Courant entrant dans la borne de drain du MOSFET à saturation Calculatrice

✖Le paramètre de transconductance du processus est le produit de la mobilité des électrons dans le canal et de la capacité de l'oxyde.ⓘ Paramètre de transconductance du processus [k'_n]			+10% -10%
✖La largeur du canal est la dimension du canal du MOSFET.ⓘ Largeur du canal [W_c]			+10% -10%
✖La longueur du canal, L, qui est la distance entre les deux jonctions -p.ⓘ Longueur du canal [L]			+10% -10%
✖La tension efficace ou tension de surmultiplication est appelée excès de tension aux bornes de l'oxyde par rapport à la tension thermique.ⓘ Tension efficace [V_ov]			+10% -10%

✖Le courant de drain de saturation est défini comme le courant inférieur au seuil et varie de façon exponentielle avec la tension grille-source.ⓘ Courant entrant dans la borne de drain du MOSFET à saturation [i_ds]

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Courant entrant dans la borne de drain du MOSFET à saturation Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de drainage de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension efficace)^2
i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Courant de drainage de saturation - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain de saturation est défini comme le courant inférieur au seuil et varie de façon exponentielle avec la tension grille-source.
Paramètre de transconductance du processus - (Mesuré en Ampère par volt carré) - Le paramètre de transconductance du processus est le produit de la mobilité des électrons dans le canal et de la capacité de l'oxyde.
Largeur du canal - (Mesuré en Mètre) - La largeur du canal est la dimension du canal du MOSFET.
Longueur du canal - (Mesuré en Mètre) - La longueur du canal, L, qui est la distance entre les deux jonctions -p.
Tension efficace - (Mesuré en Volt) - La tension efficace ou tension de surmultiplication est appelée excès de tension aux bornes de l'oxyde par rapport à la tension thermique.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Paramètre de transconductance du processus: 0.2 Ampère par volt carré --> 0.2 Ampère par volt carré Aucune conversion requise
Largeur du canal: 10.15 Micromètre --> 1.015E-05 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Longueur du canal: 3.25 Micromètre --> 3.25E-06 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Tension efficace: 0.123 Volt --> 0.123 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2 --> 1/2*0.2*(1.015E-05/3.25E-06)*(0.123)^2

Évaluer ... ...

i_ds = 0.00472490307692308

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.00472490307692308 Ampère -->4.72490307692308 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

4.72490307692308 ≈ 4.724903 Milliampère <-- Courant de drainage de saturation

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

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Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde

LaTeX Aller Courant de sortie = (Mobilité de l'électron*Capacité d'oxyde*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil))*Tension de saturation entre drain et source

Courant entrant dans la borne de drain du MOSFET à saturation

LaTeX Aller Courant de drainage de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension efficace)^2

Tension de drain instantanée totale

LaTeX Aller Tension de vidange instantanée totale = Tension des composants fondamentaux-Résistance aux fuites*Courant de vidange

Tension d'entrée dans le transistor

LaTeX Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance aux fuites*Courant de vidange-Tension de vidange instantanée totale

Courant entrant dans la borne de drain du MOSFET à saturation Formule

LaTeX Aller

Courant de drainage de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension efficace)^2
i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2

Qu'est-ce que le courant de drain dans le MOSFET?

Le courant de drain en dessous de la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de manière exponentielle avec Vgs. La réciproque de la pente de la caractéristique log (Ids) par rapport à Vgs est définie comme la pente sous-seuil, S, et est l'une des mesures de performance les plus critiques pour les MOSFET dans les applications logiques.

Combien de courant un MOSFET peut-il gérer?

Les MOSFET à ampérage élevé comme le 511-STP200N3LL disent qu'ils peuvent gérer 120 ampères de courant. Le transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde de métal, ou MOSFET en abrégé, a une résistance de grille d'entrée extrêmement élevée, le courant traversant le canal entre la source et le drain étant contrôlé par la tension de grille.

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