Tension de drain instantanée totale Calculatrice

✖La tension du composant fondamental est la première harmonique de la tension dans l'analyse harmonique de l'onde carrée de tension dans un circuit basé sur un onduleur.ⓘ Tension des composants fondamentaux [V_fc]			+10% -10%
✖La résistance de drain est le rapport entre la variation de la tension drain-source et la variation correspondante du courant de drain pour une tension grille-source constante.ⓘ Résistance aux fuites [R_d]			+10% -10%
✖Le courant de drain inférieur à la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de façon exponentielle avec la tension grille-source.ⓘ Courant de vidange [i_d]			+10% -10%

✖La tension de drain instantanée totale est la tension qui tombe aux bornes grille-source du transistor.ⓘ Tension de drain instantanée totale [V_d]

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Formule

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Tension de drain instantanée totale

Formule

`"V"_{"d"} = "V"_{"fc"}-"R"_{"d"}*"i"_{"d"}`

Exemple

`"-1.3V"="5V"-"0.36kΩ"*"17.5mA"`

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Tension de drain instantanée totale Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension de vidange instantanée totale = Tension des composants fondamentaux-Résistance aux fuites*Courant de vidange
V_d = V_fc-R_d*i_d
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Tension de vidange instantanée totale - (Mesuré en Volt) - La tension de drain instantanée totale est la tension qui tombe aux bornes grille-source du transistor.
Tension des composants fondamentaux - (Mesuré en Volt) - La tension du composant fondamental est la première harmonique de la tension dans l'analyse harmonique de l'onde carrée de tension dans un circuit basé sur un onduleur.
Résistance aux fuites - (Mesuré en Ohm) - La résistance de drain est le rapport entre la variation de la tension drain-source et la variation correspondante du courant de drain pour une tension grille-source constante.
Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain inférieur à la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de façon exponentielle avec la tension grille-source.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension des composants fondamentaux: 5 Volt --> 5 Volt Aucune conversion requise
Résistance aux fuites: 0.36 Kilohm --> 360 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Courant de vidange: 17.5 Milliampère --> 0.0175 Ampère (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_d = V_fc-R_d*i_d --> 5-360*0.0175

Évaluer ... ...

V_d = -1.3

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

-1.3 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

-1.3 Volt <-- Tension de vidange instantanée totale

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Prahalad Singh

Collège d'ingénierie et centre de recherche de Jaipur (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh a validé cette calculatrice et 10+ autres calculatrices!

< 18 Caractéristiques de l'amplificateur à transistor Calculatrices

Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde

Aller Courant de sortie = (Mobilité de l'électron*Capacité d'oxyde*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil))*Tension de saturation entre drain et source

Tension efficace globale de la transconductance MOSFET

Aller Tension efficace = sqrt(2*Courant de drainage de saturation/(Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)))

Courant entrant dans la borne de drain du MOSFET à saturation

Aller Courant de drainage de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension efficace)^2

Tension d'entrée donnée Tension du signal

Aller Tension des composants fondamentaux = (Résistance d'entrée finie/(Résistance d'entrée finie+Résistance du signal))*Tension du petit signal

Paramètre de transconductance du transistor MOS

Aller Paramètre de transconductance = Courant de vidange/((Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source)

Courant de drain instantané utilisant la tension entre le drain et la source

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source

Courant de drain du transistor

Aller Courant de vidange = (Tension des composants fondamentaux+Tension de vidange instantanée totale)/Résistance aux fuites

Tension de drain instantanée totale

Aller Tension de vidange instantanée totale = Tension des composants fondamentaux-Résistance aux fuites*Courant de vidange

Tension d'entrée dans le transistor

Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance aux fuites*Courant de vidange-Tension de vidange instantanée totale

Transconductance des amplificateurs à transistors

Aller Transconductance primaire MOSFET = (2*Courant de vidange)/(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)

Courant de signal dans l'émetteur donné Signal d'entrée

Aller Courant de signal dans l'émetteur = Tension des composants fondamentaux/Résistance de l'émetteur

Transconductance utilisant le courant de collecteur de l'amplificateur à transistor

Aller Transconductance primaire MOSFET = Courant du collecteur/Tension de seuil

Résistance d'entrée de l'amplificateur à collecteur commun

Aller Résistance d'entrée = Tension des composants fondamentaux/Courant de base

Gain de courant continu de l'amplificateur

Aller Gain de courant continu = Courant du collecteur/Courant de base

Résistance de sortie du circuit de porte commun compte tenu de la tension de test

Aller Résistance de sortie finie = Tension d'essai/Courant d'essai

Entrée amplificateur de l'amplificateur à transistor

Aller Entrée amplificateur = Résistance d'entrée*Courant d'entrée

Courant de test de l'amplificateur à transistor

Aller Courant d'essai = Tension d'essai/Résistance d'entrée

Résistance d'entrée du circuit à porte commune

Aller Résistance d'entrée = Tension d'essai/Courant d'essai

Tension de drain instantanée totale Formule

Tension de vidange instantanée totale = Tension des composants fondamentaux-Résistance aux fuites*Courant de vidange
V_d = V_fc-R_d*i_d

Comment la tension de seuil peut-elle être modifiée ?

Au niveau du circuit, la tension de seuil peut être réduite en augmentant le potentiel du canal pour la même tension grille-source. Comme le potentiel du canal est le résultat du potentiel de grille, de source, de drain et de volume / corps (porte arrière), jouer avec ces trois derniers peut effectivement modifier la tension de seuil.

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