Taux de génération thermique Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Génération thermique = Proportionnalité pour la recombinaison*(Concentration de transporteur intrinsèque^2)
TG = αr*(ni^2)
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Génération thermique - Taux de recombinaison de génération thermique qui sont équilibrés de sorte que la densité nette des porteurs de charge reste constante.
Proportionnalité pour la recombinaison - (Mesuré en Mètre cube par seconde) - La proportionnalité pour la recombinaison est désignée par le symbole αr.
Concentration de transporteur intrinsèque - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration de porteurs intrinsèques est utilisée pour décrire la concentration de porteurs de charge (électrons et trous) dans un matériau semi-conducteur intrinsèque ou non dopé à l'équilibre thermique.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Proportionnalité pour la recombinaison: 1.2E-06 Mètre cube par seconde --> 1.2E-06 Mètre cube par seconde Aucune conversion requise
Concentration de transporteur intrinsèque: 270000000 1 par mètre cube --> 270000000 1 par mètre cube Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
TG = αr*(ni^2) --> 1.2E-06*(270000000^2)
Évaluer ... ...
TG = 87480000000
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
87480000000 --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
87480000000 8.7E+10 <-- Génération thermique
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

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Créé par Vidyashree V
Collège d'ingénierie BMS (BMSCE), Bangalore
Vidyashree V a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!
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Vérifié par Rachita C
Collège d'ingénierie BMS (BMSCE), Bangloré
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20 Bande d'énergie Calculatrices

Concentration de transporteur intrinsèque
​ Aller Concentration de transporteur intrinsèque = sqrt(Densité effective d'état dans la bande de Valence*Densité effective d'état dans la bande de conduction)*exp(-Déficit énergétique/(2*[BoltZ]*Température))
Durée de vie du transporteur
​ Aller Durée de vie du transporteur = 1/(Proportionnalité pour la recombinaison*(Concentration de trous dans la bande de cantonnière+Concentration d'électrons dans la bande de conduction))
Concentration d'électrons à l'état d'équilibre
​ Aller Concentration de transporteur à l'état d'équilibre = Concentration d'électrons dans la bande de conduction+Concentration excessive de porteurs
Énergie de l'électron étant donné la constante de Coulomb
​ Aller Énergie de l'électron = (Nombre quantique^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Longueur potentielle du puits^2)
Durée de vie de la recombinaison
​ Aller Durée de vie de la recombinaison = (Proportionnalité pour la recombinaison*Concentration de trous dans la bande de cantonnière)^-1
Concentration dans la bande de conduction
​ Aller Concentration d'électrons dans la bande de conduction = Densité effective d'état dans la bande de conduction*Fonction de Fermi
Densité effective d'état
​ Aller Densité effective d'état dans la bande de conduction = Concentration d'électrons dans la bande de conduction/Fonction de Fermi
Fonction Fermi
​ Aller Fonction de Fermi = Concentration d'électrons dans la bande de conduction/Densité effective d'état dans la bande de conduction
État de densité efficace dans la bande de Valence
​ Aller Densité effective d'état dans la bande de Valence = Concentration de trous dans la bande de cantonnière/(1-Fonction de Fermi)
Concentration de trous dans la bande de Valence
​ Aller Concentration de trous dans la bande de cantonnière = Densité effective d'état dans la bande de Valence*(1-Fonction de Fermi)
Coefficient de distribution
​ Aller Coefficient de répartition = Concentration d'impuretés dans le solide/Concentration d'impuretés dans le liquide
Concentration liquide
​ Aller Concentration d'impuretés dans le liquide = Concentration d'impuretés dans le solide/Coefficient de répartition
Taux net de changement dans la bande de conduction
​ Aller Proportionnalité pour la recombinaison = Génération thermique/(Concentration de transporteur intrinsèque^2)
Taux de génération thermique
​ Aller Génération thermique = Proportionnalité pour la recombinaison*(Concentration de transporteur intrinsèque^2)
Concentration excessive de porteurs
​ Aller Concentration excessive de porteurs = Taux de génération optique*Durée de vie de la recombinaison
Taux de génération optique
​ Aller Taux de génération optique = Concentration excessive de porteurs/Durée de vie de la recombinaison
Énergie de la bande de Valence
​ Aller Énergie de la bande de Valence = Énergie de bande de conduction-Déficit énergétique
Énergie de bande de conduction
​ Aller Énergie de bande de conduction = Déficit énergétique+Énergie de la bande de Valence
Déficit énergétique
​ Aller Déficit énergétique = Énergie de bande de conduction-Énergie de la bande de Valence
Énergie photoélectronique
​ Aller Énergie photoélectronique = [hP]*Fréquence de la lumière incidente

Taux de génération thermique Formule

Génération thermique = Proportionnalité pour la recombinaison*(Concentration de transporteur intrinsèque^2)
TG = αr*(ni^2)

Qu'est-ce que la recombinaison ?

Le processus d’annihilation des électrons et des trous est connu sous le nom de recombinaison. Si l'énergie libérée par recombinaison se présente sous la forme d'un photon, le processus est appelé recombinaison radiative et est plus courant pour les électrons se déplaçant complètement de la bande de conduction à la bande de valence.

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