Résistance de sortie du transistor au gain intrinsèque Calculatrice

✖La tension initiale dépend entièrement de la technologie du processus, avec les dimensions de volts par micron. Généralement, V ; se situe dans la plage de 5 V/μm à 50 V/μm.ⓘ Tension précoce [V_a']			+10% -10%
✖Le courant du collecteur est un courant de sortie amplifié d'un transistor à jonction bipolaire.ⓘ Courant du collecteur [i_c]			+10% -10%

✖La résistance de sortie finie est une mesure de la variation de l'impédance de sortie du transistor en fonction des changements dans la tension de sortie.ⓘ Résistance de sortie du transistor au gain intrinsèque [R_out]

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Formule

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Résistance de sortie du transistor au gain intrinsèque

Formule

`"R"_{"out"} = ("V"_{"a"}"'")/"i"_{"c"}`

Exemple

`"0.350455kΩ"="13.85V/m"/"39.52mA"`

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Résistance de sortie du transistor au gain intrinsèque Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Résistance de sortie finie = Tension précoce/Courant du collecteur
R_out = V_a'/i_c
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Résistance de sortie finie - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie finie est une mesure de la variation de l'impédance de sortie du transistor en fonction des changements dans la tension de sortie.
Tension précoce - (Mesuré en Volt par mètre) - La tension initiale dépend entièrement de la technologie du processus, avec les dimensions de volts par micron. Généralement, V ; se situe dans la plage de 5 V/μm à 50 V/μm.
Courant du collecteur - (Mesuré en Ampère) - Le courant du collecteur est un courant de sortie amplifié d'un transistor à jonction bipolaire.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension précoce: 13.85 Volt par mètre --> 13.85 Volt par mètre Aucune conversion requise
Courant du collecteur: 39.52 Milliampère --> 0.03952 Ampère (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

R_out = V_a'/i_c --> 13.85/0.03952

Évaluer ... ...

R_out = 350.455465587045

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

350.455465587045 Ohm -->0.350455465587045 Kilohm (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.350455465587045 ≈ 0.350455 Kilohm <-- Résistance de sortie finie

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 10+ Émetteur suiveur Calculatrices

Résistance de sortie de l'émetteur suiveur

Aller Résistance finie = (1/Résistance à la charge+1/Tension du petit signal+1/Résistance de l'émetteur)+(1/Impédance de base+1/Résistance du signal)/(Gain de courant de base du collecteur+1)

Courant de collecteur dans la région active lorsque le transistor agit comme amplificateur

Aller Courant du collecteur = Courant de saturation*e^(Tension aux bornes de la jonction base-émetteur/Tension de seuil)

Courant de saturation de l'émetteur suiveur

Aller Courant de saturation = Courant du collecteur/e^(Tension aux bornes de la jonction base-émetteur/Tension de seuil)

Résistance d'entrée de l'émetteur suiveur

Aller Résistance d'entrée = 1/(1/Résistance du signal dans la base+1/Résistance de base)

Résistance de base à la jonction de l'émetteur suiveur

Aller Résistance de base = Constante haute fréquence*Résistance de l'émetteur

Résistance totale de l'émetteur de l'émetteur suiveur

Aller Résistance de l'émetteur = Résistance de base/Constante haute fréquence

Résistance de sortie du transistor au gain intrinsèque

Aller Résistance de sortie finie = Tension précoce/Courant du collecteur

Courant collecteur du transistor émetteur-suiveur

Aller Courant du collecteur = Tension précoce/Résistance de sortie finie

Résistance d'entrée de l'amplificateur à transistor

Aller Résistance d'entrée = Entrée amplificateur/Courant d'entrée

Tension d'entrée de l'émetteur suiveur

Aller Tension de l'émetteur = Tension de base-0.7

< 15 Amplificateurs à transistors à plusieurs étages Calculatrices

Gain de tension cascode bipolaire en circuit ouvert

Aller Gain de tension cascode bipolaire = -Transconductance primaire MOSFET*(Transconductance secondaire MOSFET*Résistance de sortie finie)*(1/Résistance de sortie finie du transistor 1+1/Résistance d'entrée de petit signal)^-1

Résistance de sortie de l'émetteur suiveur

Aller Résistance finie = (1/Résistance à la charge+1/Tension du petit signal+1/Résistance de l'émetteur)+(1/Impédance de base+1/Résistance du signal)/(Gain de courant de base du collecteur+1)

Résistance de drainage de l'amplificateur Cascode

Aller Résistance aux fuites = (Gain de tension de sortie/(Transconductance primaire MOSFET^2*Résistance de sortie finie))

Courant de collecteur dans la région active lorsque le transistor agit comme amplificateur

Aller Courant du collecteur = Courant de saturation*e^(Tension aux bornes de la jonction base-émetteur/Tension de seuil)

Courant de saturation de l'émetteur suiveur

Aller Courant de saturation = Courant du collecteur/e^(Tension aux bornes de la jonction base-émetteur/Tension de seuil)

Gain de tension de sortie de l'amplificateur MOS Cascode

Aller Gain de tension de sortie = -Transconductance primaire MOSFET^2*Résistance de sortie finie*Résistance aux fuites

Résistance équivalente de l'amplificateur Cascode

Aller Résistance entre le drain et la terre = (1/Résistance de sortie finie du transistor 1+1/Résistance d'entrée)^-1

Gain de tension négatif de l'amplificateur Cascode

Aller Gain de tension négatif = -(Transconductance primaire MOSFET*Résistance entre le drain et la terre)

Résistance d'entrée de l'émetteur suiveur

Aller Résistance d'entrée = 1/(1/Résistance du signal dans la base+1/Résistance de base)

Résistance de base à la jonction de l'émetteur suiveur

Aller Résistance de base = Constante haute fréquence*Résistance de l'émetteur

Résistance totale de l'émetteur de l'émetteur suiveur

Aller Résistance de l'émetteur = Résistance de base/Constante haute fréquence

Résistance de sortie du transistor au gain intrinsèque

Aller Résistance de sortie finie = Tension précoce/Courant du collecteur

Courant collecteur du transistor émetteur-suiveur

Aller Courant du collecteur = Tension précoce/Résistance de sortie finie

Résistance d'entrée de l'amplificateur à transistor

Aller Résistance d'entrée = Entrée amplificateur/Courant d'entrée

Tension d'entrée de l'émetteur suiveur

Aller Tension de l'émetteur = Tension de base-0.7

Résistance de sortie du transistor au gain intrinsèque Formule

Résistance de sortie finie = Tension précoce/Courant du collecteur
R_out = V_a'/i_c

Qu'est-ce que le gain intrinsèque?

Le gain intrinsèque de la formule BJT est défini comme le gain de tension maximal possible d'un transistor typique, quel que soit le point de polarisation. cela signifie plus, c'est-à-dire le gain maximum d'un amplificateur CE (Common Emitter) en éliminant I

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