Thermische generatiesnelheid Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

✖Proportionaliteit voor recombinatie wordt aangegeven met het symbool αr.ⓘ Evenredigheid voor recombinatie [α_r]			+10% -10%
✖Intrinsieke draaggolfconcentratie wordt gebruikt om de concentratie van ladingsdragers (elektronen en gaten) in een intrinsiek of ongedoteerd halfgeleidermateriaal bij thermisch evenwicht te beschrijven.ⓘ Intrinsieke dragerconcentratie [n_i]			+10% -10%

✖Thermische generatie recombinatiesnelheden die zo gebalanceerd zijn dat de netto ladingsdragerdichtheid constant blijft.ⓘ Thermische generatiesnelheid [TG]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Thermische generatiesnelheid

Formule

`"TG" = "α"_{"r"}*("n"_{"i"}^2)`

Voorbeeld

`"8.7E^10"="1.2e-6m³/s"*(("2.7e8/m³")^2)`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Energieband Formules Pdf PDF Image

Thermische generatiesnelheid Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Thermische generatie = Evenredigheid voor recombinatie*(Intrinsieke dragerconcentratie^2)
TG = α_r*(n_i^2)
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Thermische generatie - Thermische generatie recombinatiesnelheden die zo gebalanceerd zijn dat de netto ladingsdragerdichtheid constant blijft.
Evenredigheid voor recombinatie - (Gemeten in Kubieke meter per seconde) - Proportionaliteit voor recombinatie wordt aangegeven met het symbool αr.
Intrinsieke dragerconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Intrinsieke draaggolfconcentratie wordt gebruikt om de concentratie van ladingsdragers (elektronen en gaten) in een intrinsiek of ongedoteerd halfgeleidermateriaal bij thermisch evenwicht te beschrijven.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Evenredigheid voor recombinatie: 1.2E-06 Kubieke meter per seconde --> 1.2E-06 Kubieke meter per seconde Geen conversie vereist
Intrinsieke dragerconcentratie: 270000000 1 per kubieke meter --> 270000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

TG = α_r*(n_i^2) --> 1.2E-06*(270000000^2)

Evalueren ... ...

TG = 87480000000

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

87480000000 --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

87480000000 ≈ 8.7E+10 <-- Thermische generatie

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Solid State-apparaten » Energieband » Thermische generatiesnelheid

Credits

Gemaakt door Vidyashree V

BMS College of Engineering (BMSCE), Bangalore

Vidyashree V heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Rachita C

BMS College of Engineering (BMSCE), Banglore

Rachita C heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 20 Energieband Rekenmachines

Intrinsieke dragerconcentratie

Gaan Intrinsieke dragerconcentratie = sqrt(Effectieve staatsdichtheid in valentieband*Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband)*exp(-Energie kloof/(2*[BoltZ]*Temperatuur))

Levensduur van de drager

Gaan Levensduur vervoerder = 1/(Evenredigheid voor recombinatie*(Gaten Concentratie in Valance Band+Elektronenconcentratie in geleidingsband))

Energie van Electron gegeven Coulomb's Constante

Gaan Energie van Electron = (Kwantum nummer^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Potentiële putlengte^2)

Constante elektronenconcentratie

Gaan Steady State Carrier-concentratie = Elektronenconcentratie in geleidingsband+Overmatige dragerconcentratie

Distributiecoëfficiënt

Gaan Verdelingscoëfficiënt = Onzuiverheidsconcentratie in vaste stof/Onzuiverheidsconcentratie in vloeistof

Vloeistofconcentratie

Gaan Onzuiverheidsconcentratie in vloeistof = Onzuiverheidsconcentratie in vaste stof/Verdelingscoëfficiënt

Concentratie in geleidingsband

Gaan Elektronenconcentratie in geleidingsband = Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband*Fermi-functie

Effectieve staatsdichtheid

Gaan Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband = Elektronenconcentratie in geleidingsband/Fermi-functie

Fermi-functie

Gaan Fermi-functie = Elektronenconcentratie in geleidingsband/Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband

Effectieve dichtheidstoestand in valentieband

Gaan Effectieve staatsdichtheid in valentieband = Gaten Concentratie in Valance Band/(1-Fermi-functie)

Concentratie van gaten in de valentieband

Gaan Gaten Concentratie in Valance Band = Effectieve staatsdichtheid in valentieband*(1-Fermi-functie)

Recombinatielevensduur

Gaan Levensduur recombinatie = (Evenredigheid voor recombinatie*Gaten Concentratie in Valance Band)^-1

Netto veranderingssnelheid in geleidingsband

Gaan Evenredigheid voor recombinatie = Thermische generatie/(Intrinsieke dragerconcentratie^2)

Thermische generatiesnelheid

Gaan Thermische generatie = Evenredigheid voor recombinatie*(Intrinsieke dragerconcentratie^2)

Overmatige dragerconcentratie

Gaan Overmatige dragerconcentratie = Optische generatiesnelheid*Levensduur recombinatie

Optische generatiesnelheid

Gaan Optische generatiesnelheid = Overmatige dragerconcentratie/Levensduur recombinatie

Foto-elektronen energie

Gaan Foto-elektronen energie = [hP]*Frequentie van invallend licht

Geleidingsband energie

Gaan Geleidingsband energie = Energie kloof+Valentieband energie

Valentieband energie

Gaan Valentieband energie = Geleidingsband energie-Energie kloof

Energiekloof

Gaan Energie kloof = Geleidingsband energie-Valentieband energie

Thermische generatiesnelheid Formule

Thermische generatie = Evenredigheid voor recombinatie*(Intrinsieke dragerconcentratie^2)
TG = α_r*(n_i^2)

Wat is recombinatie?

Het proces van elektronen- en gatenvernietiging staat bekend als recombinatie. Als de energie die vrijkomt bij recombinatie de vorm heeft van een foton, staat het proces bekend als stralingsrecombinatie en komt het meest voor bij elektronen die volledig van de geleidingsband naar de valentieband bewegen.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!