Transconductance dans un amplificateur à source commune Calculatrice

✖La fréquence de gain unitaire d'un amplificateur est simplement la fréquence d'un signal d'entrée à laquelle le gain en boucle ouverte est égal à 1.ⓘ Fréquence de gain unitaire [f_ug]			+10% -10%
✖La capacité grille-source est la capacité entre la borne de grille et la borne source.ⓘ Capacité porte à source [C_gs]			+10% -10%
✖La capacité grille-drain est définie comme la capacité observée entre la grille et le drain de la jonction du MOSFET.ⓘ Porte de capacité à drainer [C_gd]			+10% -10%

✖La transconductance primaire du MOSFET est la variation du courant de drain divisée par la petite variation de la tension grille/source avec une tension drain/source constante.ⓘ Transconductance dans un amplificateur à source commune [g_mp]

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Formule

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Transconductance dans un amplificateur à source commune

Formule

`"g"_{"mp"} = "f"_{"ug"}*("C"_{"gs"}+"C"_{"gd"})`

Exemple

`"19.76627mS"="51.57Hz"*("145.64μF"+"237.65μF")`

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Transconductance dans un amplificateur à source commune Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Transconductance primaire MOSFET = Fréquence de gain unitaire*(Capacité porte à source+Porte de capacité à drainer)
g_mp = f_ug*(C_gs+C_gd)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Transconductance primaire MOSFET - (Mesuré en Siemens) - La transconductance primaire du MOSFET est la variation du courant de drain divisée par la petite variation de la tension grille/source avec une tension drain/source constante.
Fréquence de gain unitaire - (Mesuré en Hertz) - La fréquence de gain unitaire d'un amplificateur est simplement la fréquence d'un signal d'entrée à laquelle le gain en boucle ouverte est égal à 1.
Capacité porte à source - (Mesuré en Farad) - La capacité grille-source est la capacité entre la borne de grille et la borne source.
Porte de capacité à drainer - (Mesuré en Farad) - La capacité grille-drain est définie comme la capacité observée entre la grille et le drain de la jonction du MOSFET.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Fréquence de gain unitaire: 51.57 Hertz --> 51.57 Hertz Aucune conversion requise
Capacité porte à source: 145.64 microfarades --> 0.00014564 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Porte de capacité à drainer: 237.65 microfarades --> 0.00023765 Farad (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

g_mp = f_ug*(C_gs+C_gd) --> 51.57*(0.00014564+0.00023765)

Évaluer ... ...

g_mp = 0.0197662653

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.0197662653 Siemens -->19.7662653 millisiemens (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

19.7662653 ≈ 19.76627 millisiemens <-- Transconductance primaire MOSFET

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Anshika Arya

Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur

Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

< 11 Amplificateur à source commune Calculatrices

Gain de tension de rétroaction global de l'amplificateur à source commune

Aller Gain de tension de rétroaction = -Transconductance primaire MOSFET*(Résistance d'entrée/(Résistance d'entrée+Résistance du signal))*(1/Résistance aux fuites+1/Résistance à la charge+1/Résistance de sortie finie)^-1

Tension de sortie du transistor à source contrôlée

Aller Composante CC de la tension grille-source = (Gain de tension*Courant électrique-Transconductance de court-circuit*Signal de sortie différentiel)*(1/Résistance finale+1/Résistance de l'enroulement primaire au secondaire)

Résistance de sortie à un autre drain de transistor à source contrôlée

Aller Résistance aux fuites = Résistance de l'enroulement secondaire au primaire+2*Résistance finie+2*Résistance finie*Transconductance primaire MOSFET*Résistance de l'enroulement secondaire au primaire

Résistance de sortie de l'amplificateur CS avec résistance de source

Aller Résistance aux fuites = Résistance de sortie finie+Résistance à la source+(Transconductance primaire MOSFET*Résistance de sortie finie*Résistance à la source)

Gain de tension en circuit ouvert de l'amplificateur CS

Aller Gain de tension en circuit ouvert = Résistance de sortie finie/(Résistance de sortie finie+1/Transconductance primaire MOSFET)

Transconductance dans un amplificateur à source commune

Aller Transconductance primaire MOSFET = Fréquence de gain unitaire*(Capacité porte à source+Porte de capacité à drainer)

Gain de tension global du suiveur de source

Aller Gain de tension global = Résistance à la charge/(Résistance à la charge+1/Transconductance primaire MOSFET)

Gain de courant du transistor à source contrôlée

Aller Gain actuel = 1/(1+1/(Transconductance primaire MOSFET*Résistance entre le drain et la terre))

Tension de l'émetteur par rapport au gain de tension

Aller Tension de l'émetteur = Tension du collecteur/Gain de tension

Gain de tension total de l'amplificateur CS

Aller Gain de tension = Tension de charge/Tension d'entrée

Tension de charge de l'amplificateur CS

Aller Tension de charge = Gain de tension*Tension d'entrée

< 18 Actions CV des amplificateurs de scène courants Calculatrices

Tension de sortie du transistor à source contrôlée

Résistance d'entrée du circuit à base commune

Aller Résistance d'entrée = (Résistance de l'émetteur*(Résistance de sortie finie+Résistance à la charge))/(Résistance de sortie finie+(Résistance à la charge/(Gain de courant de base du collecteur+1)))

Résistance de sortie à un autre drain de transistor à source contrôlée

Résistance de sortie de l'amplificateur CE dégénéré par l'émetteur

Aller Résistance aux fuites = Résistance de sortie finie+(Transconductance primaire MOSFET*Résistance de sortie finie)*(1/Résistance de l'émetteur+1/Résistance d'entrée de petit signal)

Résistance d'entrée de l'amplificateur à émetteur commun compte tenu de la résistance d'entrée à petit signal

Aller Résistance d'entrée = (1/Résistance de base+1/Résistance de base 2+1/(Résistance d'entrée de petit signal+(Gain de courant de base du collecteur+1)*Résistance de l'émetteur))^-1

Résistance d'entrée de l'amplificateur à émetteur commun compte tenu de la résistance de l'émetteur

Aller Résistance d'entrée = (1/Résistance de base+1/Résistance de base 2+1/((Résistance totale+Résistance de l'émetteur)*(Gain de courant de base du collecteur+1)))^-1

Résistance de sortie de l'amplificateur CS avec résistance de source

Aller Résistance aux fuites = Résistance de sortie finie+Résistance à la source+(Transconductance primaire MOSFET*Résistance de sortie finie*Résistance à la source)

Courant de drain instantané utilisant la tension entre le drain et la source

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source

Transconductance dans un amplificateur à source commune

Aller Transconductance primaire MOSFET = Fréquence de gain unitaire*(Capacité porte à source+Porte de capacité à drainer)

Résistance d'entrée de l'amplificateur émetteur commun

Aller Résistance d'entrée = (1/Résistance de base+1/Résistance de base 2+1/Résistance d'entrée de petit signal)^-1

Courant de signal dans l'émetteur donné Signal d'entrée

Aller Courant de signal dans l'émetteur = Tension des composants fondamentaux/Résistance de l'émetteur

Impédance d'entrée de l'amplificateur à base commune

Aller Impédance d'entrée = (1/Résistance de l'émetteur+1/Résistance d'entrée de petit signal)^(-1)

Transconductance utilisant le courant de collecteur de l'amplificateur à transistor

Aller Transconductance primaire MOSFET = Courant du collecteur/Tension de seuil

Tension fondamentale dans l'amplificateur à émetteur commun

Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance d'entrée*Courant de base

Résistance d'entrée de l'amplificateur à collecteur commun

Aller Résistance d'entrée = Tension des composants fondamentaux/Courant de base

Résistance de l'émetteur dans l'amplificateur à base commune

Aller Résistance de l'émetteur = Tension d'entrée/Courant de l'émetteur

Courant d'émetteur de l'amplificateur à base commune

Aller Courant de l'émetteur = Tension d'entrée/Résistance de l'émetteur

Tension de charge de l'amplificateur CS

Aller Tension de charge = Gain de tension*Tension d'entrée

Transconductance dans un amplificateur à source commune Formule

Transconductance primaire MOSFET = Fréquence de gain unitaire*(Capacité porte à source+Porte de capacité à drainer)
g_mp = f_ug*(C_gs+C_gd)

Qu'est-ce qu'un amplificateur de source commune?

Lorsque le signal d'entrée est appliqué à la borne de grille et à la borne de source, alors la tension de sortie est amplifiée et obtenue aux bornes de la résistance à la charge dans la borne de drain. C'est ce qu'on appelle un amplificateur de source commun.

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