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Ausgangs-Miller-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen Drain und Gate eines MOSFET besteht.
Gate-Drain-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Drain-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Drain-Elektroden eines Feldeffekttransistors (FET) besteht.
Spannungsverstärkung - Die Spannungsverstärkung ist ein Maß für die Verstärkung eines elektrischen Signals durch einen Verstärker. Es ist das Verhältnis der Ausgangsspannung zur Eingangsspannung der Schaltung, ausgedrückt in Dezibel (dB).
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Gate-Drain-Kapazität: 7 Mikrofarad --> 7E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Spannungsverstärkung: 0.026 --> Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Cout(miller) = Cgd*((Av+1)/Av) --> 7E-06*((0.026+1)/0.026)
Auswerten ... ...
Cout(miller) = 0.000276230769230769
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.000276230769230769 Farad -->276.230769230769 Mikrofarad (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
276.230769230769 276.2308 Mikrofarad <-- Ausgangs-Miller-Kapazität
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Suma Madhuri
VIT-Universität (VIT), Chennai
Suma Madhuri hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Parminder Singh
Chandigarh-Universität (KU), Punjab
Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

15 Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell Taschenrechner

Leitwert des Kanals von MOSFETs
​ Gehen Leitfähigkeit des Kanals = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*(Kanalbreite/Kanallänge)*Spannung über Oxid
Größe der Elektronenladung im Kanal des MOSFET
​ Gehen Elektronenladung im Kanal = Oxidkapazität*Kanalbreite*Kanallänge*Effektive Spannung
Übergangsfrequenz des MOSFET
​ Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))
Phasenverschiebung im Ausgangs-RC-Schaltkreis
​ Gehen Phasenverschiebung = arctan(Kapazitive Reaktanz/(Widerstand+Lastwiderstand))
Untere kritische Frequenz des Mosfet
​ Gehen Eckfrequenz = 1/(2*pi*(Widerstand+Eingangswiderstand)*Kapazität)
Ausgangs-Miller-Kapazitäts-MOSFET
​ Gehen Ausgangs-Miller-Kapazität = Gate-Drain-Kapazität*((Spannungsverstärkung+1)/Spannungsverstärkung)
Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET
​ Gehen Kanalbreite = Überlappungskapazität/(Oxidkapazität*Überlappungslänge)
Phasenverschiebung im Eingangs-RC-Schaltkreis
​ Gehen Phasenverschiebung = arctan(Kapazitive Reaktanz/Eingangswiderstand)
Überlappungskapazität des MOSFET
​ Gehen Überlappungskapazität = Kanalbreite*Oxidkapazität*Überlappungslänge
Kritische Frequenz im RC-Schaltkreis mit Hochfrequenzeingang
​ Gehen Eckfrequenz = 1/(2*pi*Eingangswiderstand*Miller-Kapazität)
Gesamtkapazität zwischen Gate und Kanal von MOSFETs
​ Gehen Gate-Kanalkapazität = Oxidkapazität*Kanalbreite*Kanallänge
Kapazitive Reaktanz von Mosfet
​ Gehen Kapazitive Reaktanz = 1/(2*pi*Frequenz*Kapazität)
Miller-Kapazität von Mosfet
​ Gehen Miller-Kapazität = Gate-Drain-Kapazität*(Spannungsverstärkung+1)
Kritische Frequenz von Mosfet
​ Gehen Kritische Frequenz in Dezibel = 10*log10(Kritische Frequenz)
Dämpfung des RC-Schaltkreises
​ Gehen Dämpfung = Basisspannung/Eingangsspannung

Ausgangs-Miller-Kapazitäts-MOSFET Formel

Ausgangs-Miller-Kapazität = Gate-Drain-Kapazität*((Spannungsverstärkung+1)/Spannungsverstärkung)
Cout(miller) = Cgd*((Av+1)/Av)
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