Resistenza di uscita del transistor a guadagno intrinseco Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Resistenza di uscita finita = Tensione iniziale/Corrente del collettore
Rout = Va'/ic
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Resistenza di uscita finita - (Misurato in Ohm) - La resistenza di uscita finita è una misura di quanto varia l'impedenza di uscita del transistor al variare della tensione di uscita.
Tensione iniziale - (Misurato in Volt per metro) - La tensione iniziale dipende interamente dalla tecnologia del processo, con le dimensioni di volt per micron. Tipicamente, V; rientra nell'intervallo compreso tra 5 V/μm e 50 V/μm.
Corrente del collettore - (Misurato in Ampere) - La corrente di collettore è una corrente di uscita amplificata di un transistor a giunzione bipolare.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Tensione iniziale: 13.85 Volt per metro --> 13.85 Volt per metro Nessuna conversione richiesta
Corrente del collettore: 39.52 Millampere --> 0.03952 Ampere (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Rout = Va'/ic --> 13.85/0.03952
Valutare ... ...
Rout = 350.455465587045
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
350.455465587045 Ohm -->0.350455465587045 Kilohm (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
0.350455465587045 0.350455 Kilohm <-- Resistenza di uscita finita
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

10+ Seguace dell'emettitore Calcolatrici

Resistenza di uscita dell'emettitore follower
​ Partire Resistenza finita = (1/Resistenza al carico+1/Piccola tensione di segnale+1/Resistenza dell'emettitore)+(1/Impedenza di base+1/Resistenza del segnale)/(Guadagno corrente base del collettore+1)
Corrente del collettore nella regione attiva quando il transistor funge da amplificatore
​ Partire Corrente del collettore = Corrente di saturazione*e^(Tensione attraverso la giunzione base-emettitore/Soglia di voltaggio)
Corrente di saturazione dell'emettitore inseguitore
​ Partire Corrente di saturazione = Corrente del collettore/e^(Tensione attraverso la giunzione base-emettitore/Soglia di voltaggio)
Resistenza di ingresso dell'emettitore follower
​ Partire Resistenza in ingresso = 1/(1/Resistenza del segnale in base+1/Resistenza di base)
Resistenza di base attraverso la giunzione dell'emettitore inseguitore
​ Partire Resistenza di base = Costante ad alta frequenza*Resistenza dell'emettitore
Resistenza totale dell'emettitore dell'emettitore follower
​ Partire Resistenza dell'emettitore = Resistenza di base/Costante ad alta frequenza
Resistenza di ingresso dell'amplificatore a transistor
​ Partire Resistenza in ingresso = Ingresso dell'amplificatore/Corrente in ingresso
Corrente di collettore del transistor follower dell'emettitore
​ Partire Corrente del collettore = Tensione iniziale/Resistenza di uscita finita
Resistenza di uscita del transistor a guadagno intrinseco
​ Partire Resistenza di uscita finita = Tensione iniziale/Corrente del collettore
Tensione di ingresso dell'emettitore follower
​ Partire Tensione dell'emettitore = Tensione di base-0.7

15 Amplificatori a transistor multistadio Calcolatrici

Guadagno di tensione del cascode bipolare a circuito aperto
​ Partire Guadagno di tensione del cascode bipolare = -Transconduttanza primaria MOSFET*(Transconduttanza secondaria MOSFET*Resistenza di uscita finita)*(1/Resistenza di uscita finita del transistor 1+1/Resistenza di ingresso del segnale piccolo)^-1
Resistenza di uscita dell'emettitore follower
​ Partire Resistenza finita = (1/Resistenza al carico+1/Piccola tensione di segnale+1/Resistenza dell'emettitore)+(1/Impedenza di base+1/Resistenza del segnale)/(Guadagno corrente base del collettore+1)
Resistenza di drenaggio dell'amplificatore Cascode
​ Partire Resistenza allo scarico = (Guadagno della tensione di uscita/(Transconduttanza primaria MOSFET^2*Resistenza di uscita finita))
Guadagno della tensione di uscita dell'amplificatore MOS Cascode
​ Partire Guadagno della tensione di uscita = -Transconduttanza primaria MOSFET^2*Resistenza di uscita finita*Resistenza allo scarico
Corrente del collettore nella regione attiva quando il transistor funge da amplificatore
​ Partire Corrente del collettore = Corrente di saturazione*e^(Tensione attraverso la giunzione base-emettitore/Soglia di voltaggio)
Corrente di saturazione dell'emettitore inseguitore
​ Partire Corrente di saturazione = Corrente del collettore/e^(Tensione attraverso la giunzione base-emettitore/Soglia di voltaggio)
Resistenza equivalente dell'amplificatore Cascode
​ Partire Resistenza tra scarico e terra = (1/Resistenza di uscita finita del transistor 1+1/Resistenza in ingresso)^-1
Guadagno di tensione negativo dell'amplificatore Cascode
​ Partire Guadagno di tensione negativo = -(Transconduttanza primaria MOSFET*Resistenza tra scarico e terra)
Resistenza di ingresso dell'emettitore follower
​ Partire Resistenza in ingresso = 1/(1/Resistenza del segnale in base+1/Resistenza di base)
Resistenza di base attraverso la giunzione dell'emettitore inseguitore
​ Partire Resistenza di base = Costante ad alta frequenza*Resistenza dell'emettitore
Resistenza totale dell'emettitore dell'emettitore follower
​ Partire Resistenza dell'emettitore = Resistenza di base/Costante ad alta frequenza
Resistenza di ingresso dell'amplificatore a transistor
​ Partire Resistenza in ingresso = Ingresso dell'amplificatore/Corrente in ingresso
Corrente di collettore del transistor follower dell'emettitore
​ Partire Corrente del collettore = Tensione iniziale/Resistenza di uscita finita
Resistenza di uscita del transistor a guadagno intrinseco
​ Partire Resistenza di uscita finita = Tensione iniziale/Corrente del collettore
Tensione di ingresso dell'emettitore follower
​ Partire Tensione dell'emettitore = Tensione di base-0.7

Resistenza di uscita del transistor a guadagno intrinseco Formula

Resistenza di uscita finita = Tensione iniziale/Corrente del collettore
Rout = Va'/ic

Cos'è il guadagno intrinseco?

Il guadagno intrinseco della formula BJT è definito come il massimo guadagno di tensione possibile di un tipico transistor, indipendentemente dal punto di polarizzazione. significa di più, ovvero il guadagno massimo di un amplificatore CE (Common Emitter) eliminando I

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!