Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET bei Gleichtaktsignal Taschenrechner

✖Der Ausgangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand einer elektronischen Schaltung gegenüber dem Stromfluss, wenn eine Last an ihren Ausgang angeschlossen ist.ⓘ Ausgangswiderstand [R_out]			+10% -10%
✖Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.ⓘ Steilheit [g_m]			+10% -10%
✖Ein Gleichtakt-Eingangssignal ist eine Art elektrisches Signal, das an beiden Eingangsanschlüssen eines Differenzverstärkers gleichermaßen auftritt.ⓘ Gleichtakt-Eingangssignal [V_cin]			+10% -10%

✖Die Drain-Spannung Q2 ist die Spannung, die am Drain-Anschluss eines Transistors Q2 in der Differenzschaltung abgenommen wird.ⓘ Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET bei Gleichtaktsignal [v_o2]

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Formel

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Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET bei Gleichtaktsignal

Formel

`"v"_{"o2"} = -("R"_{"out"}/((1/"g"_{"m"})+2*"R"_{"out"}))*"V"_{"cin"}`

Beispiel

`"-34.65V"=-("4.5kΩ"/((1/"0.5mS")+2*"4.5kΩ"))*"84.7V"`

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Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET bei Gleichtaktsignal Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Drain-Spannung Q2 = -(Ausgangswiderstand/((1/Steilheit)+2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal
v_o2 = -(R_out/((1/g_m)+2*R_out))*V_cin
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Drain-Spannung Q2 - (Gemessen in Volt) - Die Drain-Spannung Q2 ist die Spannung, die am Drain-Anschluss eines Transistors Q2 in der Differenzschaltung abgenommen wird.
Ausgangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Ausgangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand einer elektronischen Schaltung gegenüber dem Stromfluss, wenn eine Last an ihren Ausgang angeschlossen ist.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Gleichtakt-Eingangssignal - (Gemessen in Volt) - Ein Gleichtakt-Eingangssignal ist eine Art elektrisches Signal, das an beiden Eingangsanschlüssen eines Differenzverstärkers gleichermaßen auftritt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Ausgangswiderstand: 4.5 Kiloohm --> 4500 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Steilheit: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gleichtakt-Eingangssignal: 84.7 Volt --> 84.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

v_o2 = -(R_out/((1/g_m)+2*R_out))*V_cin --> -(4500/((1/0.0005)+2*4500))*84.7

Auswerten ... ...

v_o2 = -34.65

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

-34.65 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

-34.65 Volt <-- Drain-Spannung Q2

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

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Leitfähigkeit des Kanals des MOSFET unter Verwendung der Gate-Source-Spannung

Gehen Leitfähigkeit des Kanals = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite/Kanallänge*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)

Gemeinsame Gate-Ausgangsspannung

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Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET bei Gleichtaktsignal

Gehen Drain-Spannung Q1 = -Ausgangswiderstand*(Steilheit*Gleichtakt-Eingangssignal)/(1+(2*Steilheit*Ausgangswiderstand))

Eingangs-Gate-Source-Spannung

Gehen Kritische Spannung = (Widerstand des Eingangsverstärkers/(Widerstand des Eingangsverstärkers+Äquivalenter Quellenwiderstand))*Eingangsspannung

Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET bei Gleichtaktsignal

Gehen Drain-Spannung Q2 = -(Ausgangswiderstand/((1/Steilheit)+2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal

Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom

Gehen Gate-Source-Spannung = Eingangsstrom/(Winkelfrequenz*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))

Positive Spannung bei gegebenem Geräteparameter im MOSFET

Gehen Eingangsstrom = Gate-Source-Spannung*(Winkelfrequenz*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))

Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert

Gehen Steilheit = Gesamtstrom/(Gleichtakt-Eingangssignal-(2*Gesamtstrom*Ausgangswiderstand))

Inkrementelles Spannungssignal des Differenzverstärkers

Gehen Gleichtakt-Eingangssignal = (Gesamtstrom/Steilheit)+(2*Gesamtstrom*Ausgangswiderstand)

Spannung am Drain Q1 des MOSFET

Gehen Ausgangsspannung = -(Gesamtlastwiderstand des MOSFET/(2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal

Spannung am Drain Q2 im MOSFET

Gehen Ausgangsspannung = -(Gesamtlastwiderstand des MOSFET/(2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal

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Schwellenspannung, wenn MOSFET als Verstärker fungiert

Gehen Grenzspannung = Gate-Source-Spannung-Effektive Spannung

Schwellenspannung des MOSFET

Gehen Grenzspannung = Gate-Source-Spannung-Effektive Spannung

Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET

Gehen Drain-Spannung Q1 = -(Ausgangswiderstand*Gesamtstrom)

Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET

Gehen Drain-Spannung Q2 = -(Ausgangswiderstand*Gesamtstrom)

Overdrive-Spannung

Gehen Overdrive-Spannung = (2*Stromverbrauch)/Steilheit

Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET bei Gleichtaktsignal Formel

Drain-Spannung Q2 = -(Ausgangswiderstand/((1/Steilheit)+2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal
v_o2 = -(R_out/((1/g_m)+2*R_out))*V_cin

Was macht die Gleichtaktunterdrückung?

Gleichtaktunterdrückung ist die Fähigkeit des Differenzverstärkers (der als Signalaufbereitungsvorverstärker zwischen dem Oszilloskop und den Sonden sitzt), die Gleichtaktspannung vom Ausgang zu entfernen. Mit steigenden Signalfrequenzen verschlechtert sich jedoch das CMRR.

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