Gesamte momentane Drain-Spannung Taschenrechner

✖Die Grundspannungskomponente ist die erste Harmonische der Spannung in der harmonischen Analyse der Rechteckwelle der Spannung in einer Wechselrichterschaltung.ⓘ Grundkomponentenspannung [V_fc]			+10% -10%
✖Der Drain-Widerstand ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Source-Spannung zur entsprechenden Änderung des Drain-Stroms bei konstanter Gate-Source-Spannung.ⓘ Abflusswiderstand [R_d]			+10% -10%
✖Der Drain-Strom unterhalb der Schwellenspannung wird als Strom unterhalb der Schwelle definiert und variiert exponentiell mit der Gate-Source-Spannung.ⓘ Stromverbrauch [i_d]			+10% -10%

✖Die gesamte momentane Drain-Spannung ist die Spannung, die am Gate-Source-Anschluss des Transistors abfällt.ⓘ Gesamte momentane Drain-Spannung [V_d]

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Formel

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Gesamte momentane Drain-Spannung

Formel

`"V"_{"d"} = "V"_{"fc"}-"R"_{"d"}*"i"_{"d"}`

Beispiel

`"-1.3V"="5V"-"0.36kΩ"*"17.5mA"`

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Gesamte momentane Drain-Spannung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Gesamte momentane Entladespannung = Grundkomponentenspannung-Abflusswiderstand*Stromverbrauch
V_d = V_fc-R_d*i_d
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Gesamte momentane Entladespannung - (Gemessen in Volt) - Die gesamte momentane Drain-Spannung ist die Spannung, die am Gate-Source-Anschluss des Transistors abfällt.
Grundkomponentenspannung - (Gemessen in Volt) - Die Grundspannungskomponente ist die erste Harmonische der Spannung in der harmonischen Analyse der Rechteckwelle der Spannung in einer Wechselrichterschaltung.
Abflusswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Drain-Widerstand ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Source-Spannung zur entsprechenden Änderung des Drain-Stroms bei konstanter Gate-Source-Spannung.
Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom unterhalb der Schwellenspannung wird als Strom unterhalb der Schwelle definiert und variiert exponentiell mit der Gate-Source-Spannung.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Grundkomponentenspannung: 5 Volt --> 5 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Abflusswiderstand: 0.36 Kiloohm --> 360 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Stromverbrauch: 17.5 Milliampere --> 0.0175 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_d = V_fc-R_d*i_d --> 5-360*0.0175

Auswerten ... ...

V_d = -1.3

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

-1.3 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

-1.3 Volt <-- Gesamte momentane Entladespannung

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Prahalad Singh

Jaipur Engineering College und Forschungszentrum (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner verifiziert!

< 18 Eigenschaften des Transistorverstärkers Taschenrechner

Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt

Gehen Ausgangsstrom = (Mobilität des Elektrons*Oxidkapazität*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Spannung über Oxid-Grenzspannung))*Sättigungsspannung zwischen Drain und Source

Gesamteffektivspannung der MOSFET-Transkonduktanz

Gehen Effektive Spannung = sqrt(2*Sättigungsstrom/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)))

Eingangsspannung gegeben Signalspannung

Gehen Grundkomponentenspannung = (Endlicher Eingangswiderstand/(Endlicher Eingangswiderstand+Signalwiderstand))*Kleine Signalspannung

Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*(Breite des Kanals/Länge des Kanals)*(Effektive Spannung)^2

Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors

Gehen Transkonduktanzparameter = Stromverbrauch/((Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source)

Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*(Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source

Drainstrom des Transistors

Gehen Stromverbrauch = (Grundkomponentenspannung+Gesamte momentane Entladespannung)/Abflusswiderstand

Gesamte momentane Drain-Spannung

Gehen Gesamte momentane Entladespannung = Grundkomponentenspannung-Abflusswiderstand*Stromverbrauch

Eingangsspannung im Transistor

Gehen Grundkomponentenspannung = Abflusswiderstand*Stromverbrauch-Gesamte momentane Entladespannung

Steilheit von Transistorverstärkern

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = (2*Stromverbrauch)/(Spannung über Oxid-Grenzspannung)

Signalstrom im Emitter bei gegebenem Eingangssignal

Gehen Signalstrom im Emitter = Grundkomponentenspannung/Emitterwiderstand

Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = Kollektorstrom/Grenzspannung

Eingangswiderstand des Common-Collector-Verstärkers

Gehen Eingangswiderstand = Grundkomponentenspannung/Basisstrom

Ausgangswiderstand des gemeinsamen Gate-Schaltkreises bei gegebener Testspannung

Gehen Endlicher Ausgangswiderstand = Prüfspannung/Teststrom

Verstärkereingang des Transistorverstärkers

Gehen Verstärkereingang = Eingangswiderstand*Eingangsstrom

Gleichstromverstärkung des Verstärkers

Gehen Gleichstromverstärkung = Kollektorstrom/Basisstrom

Eingangswiderstand der Common-Gate-Schaltung

Gehen Eingangswiderstand = Prüfspannung/Teststrom

Teststrom des Transistorverstärkers

Gehen Teststrom = Prüfspannung/Eingangswiderstand

Gesamte momentane Drain-Spannung Formel

Gesamte momentane Entladespannung = Grundkomponentenspannung-Abflusswiderstand*Stromverbrauch
V_d = V_fc-R_d*i_d

Wie kann die Schwellenspannung geändert werden?

Auf Schaltungsebene kann die Schwellenspannung reduziert werden, indem das Potential des Kanals bei gleicher Gate-Source-Spannung erhöht wird. Da das Kanalpotential das Ergebnis des Gate-, Source-, Drain- und Bulk / Body-Potentials (Back-Gate) ist, kann das Spielen mit den letzten drei die Schwellenspannung effektiv ändern.

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