Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego Kalkulator

✖Opór uzwojenia wtórnego w uzwojeniu pierwotnym MOSFET-u jest oporem wobec przepływającego przez niego prądu. Zależy to od konkretnej konstrukcji MOSFET i warunków pracy.ⓘ Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym [R₂]			+10% -10%
✖Skończony opór oznacza po prostu, że opór w obwodzie nie jest nieskończony ani zerowy. Innymi słowy, obwód ma pewną rezystancję, która może mieć wpływ na zachowanie obwodu.ⓘ Skończony opór [R_fi]			+10% -10%
✖Transkonduktancja pierwotna MOSFET to zmiana prądu drenu podzielona przez małą zmianę napięcia bramki/źródła przy stałym napięciu dren/źródło.ⓘ Transkonduktancja pierwotna MOSFET [g_mp]			+10% -10%

✖Rezystancja drenu to stosunek zmiany napięcia drenu do źródła do odpowiedniej zmiany prądu drenu dla stałego napięcia bramki do źródła.ⓘ Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego [R_d]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego

Formuła

`"R"_{"d"} = "R"_{"2"}+2*"R"_{"fi"}+2*"R"_{"fi"}*"g"_{"mp"}*"R"_{"2"}`

Przykład

`"0.358486kΩ"="0.064kΩ"+2*"0.065kΩ"+2*"0.065kΩ"*"19.77mS"*"0.064kΩ"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Wzmacniacze tranzystorowe Formułę PDF PDF Image

Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Odporność na drenaż = Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym+2*Skończony opór+2*Skończony opór*Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym
R_d = R₂+2*R_fi+2*R_fi*g_mp*R₂
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Odporność na drenaż - (Mierzone w Om) - Rezystancja drenu to stosunek zmiany napięcia drenu do źródła do odpowiedniej zmiany prądu drenu dla stałego napięcia bramki do źródła.
Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym - (Mierzone w Om) - Opór uzwojenia wtórnego w uzwojeniu pierwotnym MOSFET-u jest oporem wobec przepływającego przez niego prądu. Zależy to od konkretnej konstrukcji MOSFET i warunków pracy.
Skończony opór - (Mierzone w Om) - Skończony opór oznacza po prostu, że opór w obwodzie nie jest nieskończony ani zerowy. Innymi słowy, obwód ma pewną rezystancję, która może mieć wpływ na zachowanie obwodu.
Transkonduktancja pierwotna MOSFET - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja pierwotna MOSFET to zmiana prądu drenu podzielona przez małą zmianę napięcia bramki/źródła przy stałym napięciu dren/źródło.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym: 0.064 Kilohm --> 64 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Skończony opór: 0.065 Kilohm --> 65 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Transkonduktancja pierwotna MOSFET: 19.77 Millisiemens --> 0.01977 Siemens (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

R_d = R₂+2*R_fi+2*R_fi*g_mp*R₂ --> 64+2*65+2*65*0.01977*64

Ocenianie ... ...

R_d = 358.4864

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

358.4864 Om -->0.3584864 Kilohm (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.3584864 ≈ 0.358486 Kilohm <-- Odporność na drenaż

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Wzmacniacze » Wzmacniacze tranzystorowe » Wzmacniacz ze wspólnym źródłem » Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Anshika Arya

Narodowy Instytut Technologii (GNIDA), Hamirpur

Anshika Arya zweryfikował ten kalkulator i 2500+ więcej kalkulatorów!

< 11 Wzmacniacz ze wspólnym źródłem Kalkulatory

Ogólne wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego wzmacniacza ze wspólnym źródłem

Iść Wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego = -Transkonduktancja pierwotna MOSFET*(Rezystancja wejściowa/(Rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))*(1/Odporność na drenaż+1/Odporność na obciążenie+1/Skończona rezystancja wyjściowa)^-1

Napięcie wyjściowe kontrolowanego tranzystora źródłowego

Iść Składowa DC napięcia bramki-źródła = (Wzmocnienie napięcia*Prąd elektryczny-Transkonduktancja zwarciowa*Różnicowy sygnał wyjściowy)*(1/Ostateczny opór+1/Rezystancja uzwojenia pierwotnego w wtórnym)

Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego

Iść Odporność na drenaż = Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym+2*Skończony opór+2*Skończony opór*Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CS z rezystancją źródła

Iść Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+Opór źródła+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa*Opór źródła)

Wzmocnienie napięcia obwodu otwartego wzmacniacza CS

Iść Wzmocnienie napięcia w obwodzie otwartym = Skończona rezystancja wyjściowa/(Skończona rezystancja wyjściowa+1/Transkonduktancja pierwotna MOSFET)

Transkonduktancja we wzmacniaczu ze wspólnym źródłem

Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Częstotliwość wzmocnienia jedności*(Pojemność bramy do źródła+Bramka pojemnościowa do drenażu)

Całkowite wzmocnienie napięcia wtórnika źródła

Iść Całkowite wzmocnienie napięcia = Odporność na obciążenie/(Odporność na obciążenie+1/Transkonduktancja pierwotna MOSFET)

Bieżące wzmocnienie kontrolowanego tranzystora źródłowego

Iść Aktualny zysk = 1/(1+1/(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Opór pomiędzy drenem a ziemią))

Całkowite wzmocnienie napięcia wzmacniacza CS

Iść Wzmocnienie napięcia = Napięcie obciążenia/Napięcie wejściowe

Napięcie obciążenia wzmacniacza CS

Iść Napięcie obciążenia = Wzmocnienie napięcia*Napięcie wejściowe

Napięcie emitera w odniesieniu do wzmocnienia napięcia

Iść Napięcie emitera = Napięcie kolektora/Wzmocnienie napięcia

< 18 Działania CV wzmacniaczy Common Stage Kalkulatory

Rezystancja wejściowa obwodu ze wspólną bazą

Iść Rezystancja wejściowa = (Rezystancja emitera*(Skończona rezystancja wyjściowa+Odporność na obciążenie))/(Skończona rezystancja wyjściowa+(Odporność na obciążenie/(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)))

Napięcie wyjściowe kontrolowanego tranzystora źródłowego

Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego

Iść Odporność na drenaż = Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym+2*Skończony opór+2*Skończony opór*Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem

Iść Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa)*(1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem dla rezystancji wejściowej małosygnałowej

Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/(Mały opór wejściowy sygnału+(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Rezystancja emitera))^-1

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem przy danej rezystancji emitera

Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/((Całkowity opór+Rezystancja emitera)*(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)))^-1

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CS z rezystancją źródła

Iść Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+Opór źródła+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa*Opór źródła)

Chwilowy prąd drenu przy użyciu napięcia między drenem a źródłem

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)*Napięcie między bramką a źródłem

Transkonduktancja we wzmacniaczu ze wspólnym źródłem

Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Częstotliwość wzmocnienia jedności*(Pojemność bramy do źródła+Bramka pojemnościowa do drenażu)

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem

Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/Mały opór wejściowy sygnału)^-1

Impedancja wejściowa wzmacniacza ze wspólną bazą

Iść Impedancja wejściowa = (1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)^(-1)

Prąd sygnału w emiterze podany sygnał wejściowy

Iść Prąd sygnału w emiterze = Podstawowe napięcie składowe/Rezystancja emitera

Transkonduktancja przy użyciu prądu kolektora wzmacniacza tranzystorowego

Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Prąd kolektora/Próg napięcia

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym kolektorem

Iść Rezystancja wejściowa = Podstawowe napięcie składowe/Prąd bazowy

Podstawowe napięcie we wzmacniaczu ze wspólnym emiterem

Iść Podstawowe napięcie składowe = Rezystancja wejściowa*Prąd bazowy

Napięcie obciążenia wzmacniacza CS

Iść Napięcie obciążenia = Wzmocnienie napięcia*Napięcie wejściowe

Rezystancja emitera we wzmacniaczu ze wspólną bazą

Iść Rezystancja emitera = Napięcie wejściowe/Prąd emitera

Prąd emitera wzmacniacza ze wspólną bazą

Iść Prąd emitera = Napięcie wejściowe/Rezystancja emitera

Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego Formułę

Co to jest kontrolowane źródło prądu?

Z drugiej strony, kontrolowane lub zależne źródło prądu zmienia swój dostępny prąd w zależności od napięcia w poprzek lub prądu przepływającego przez jakiś inny element podłączony do obwodu. Źródło prądu, które zależy od wejścia prądowego, jest ogólnie określane jako źródło prądu sterowanego prądem lub CCCS.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!