Tasso di generazione termica Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Generazione termica = Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione portante intrinseca^2)
TG = αr*(ni^2)
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Generazione termica - Tassi di ricombinazione della generazione termica bilanciati in modo che la densità netta del portatore di carica rimanga costante.
Proporzionalità per la ricombinazione - (Misurato in Metro cubo al secondo) - La proporzionalità per la ricombinazione è indicata dal simbolo αr.
Concentrazione portante intrinseca - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione portante intrinseca viene utilizzata per descrivere la concentrazione di portatori di carica (elettroni e lacune) in un materiale semiconduttore intrinseco o non drogato all'equilibrio termico.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Proporzionalità per la ricombinazione: 1.2E-06 Metro cubo al secondo --> 1.2E-06 Metro cubo al secondo Nessuna conversione richiesta
Concentrazione portante intrinseca: 270000000 1 per metro cubo --> 270000000 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
TG = αr*(ni^2) --> 1.2E-06*(270000000^2)
Valutare ... ...
TG = 87480000000
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
87480000000 --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
87480000000 8.7E+10 <-- Generazione termica
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Vidyashree V
BMS College of Engineering (BMSCE), Bangalore
Vidyashree V ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Rachita C
BMS College of Engineering (BMSCE), Banglore
Rachita C ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

20 Banda Energetica Calcolatrici

Concentrazione portante intrinseca
​ Partire Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Densità di stato effettiva in banda di valenza*Densità di stato effettiva in banda di conduzione)*exp(-Divario Energetico/(2*[BoltZ]*Temperatura))
Carrier Lifetime
​ Partire Vettore a vita = 1/(Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione dei buchi nella banda di Valance+Concentrazione elettronica in banda di conduzione))
Concentrazione di elettroni in stato stazionario
​ Partire Concentrazione di portatori di stato stazionario = Concentrazione elettronica in banda di conduzione+Concentrazione in eccesso di portatori
Energia dell'elettrone data la costante di Coulomb
​ Partire Energia dell'elettrone = (Numero quantico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Lunghezza potenziale del pozzo^2)
Concentrazione in banda di conduzione
​ Partire Concentrazione elettronica in banda di conduzione = Densità di stato effettiva in banda di conduzione*Funzione di Fermi
Densità effettiva di stato
​ Partire Densità di stato effettiva in banda di conduzione = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Funzione di Fermi
Funzione di Fermi
​ Partire Funzione di Fermi = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Densità di stato effettiva in banda di conduzione
Concentrazione dei buchi nella banda di valenza
​ Partire Concentrazione dei buchi nella banda di Valance = Densità di stato effettiva in banda di valenza*(1-Funzione di Fermi)
Stato di Densità Efficace in Banda di Valenza
​ Partire Densità di stato effettiva in banda di valenza = Concentrazione dei buchi nella banda di Valance/(1-Funzione di Fermi)
Ricombinazione a vita
​ Partire Ricombinazione a vita = (Proporzionalità per la ricombinazione*Concentrazione dei buchi nella banda di Valance)^-1
Coefficiente di distribuzione
​ Partire Coefficiente di distribuzione = Concentrazione di impurità nel solido/Concentrazione di impurità nel liquido
Concentrazione liquida
​ Partire Concentrazione di impurità nel liquido = Concentrazione di impurità nel solido/Coefficiente di distribuzione
Tasso netto di variazione della banda di conduzione
​ Partire Proporzionalità per la ricombinazione = Generazione termica/(Concentrazione portante intrinseca^2)
Tasso di generazione termica
​ Partire Generazione termica = Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione portante intrinseca^2)
Eccessiva concentrazione del vettore
​ Partire Concentrazione in eccesso di portatori = Velocità di generazione ottica*Ricombinazione a vita
Velocità di generazione ottica
​ Partire Velocità di generazione ottica = Concentrazione in eccesso di portatori/Ricombinazione a vita
Energia della banda di conduzione
​ Partire Energia della banda di conduzione = Divario Energetico+Energia della banda di valenza
Energia della banda di valenza
​ Partire Energia della banda di valenza = Energia della banda di conduzione-Divario Energetico
Divario energetico
​ Partire Divario Energetico = Energia della banda di conduzione-Energia della banda di valenza
Energia fotoelettronica
​ Partire Energia fotoelettronica = [hP]*Frequenza della luce incidente

Tasso di generazione termica Formula

Generazione termica = Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione portante intrinseca^2)
TG = αr*(ni^2)

Cos'è la ricombinazione?

Il processo di annichilazione di elettroni e lacune è noto come ricombinazione. Se l'energia rilasciata attraverso la ricombinazione è sotto forma di fotone, il processo è noto come ricombinazione radiativa ed è più comune per gli elettroni che si spostano completamente dalla banda di conduzione alla banda di valenza.

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