Tension de sortie donnée Transconductance Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Tension de sortie = -(Transconductance*Résistance de charge*Tension d'entrée)
Vo = -(Gm*RL*Vin)
Cette formule utilise 4 Variables
Variables utilisées
Tension de sortie - (Mesuré en Volt) - La tension de sortie signifie la tension du signal après qu'il a été amplifié.
Transconductance - (Mesuré en Siemens) - La transconductance est le rapport de la variation du courant à la borne de sortie à la variation de la tension à la borne d'entrée d'un dispositif actif.
Résistance de charge - (Mesuré en Ohm) - La résistance de charge est la résistance ou l'impédance externe qui est connectée à la sortie d'un circuit ou d'un appareil, et elle est utilisée pour extraire l'alimentation ou le signal du circuit.
Tension d'entrée - (Mesuré en Volt) - La tension d'entrée est la tension fournie à l'appareil.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Transconductance: 1.72 millisiemens --> 0.00172 Siemens (Vérifiez la conversion ​ici)
Résistance de charge: 4 Kilohm --> 4000 Ohm (Vérifiez la conversion ​ici)
Tension d'entrée: 2.5 Volt --> 2.5 Volt Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Vo = -(Gm*RL*Vin) --> -(0.00172*4000*2.5)
Évaluer ... ...
Vo = -17.2
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
-17.2 Volt --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
-17.2 Volt <-- Tension de sortie
(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Anshika Arya
Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur
Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

12 Tension Calculatrices

Tension d'entrée finie de BJT à une fréquence de gain unitaire donnée Variable de fréquence complexe
​ Aller Tension d'entrée = Courant de base/((1/Résistance d'entrée)+Variable de fréquence complexe*(Capacité de jonction collecteur-base+Capacité de jonction base-émetteur))
Tension aux bornes du collecteur-émetteur de l'amplificateur BJT
​ Aller Tension collecteur-émetteur = Tension d'alimentation-Résistance de charge*Courant de saturation*e^(Tension base-émetteur/Tension de seuil)
Tension d'entrée finie de BJT à la fréquence de gain unitaire
​ Aller Tension d'entrée = Courant de base*(1/Résistance d'entrée+1/Capacité de jonction collecteur-base+1/Capacité émetteur-base)
Composant unique de la tension de drain compte tenu de la transconductance
​ Aller Tension de drain instantanée totale = -Transconductance*Tension d'entrée*Résistance de charge
Tension de sortie de l'amplificateur BJT
​ Aller Tension de sortie = Tension d'alimentation-Courant de vidange*Résistance de charge
Tension de sortie donnée Transconductance
​ Aller Tension de sortie = -(Transconductance*Résistance de charge*Tension d'entrée)
Tension entre la porte et la source
​ Aller Tension porte à source = Tension d'entrée/(1+Transconductance*Résistance)
Tension d'entrée de petit signal donnée Transconductance
​ Aller Petit Signal = Tension d'entrée*(1/(1+Transconductance*Résistance))
Composante unique de la tension de drain
​ Aller Tension de drain instantanée totale = (-Modification du courant de drain*Résistance de charge)
Tension du collecteur à l'émetteur à saturation
​ Aller Tension collecteur-émetteur = Tension base-émetteur-Tension base-collecteur
Tension porte-source instantanée totale
​ Aller Tension porte à source = Petit Signal+Tension aux bornes de l'oxyde
Tension d'alimentation à la dissipation de puissance maximale
​ Aller Tension d'alimentation = (pi*Pouvoir)/2

Tension de sortie donnée Transconductance Formule

Tension de sortie = -(Transconductance*Résistance de charge*Tension d'entrée)
Vo = -(Gm*RL*Vin)

Comment fonctionne un transistor à jonction?

Supposons maintenant que nous utilisions trois couches de silicium dans notre sandwich au lieu de deux. On peut soit faire un sandwich pnp (avec une tranche de silicium de type n comme remplissage entre deux tranches de type p) soit un sandwich npn (avec le type p entre les deux dalles de type n). Si nous joignons des contacts électriques aux trois couches du sandwich, nous pouvons fabriquer un composant qui amplifiera un courant ou l'allumera ou l'éteindra - en d'autres termes, un transistor.

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