Vitesse de dérive des électrons du canal dans le transistor NMOS Calculatrice

✖La mobilité des électrons à la surface du canal fait référence à la capacité des électrons à se déplacer ou à conduire dans la couche de surface d'un matériau lorsqu'ils sont soumis à un champ électrique.ⓘ Mobilité des électrons à la surface du canal [μ_n]			+10% -10%
✖Le champ électrique sur toute la longueur du canal est la force par unité de charge qu'une particule subit lorsqu'elle se déplace dans le canal.ⓘ Champ électrique sur toute la longueur du canal [E_L]			+10% -10%

✖La vitesse de dérive des électrons est due au champ électrique qui, à son tour, fait dériver les électrons du canal vers le drain avec une certaine vitesse.ⓘ Vitesse de dérive des électrons du canal dans le transistor NMOS [v_d]

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Formule

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Vitesse de dérive des électrons du canal dans le transistor NMOS

Formule

`"v"_{"d"} = "μ"_{"n"}*"E"_{"L"}`

Exemple

`"23.32m/s"="2.2m²/V*s"*"10.6V"`

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Vitesse de dérive des électrons du canal dans le transistor NMOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Vitesse de dérive des électrons = Mobilité des électrons à la surface du canal*Champ électrique sur toute la longueur du canal
v_d = μ_n*E_L
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Vitesse de dérive des électrons - (Mesuré en Mètre par seconde) - La vitesse de dérive des électrons est due au champ électrique qui, à son tour, fait dériver les électrons du canal vers le drain avec une certaine vitesse.
Mobilité des électrons à la surface du canal - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité des électrons à la surface du canal fait référence à la capacité des électrons à se déplacer ou à conduire dans la couche de surface d'un matériau lorsqu'ils sont soumis à un champ électrique.
Champ électrique sur toute la longueur du canal - (Mesuré en Volt) - Le champ électrique sur toute la longueur du canal est la force par unité de charge qu'une particule subit lorsqu'elle se déplace dans le canal.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Mobilité des électrons à la surface du canal: 2.2 Mètre carré par volt par seconde --> 2.2 Mètre carré par volt par seconde Aucune conversion requise
Champ électrique sur toute la longueur du canal: 10.6 Volt --> 10.6 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

v_d = μ_n*E_L --> 2.2*10.6

Évaluer ... ...

v_d = 23.32

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

23.32 Mètre par seconde --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

23.32 Mètre par seconde <-- Vitesse de dérive des électrons

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 17 Amélioration du canal N Calculatrices

Courant entrant dans la source de drain dans la région triode de NMOS

Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*((Tension de source de grille-Tension de seuil)*Tension de source de drain-1/2*(Tension de source de drain)^2)

Courant entrant dans la borne de drain du NMOS étant donné la tension de source de grille

Effet corporel dans NMOS

Aller Changement de tension de seuil = Tension de seuil+Paramètre de processus de fabrication*(sqrt(2*Paramètre physique+Tension entre le corps et la source)-sqrt(2*Paramètre physique))

Courant entrant dans la borne de drain de NMOS

Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*Tension de source de drain*(Tension de surcharge en NMOS-1/2*Tension de source de drain)

NMOS comme résistance linéaire

Aller Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil))

Courant de drainage lorsque NMOS fonctionne comme source de courant contrôlée en tension

Aller Courant de drain dans NMOS = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil)^2

Courant entrant dans la source de drain dans la région de saturation de NMOS

Aller Courant de drain dans NMOS = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil)^2

Paramètre de processus de fabrication de NMOS

Aller Paramètre de processus de fabrication = sqrt(2*[Charge-e]*Concentration de dopage du substrat P*[Permitivity-vacuum])/Capacité d'oxyde

Courant entrant dans la source de drain dans la région de saturation de NMOS étant donné la tension effective

Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de surcharge en NMOS)^2

Courant entrant dans la source de drain à la limite de la saturation et de la région triode de NMOS

Aller Courant de drain dans NMOS = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de source de drain)^2

Vitesse de dérive des électrons du canal dans le transistor NMOS

Aller Vitesse de dérive des électrons = Mobilité des électrons à la surface du canal*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Puissance totale fournie en NMOS

Aller Alimentation fournie = Tension d'alimentation*(Courant de drain dans NMOS+Actuel)

Résistance de sortie de la source de courant NMOS donnée Drain Current

Aller Résistance de sortie = Paramètre de l'appareil/Courant de drain sans modulation de longueur de canal

Le courant de drain donné NMOS fonctionne comme une source de courant commandée en tension

Aller Paramètre de transconductance = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect

Puissance totale dissipée dans NMOS

Aller Puissance dissipée = Courant de drain dans NMOS^2*Résistance du canal ON

Tension positive donnée Longueur de canal en NMOS

Aller Tension = Paramètre de l'appareil*Longueur du canal

Capacité d'oxyde de NMOS

Aller Capacité d'oxyde = (3.45*10^(-11))/Épaisseur d'oxyde

Vitesse de dérive des électrons du canal dans le transistor NMOS Formule

Vitesse de dérive des électrons = Mobilité des électrons à la surface du canal*Champ électrique sur toute la longueur du canal
v_d = μ_n*E_L

Expliquez le fonctionnement du transistor NMOS.

Un transistor NMOS avec la tension aux bornes de la source de gaz> tension de seuil et avec une petite tension entre le drain et la source appliquée. L'appareil agit comme une résistance dont la valeur est déterminée par la tension aux bornes de la source de gaz. Plus précisément, la conductance du canal est proportionnelle à la tension aux bornes de la source de gaz - tension de seuil, et donc Id est proportionnelle à la tension (tension aux bornes de la source de gaz - tension de seuil) entre le drain et la source

Qu'est-ce que la mobilité de l'électron dans le canal?

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