Résistance de sortie à un autre drain de transistor à source contrôlée Calculatrice

✖La résistance de l'enroulement secondaire du primaire d'un MOSFET est l'opposition au courant qui le traverse. Cela dépend de la conception spécifique du MOSFET et des conditions de fonctionnement.ⓘ Résistance de l'enroulement secondaire au primaire [R₂]			+10% -10%
✖Une résistance finie signifie simplement que la résistance dans un circuit n’est ni infinie ni nulle. En d’autres termes, le circuit présente une certaine résistance, ce qui peut affecter le comportement du circuit.ⓘ Résistance finie [R_fi]			+10% -10%
✖La transconductance primaire du MOSFET est la variation du courant de drain divisée par la petite variation de la tension grille/source avec une tension drain/source constante.ⓘ Transconductance primaire MOSFET [g_mp]			+10% -10%

✖La résistance de drain est le rapport entre la variation de la tension drain-source et la variation correspondante du courant de drain pour une tension grille-source constante.ⓘ Résistance de sortie à un autre drain de transistor à source contrôlée [R_d]

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Formule

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Résistance de sortie à un autre drain de transistor à source contrôlée

Formule

`"R"_{"d"} = "R"_{"2"}+2*"R"_{"fi"}+2*"R"_{"fi"}*"g"_{"mp"}*"R"_{"2"}`

Exemple

`"0.358486kΩ"="0.064kΩ"+2*"0.065kΩ"+2*"0.065kΩ"*"19.77mS"*"0.064kΩ"`

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Résistance de sortie à un autre drain de transistor à source contrôlée Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Résistance aux fuites = Résistance de l'enroulement secondaire au primaire+2*Résistance finie+2*Résistance finie*Transconductance primaire MOSFET*Résistance de l'enroulement secondaire au primaire
R_d = R₂+2*R_fi+2*R_fi*g_mp*R₂
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Résistance aux fuites - (Mesuré en Ohm) - La résistance de drain est le rapport entre la variation de la tension drain-source et la variation correspondante du courant de drain pour une tension grille-source constante.
Résistance de l'enroulement secondaire au primaire - (Mesuré en Ohm) - La résistance de l'enroulement secondaire du primaire d'un MOSFET est l'opposition au courant qui le traverse. Cela dépend de la conception spécifique du MOSFET et des conditions de fonctionnement.
Résistance finie - (Mesuré en Ohm) - Une résistance finie signifie simplement que la résistance dans un circuit n’est ni infinie ni nulle. En d’autres termes, le circuit présente une certaine résistance, ce qui peut affecter le comportement du circuit.
Transconductance primaire MOSFET - (Mesuré en Siemens) - La transconductance primaire du MOSFET est la variation du courant de drain divisée par la petite variation de la tension grille/source avec une tension drain/source constante.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Résistance de l'enroulement secondaire au primaire: 0.064 Kilohm --> 64 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Résistance finie: 0.065 Kilohm --> 65 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Transconductance primaire MOSFET: 19.77 millisiemens --> 0.01977 Siemens (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

R_d = R₂+2*R_fi+2*R_fi*g_mp*R₂ --> 64+2*65+2*65*0.01977*64

Évaluer ... ...

R_d = 358.4864

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

358.4864 Ohm -->0.3584864 Kilohm (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.3584864 ≈ 0.358486 Kilohm <-- Résistance aux fuites

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Anshika Arya

Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur

Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

< 11 Amplificateur à source commune Calculatrices

Gain de tension de rétroaction global de l'amplificateur à source commune

Aller Gain de tension de rétroaction = -Transconductance primaire MOSFET*(Résistance d'entrée/(Résistance d'entrée+Résistance du signal))*(1/Résistance aux fuites+1/Résistance à la charge+1/Résistance de sortie finie)^-1

Tension de sortie du transistor à source contrôlée

Aller Composante CC de la tension grille-source = (Gain de tension*Courant électrique-Transconductance de court-circuit*Signal de sortie différentiel)*(1/Résistance finale+1/Résistance de l'enroulement primaire au secondaire)

Résistance de sortie à un autre drain de transistor à source contrôlée

Aller Résistance aux fuites = Résistance de l'enroulement secondaire au primaire+2*Résistance finie+2*Résistance finie*Transconductance primaire MOSFET*Résistance de l'enroulement secondaire au primaire

Résistance de sortie de l'amplificateur CS avec résistance de source

Aller Résistance aux fuites = Résistance de sortie finie+Résistance à la source+(Transconductance primaire MOSFET*Résistance de sortie finie*Résistance à la source)

Gain de tension en circuit ouvert de l'amplificateur CS

Aller Gain de tension en circuit ouvert = Résistance de sortie finie/(Résistance de sortie finie+1/Transconductance primaire MOSFET)

Transconductance dans un amplificateur à source commune

Aller Transconductance primaire MOSFET = Fréquence de gain unitaire*(Capacité porte à source+Porte de capacité à drainer)

Gain de tension global du suiveur de source

Aller Gain de tension global = Résistance à la charge/(Résistance à la charge+1/Transconductance primaire MOSFET)

Gain de courant du transistor à source contrôlée

Aller Gain actuel = 1/(1+1/(Transconductance primaire MOSFET*Résistance entre le drain et la terre))

Tension de l'émetteur par rapport au gain de tension

Aller Tension de l'émetteur = Tension du collecteur/Gain de tension

Gain de tension total de l'amplificateur CS

Aller Gain de tension = Tension de charge/Tension d'entrée

Tension de charge de l'amplificateur CS

Aller Tension de charge = Gain de tension*Tension d'entrée

< 18 Actions CV des amplificateurs de scène courants Calculatrices

Tension de sortie du transistor à source contrôlée

Résistance d'entrée du circuit à base commune

Aller Résistance d'entrée = (Résistance de l'émetteur*(Résistance de sortie finie+Résistance à la charge))/(Résistance de sortie finie+(Résistance à la charge/(Gain de courant de base du collecteur+1)))

Résistance de sortie à un autre drain de transistor à source contrôlée

Résistance de sortie de l'amplificateur CE dégénéré par l'émetteur

Aller Résistance aux fuites = Résistance de sortie finie+(Transconductance primaire MOSFET*Résistance de sortie finie)*(1/Résistance de l'émetteur+1/Résistance d'entrée de petit signal)

Résistance d'entrée de l'amplificateur à émetteur commun compte tenu de la résistance d'entrée à petit signal

Aller Résistance d'entrée = (1/Résistance de base+1/Résistance de base 2+1/(Résistance d'entrée de petit signal+(Gain de courant de base du collecteur+1)*Résistance de l'émetteur))^-1

Résistance d'entrée de l'amplificateur à émetteur commun compte tenu de la résistance de l'émetteur

Aller Résistance d'entrée = (1/Résistance de base+1/Résistance de base 2+1/((Résistance totale+Résistance de l'émetteur)*(Gain de courant de base du collecteur+1)))^-1

Résistance de sortie de l'amplificateur CS avec résistance de source

Aller Résistance aux fuites = Résistance de sortie finie+Résistance à la source+(Transconductance primaire MOSFET*Résistance de sortie finie*Résistance à la source)

Courant de drain instantané utilisant la tension entre le drain et la source

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source

Transconductance dans un amplificateur à source commune

Aller Transconductance primaire MOSFET = Fréquence de gain unitaire*(Capacité porte à source+Porte de capacité à drainer)

Résistance d'entrée de l'amplificateur émetteur commun

Aller Résistance d'entrée = (1/Résistance de base+1/Résistance de base 2+1/Résistance d'entrée de petit signal)^-1

Courant de signal dans l'émetteur donné Signal d'entrée

Aller Courant de signal dans l'émetteur = Tension des composants fondamentaux/Résistance de l'émetteur

Impédance d'entrée de l'amplificateur à base commune

Aller Impédance d'entrée = (1/Résistance de l'émetteur+1/Résistance d'entrée de petit signal)^(-1)

Transconductance utilisant le courant de collecteur de l'amplificateur à transistor

Aller Transconductance primaire MOSFET = Courant du collecteur/Tension de seuil

Tension fondamentale dans l'amplificateur à émetteur commun

Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance d'entrée*Courant de base

Résistance d'entrée de l'amplificateur à collecteur commun

Aller Résistance d'entrée = Tension des composants fondamentaux/Courant de base

Résistance de l'émetteur dans l'amplificateur à base commune

Aller Résistance de l'émetteur = Tension d'entrée/Courant de l'émetteur

Courant d'émetteur de l'amplificateur à base commune

Aller Courant de l'émetteur = Tension d'entrée/Résistance de l'émetteur

Tension de charge de l'amplificateur CS

Aller Tension de charge = Gain de tension*Tension d'entrée

Résistance de sortie à un autre drain de transistor à source contrôlée Formule

Qu'est-ce qu'une source de courant contrôlée?

Une source de courant contrôlée ou dépendante, d'autre part, modifie son courant disponible en fonction de la tension aux bornes, ou du courant traversant, un autre élément connecté au circuit. Une source de courant qui dépend d'une entrée de courant est généralement appelée source de courant contrôlé par courant ou CCCS.

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