Ausgangswiderstand des Transistors bei Eigenverstärkung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Endlicher Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom
Rout = Va'/ic
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Endlicher Ausgangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der endliche Ausgangswiderstand ist ein Maß dafür, wie stark sich die Ausgangsimpedanz des Transistors bei Änderungen der Ausgangsspannung ändert.
Frühe Spannung - (Gemessen in Volt pro Meter) - Die Frühspannung hängt vollständig von der Prozesstechnologie ab und hat die Größe Volt pro Mikrometer. Typischerweise beträgt V; liegt im Bereich von 5 V/μm bis 50 V/μm.
Kollektorstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Frühe Spannung: 13.85 Volt pro Meter --> 13.85 Volt pro Meter Keine Konvertierung erforderlich
Kollektorstrom: 39.52 Milliampere --> 0.03952 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Rout = Va'/ic --> 13.85/0.03952
Auswerten ... ...
Rout = 350.455465587045
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
350.455465587045 Ohm -->0.350455465587045 Kiloohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.350455465587045 0.350455 Kiloohm <-- Endlicher Ausgangswiderstand
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Credits

Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

10+ Emitter-Folger Taschenrechner

Ausgangswiderstand des Emitterfolgers
Gehen Endlicher Widerstand = (1/Lastwiderstand+1/Kleine Signalspannung+1/Emitterwiderstand)+(1/Basisimpedanz+1/Signalwiderstand)/(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)
Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert
Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)
Sättigungsstrom des Emitterfolgers
Gehen Sättigungsstrom = Kollektorstrom/e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)
Eingangswiderstand des Emitterfolgers
Gehen Eingangswiderstand = 1/(1/Signalwiderstand in der Basis+1/Basiswiderstand)
Ausgangswiderstand des Transistors bei Eigenverstärkung
Gehen Endlicher Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom
Kollektorstrom des Emitterfolger-Transistors
Gehen Kollektorstrom = Frühe Spannung/Endlicher Ausgangswiderstand
Basiswiderstand über den Emitter-Folger-Übergang
Gehen Basiswiderstand = Hochfrequenzkonstante*Emitterwiderstand
Gesamter Emitterwiderstand des Emitterfolgers
Gehen Emitterwiderstand = Basiswiderstand/Hochfrequenzkonstante
Eingangswiderstand des Transistorverstärkers
Gehen Eingangswiderstand = Verstärkereingang/Eingangsstrom
Eingangsspannung des Emitterfolgers
Gehen Emitterspannung = Basisspannung-0.7

15 Mehrstufige Transistorverstärker Taschenrechner

Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung im Leerlauf
Gehen Bipolare Kaskodenspannungsverstärkung = -MOSFET-Primärtranskonduktanz*(MOSFET-Sekundärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand)*(1/Endlicher Ausgangswiderstand von Transistor 1+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)^-1
Ausgangswiderstand des Emitterfolgers
Gehen Endlicher Widerstand = (1/Lastwiderstand+1/Kleine Signalspannung+1/Emitterwiderstand)+(1/Basisimpedanz+1/Signalwiderstand)/(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)
Drain-Widerstand des Kaskodenverstärkers
Gehen Abflusswiderstand = (Ausgangsspannungsverstärkung/(MOSFET-Primärtranskonduktanz^2*Endlicher Ausgangswiderstand))
Verstärkung der Ausgangsspannung des MOS-Kaskodenverstärkers
Gehen Ausgangsspannungsverstärkung = -MOSFET-Primärtranskonduktanz^2*Endlicher Ausgangswiderstand*Abflusswiderstand
Kollektorstrom im aktiven Bereich, wenn der Transistor als Verstärker fungiert
Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)
Sättigungsstrom des Emitterfolgers
Gehen Sättigungsstrom = Kollektorstrom/e^(Spannung an der Basis-Emitter-Verbindung/Grenzspannung)
Äquivalenter Widerstand des Kaskodenverstärkers
Gehen Widerstand zwischen Abfluss und Erde = (1/Endlicher Ausgangswiderstand von Transistor 1+1/Eingangswiderstand)^-1
Negative Spannungsverstärkung des Kaskodenverstärkers
Gehen Negative Spannungsverstärkung = -(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand zwischen Abfluss und Erde)
Eingangswiderstand des Emitterfolgers
Gehen Eingangswiderstand = 1/(1/Signalwiderstand in der Basis+1/Basiswiderstand)
Ausgangswiderstand des Transistors bei Eigenverstärkung
Gehen Endlicher Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom
Kollektorstrom des Emitterfolger-Transistors
Gehen Kollektorstrom = Frühe Spannung/Endlicher Ausgangswiderstand
Basiswiderstand über den Emitter-Folger-Übergang
Gehen Basiswiderstand = Hochfrequenzkonstante*Emitterwiderstand
Gesamter Emitterwiderstand des Emitterfolgers
Gehen Emitterwiderstand = Basiswiderstand/Hochfrequenzkonstante
Eingangswiderstand des Transistorverstärkers
Gehen Eingangswiderstand = Verstärkereingang/Eingangsstrom
Eingangsspannung des Emitterfolgers
Gehen Emitterspannung = Basisspannung-0.7

Ausgangswiderstand des Transistors bei Eigenverstärkung Formel

Endlicher Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom
Rout = Va'/ic

Was ist intrinsischer Gewinn?

Die Eigenverstärkung der BJT-Formel ist definiert als die maximal mögliche Spannungsverstärkung eines typischen Transistors, unabhängig vom Vorspannungspunkt. es bedeutet mehr, das ist die maximale Verstärkung eines CE-Verstärkers (Common Emitter) durch Eliminieren von I.

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