Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors Taschenrechner

✖Der Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung eines MOSFET ist der Widerstand gegen den durch ihn fließenden Strom. Dies hängt vom spezifischen MOSFET-Design und den Betriebsbedingungen ab.ⓘ Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung [R₂]			+10% -10%
✖Ein endlicher Widerstand bedeutet einfach, dass der Widerstand in einem Stromkreis nicht unendlich oder Null ist. Mit anderen Worten: Der Stromkreis weist einen gewissen Widerstand auf, der das Verhalten des Stromkreises beeinflussen kann.ⓘ Endlicher Widerstand [R_fi]			+10% -10%
✖Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.ⓘ MOSFET-Primärtranskonduktanz [g_mp]			+10% -10%

✖Der Drain-Widerstand ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Source-Spannung zur entsprechenden Änderung des Drain-Stroms bei konstanter Gate-Source-Spannung.ⓘ Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors [R_d]

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Formel

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Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors

Formel

`"R"_{"d"} = "R"_{"2"}+2*"R"_{"fi"}+2*"R"_{"fi"}*"g"_{"mp"}*"R"_{"2"}`

Beispiel

`"0.358486kΩ"="0.064kΩ"+2*"0.065kΩ"+2*"0.065kΩ"*"19.77mS"*"0.064kΩ"`

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Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Abflusswiderstand = Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung+2*Endlicher Widerstand+2*Endlicher Widerstand*MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung
R_d = R₂+2*R_fi+2*R_fi*g_mp*R₂
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Abflusswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Drain-Widerstand ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Source-Spannung zur entsprechenden Änderung des Drain-Stroms bei konstanter Gate-Source-Spannung.
Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung - (Gemessen in Ohm) - Der Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung eines MOSFET ist der Widerstand gegen den durch ihn fließenden Strom. Dies hängt vom spezifischen MOSFET-Design und den Betriebsbedingungen ab.
Endlicher Widerstand - (Gemessen in Ohm) - Ein endlicher Widerstand bedeutet einfach, dass der Widerstand in einem Stromkreis nicht unendlich oder Null ist. Mit anderen Worten: Der Stromkreis weist einen gewissen Widerstand auf, der das Verhalten des Stromkreises beeinflussen kann.
MOSFET-Primärtranskonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung: 0.064 Kiloohm --> 64 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Endlicher Widerstand: 0.065 Kiloohm --> 65 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
MOSFET-Primärtranskonduktanz: 19.77 Millisiemens --> 0.01977 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

R_d = R₂+2*R_fi+2*R_fi*g_mp*R₂ --> 64+2*65+2*65*0.01977*64

Auswerten ... ...

R_d = 358.4864

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

358.4864 Ohm -->0.3584864 Kiloohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.3584864 ≈ 0.358486 Kiloohm <-- Abflusswiderstand

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

< 11 Common-Source-Verstärker Taschenrechner

Ausgangsspannung des Controlled Source Transistors

Gehen Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung = (Spannungsverstärkung*Elektrischer Strom-Kurzschlusstranskonduktanz*Differenzielles Ausgangssignal)*(1/Endgültiger Widerstand+1/Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung)

Gesamtrückkopplungsspannungsverstärkung des Common-Source-Verstärkers

Gehen Rückkopplungsspannungsverstärkung = -MOSFET-Primärtranskonduktanz*(Eingangswiderstand/(Eingangswiderstand+Signalwiderstand))*(1/Abflusswiderstand+1/Lastwiderstand+1/Endlicher Ausgangswiderstand)^-1

Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors

Gehen Abflusswiderstand = Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung+2*Endlicher Widerstand+2*Endlicher Widerstand*MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung

Ausgangswiderstand des CS-Verstärkers mit Quellwiderstand

Gehen Abflusswiderstand = Endlicher Ausgangswiderstand+Quellenwiderstand+(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand*Quellenwiderstand)

Leerlaufspannungsverstärkung des CS-Verstärkers

Gehen Spannungsverstärkung im Leerlauf = Endlicher Ausgangswiderstand/(Endlicher Ausgangswiderstand+1/MOSFET-Primärtranskonduktanz)

Transkonduktanz im Common-Source-Verstärker

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = Einheitsgewinnfrequenz*(Gate-Source-Kapazität+Kapazitäts-Gate zum Drain)

Gesamtspannungsverstärkung des Source-Folgers

Gehen Gesamtspannungsgewinn = Lastwiderstand/(Lastwiderstand+1/MOSFET-Primärtranskonduktanz)

Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors

Gehen Aktueller Gewinn = 1/(1+1/(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand zwischen Abfluss und Erde))

Emitterspannung im Verhältnis zur Spannungsverstärkung

Gehen Emitterspannung = Kollektorspannung/Spannungsverstärkung

Gesamtspannungsverstärkung des CS-Verstärkers

Gehen Spannungsverstärkung = Lastspannung/Eingangsspannung

Lastspannung des CS-Verstärkers

Gehen Lastspannung = Spannungsverstärkung*Eingangsspannung

< 18 CV-Aktionen gängiger Bühnenverstärker Taschenrechner

Ausgangsspannung des Controlled Source Transistors

Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors

Eingangswiderstand der Common-Base-Schaltung

Gehen Eingangswiderstand = (Emitterwiderstand*(Endlicher Ausgangswiderstand+Lastwiderstand))/(Endlicher Ausgangswiderstand+(Lastwiderstand/(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)))

Ausgangswiderstand des Emitter-degenerierten CE-Verstärkers

Gehen Abflusswiderstand = Endlicher Ausgangswiderstand+(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand)*(1/Emitterwiderstand+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)

Eingangswiderstand des Common-Emitter-Verstärkers bei gegebenem Kleinsignal-Eingangswiderstand

Gehen Eingangswiderstand = (1/Basiswiderstand+1/Basiswiderstand 2+1/(Kleinsignal-Eingangswiderstand+(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)*Emitterwiderstand))^-1

Ausgangswiderstand des CS-Verstärkers mit Quellwiderstand

Gehen Abflusswiderstand = Endlicher Ausgangswiderstand+Quellenwiderstand+(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand*Quellenwiderstand)

Eingangswiderstand des Common-Emitter-Verstärkers bei gegebenem Emitterwiderstand

Gehen Eingangswiderstand = (1/Basiswiderstand+1/Basiswiderstand 2+1/((Totaler Widerstand+Emitterwiderstand)*(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)))^-1

Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*(Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source

Transkonduktanz im Common-Source-Verstärker

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = Einheitsgewinnfrequenz*(Gate-Source-Kapazität+Kapazitäts-Gate zum Drain)

Eingangswiderstand des Verstärkers mit gemeinsamem Emitter

Gehen Eingangswiderstand = (1/Basiswiderstand+1/Basiswiderstand 2+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)^-1

Eingangsimpedanz des Common-Base-Verstärkers

Gehen Eingangsimpedanz = (1/Emitterwiderstand+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)^(-1)

Signalstrom im Emitter bei gegebenem Eingangssignal

Gehen Signalstrom im Emitter = Grundkomponentenspannung/Emitterwiderstand

Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = Kollektorstrom/Grenzspannung

Eingangswiderstand des Common-Collector-Verstärkers

Gehen Eingangswiderstand = Grundkomponentenspannung/Basisstrom

Grundspannung im Common-Emitter-Verstärker

Gehen Grundkomponentenspannung = Eingangswiderstand*Basisstrom

Lastspannung des CS-Verstärkers

Gehen Lastspannung = Spannungsverstärkung*Eingangsspannung

Widerstand des Emitters im Common-Base-Verstärker

Gehen Emitterwiderstand = Eingangsspannung/Emitterstrom

Emitterstrom des Verstärkers in Basisschaltung

Gehen Emitterstrom = Eingangsspannung/Emitterwiderstand

Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors Formel

Was ist eine geregelte Stromquelle?

Eine gesteuerte oder abhängige Stromquelle ändert andererseits ihren verfügbaren Strom in Abhängigkeit von der Spannung über oder dem Strom durch ein anderes Element, das mit der Schaltung verbunden ist. Eine Stromquelle, die von einem Stromeingang abhängt, wird allgemein als Stromgesteuerte Stromquelle oder CCCS bezeichnet.

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