Saída Miller Capacitância Mosfet Calculadora

✖A capacitância gate-drain é uma capacitância parasita que existe entre os eletrodos gate e dreno de um transistor de efeito de campo (FET).ⓘ Capacitância Gate-Dreno [C_gd]			+10% -10%
✖O ganho de tensão é uma medida da amplificação de um sinal elétrico por um amplificador. É a relação entre a tensão de saída e a tensão de entrada do circuito, expressa em decibéis (dB).ⓘ Ganho de tensão [A_v]			+10% -10%

✖A capacitância Miller de saída é uma capacitância parasita que existe entre o dreno e a porta de um MOSFET.ⓘ Saída Miller Capacitância Mosfet [C_out(miller)]

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Fórmula

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Saída Miller Capacitância Mosfet

Fórmula

`"C"_{"out(miller)"} = "C"_{"gd"}*(("A"_{"v"}+1)/"A"_{"v"})`

Exemplo

`"276.2308μF"="7μF"*(("0.026"+1)/"0.026")`

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Saída Miller Capacitância Mosfet Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Capacitância Miller de saída = Capacitância Gate-Dreno*((Ganho de tensão+1)/Ganho de tensão)
C_out(miller) = C_gd*((A_v+1)/A_v)
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Capacitância Miller de saída - (Medido em Farad) - A capacitância Miller de saída é uma capacitância parasita que existe entre o dreno e a porta de um MOSFET.
Capacitância Gate-Dreno - (Medido em Farad) - A capacitância gate-drain é uma capacitância parasita que existe entre os eletrodos gate e dreno de um transistor de efeito de campo (FET).
Ganho de tensão - O ganho de tensão é uma medida da amplificação de um sinal elétrico por um amplificador. É a relação entre a tensão de saída e a tensão de entrada do circuito, expressa em decibéis (dB).

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Capacitância Gate-Dreno: 7 Microfarad --> 7E-06 Farad (Verifique a conversão aqui)
Ganho de tensão: 0.026 --> Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

C_out(miller) = C_gd*((A_v+1)/A_v) --> 7E-06*((0.026+1)/0.026)

Avaliando ... ...

C_out(miller) = 0.000276230769230769

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.000276230769230769 Farad -->276.230769230769 Microfarad (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

276.230769230769 ≈ 276.2308 Microfarad <-- Capacitância Miller de saída

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Suma Madhuri

Universidade VIT (VITA), Chennai

Suma Madhuri criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Parminder Singh

Universidade de Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

< 15 Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência Calculadoras

Condutância do Canal de MOSFETs

Vai Condutância do Canal = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*(Largura de banda/Comprimento do canal)*Tensão através do Óxido

Frequência de Transição do MOSFET

Vai Frequência de transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))

Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET

Vai Carga do Elétron no Canal = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal*Tensão Efetiva

Frequência crítica mais baixa do Mosfet

Vai Frequência de canto = 1/(2*pi*(Resistência+Resistência de entrada)*Capacitância)

Mudança de fase no circuito RC de saída

Vai Mudança de fase = arctan(Reatância capacitiva/(Resistência+Resistência de carga))

Largura do portão para o canal de origem do MOSFET

Vai Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)

Capacitância de sobreposição do MOSFET

Vai Capacitância de sobreposição = Largura de banda*Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição

Capacitância Total entre Gate e Canal de MOSFETs

Vai Capacitância do canal de porta = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal

Saída Miller Capacitância Mosfet

Vai Capacitância Miller de saída = Capacitância Gate-Dreno*((Ganho de tensão+1)/Ganho de tensão)

Frequência crítica em circuito RC de entrada de alta frequência

Vai Frequência de canto = 1/(2*pi*Resistência de entrada*Capacitância de Miller)

Mudança de fase no circuito RC de entrada

Vai Mudança de fase = arctan(Reatância capacitiva/Resistência de entrada)

Reatância capacitiva do Mosfet

Vai Reatância capacitiva = 1/(2*pi*Frequência*Capacitância)

Capacitância de Miller do Mosfet

Vai Capacitância de Miller = Capacitância Gate-Dreno*(Ganho de tensão+1)

Frequência Crítica do Mosfet

Vai Frequência Crítica em decibéis = 10*log10(Frequência Crítica)

Atenuação do Circuito RC

Vai Atenuação = Tensão Base/Tensão de entrada

Saída Miller Capacitância Mosfet Fórmula

Capacitância Miller de saída = Capacitância Gate-Dreno*((Ganho de tensão+1)/Ganho de tensão)
C_out(miller) = C_gd*((A_v+1)/A_v)

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