Transkonduktanz im Common-Source-Verstärker Taschenrechner

✖Die Einheitsverstärkungsfrequenz eines Verstärkers ist einfach die Frequenz eines Eingangssignals, bei der die Verstärkung im offenen Regelkreis gleich 1 ist.ⓘ Einheitsgewinnfrequenz [f_ug]			+10% -10%
✖Die Gate-Source-Kapazität ist die Kapazität zwischen dem Gate-Anschluss und dem Source-Anschluss.ⓘ Gate-Source-Kapazität [C_gs]			+10% -10%
✖Die Gate-Drain-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Drain der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.ⓘ Kapazitäts-Gate zum Drain [C_gd]			+10% -10%

✖Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.ⓘ Transkonduktanz im Common-Source-Verstärker [g_mp]

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Formel

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Transkonduktanz im Common-Source-Verstärker

Formel

`"g"_{"mp"} = "f"_{"ug"}*("C"_{"gs"}+"C"_{"gd"})`

Beispiel

`"19.76627mS"="51.57Hz"*("145.64μF"+"237.65μF")`

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Transkonduktanz im Common-Source-Verstärker Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

MOSFET-Primärtranskonduktanz = Einheitsgewinnfrequenz*(Gate-Source-Kapazität+Kapazitäts-Gate zum Drain)
g_mp = f_ug*(C_gs+C_gd)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

MOSFET-Primärtranskonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.
Einheitsgewinnfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die Einheitsverstärkungsfrequenz eines Verstärkers ist einfach die Frequenz eines Eingangssignals, bei der die Verstärkung im offenen Regelkreis gleich 1 ist.
Gate-Source-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Source-Kapazität ist die Kapazität zwischen dem Gate-Anschluss und dem Source-Anschluss.
Kapazitäts-Gate zum Drain - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Drain-Kapazität ist definiert als die Kapazität, die zwischen Gate und Drain der MOSFET-Verbindung beobachtet wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Einheitsgewinnfrequenz: 51.57 Hertz --> 51.57 Hertz Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Source-Kapazität: 145.64 Mikrofarad --> 0.00014564 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Kapazitäts-Gate zum Drain: 237.65 Mikrofarad --> 0.00023765 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

g_mp = f_ug*(C_gs+C_gd) --> 51.57*(0.00014564+0.00023765)

Auswerten ... ...

g_mp = 0.0197662653

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.0197662653 Siemens -->19.7662653 Millisiemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

19.7662653 ≈ 19.76627 Millisiemens <-- MOSFET-Primärtranskonduktanz

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

< 11 Common-Source-Verstärker Taschenrechner

Ausgangsspannung des Controlled Source Transistors

Gehen Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung = (Spannungsverstärkung*Elektrischer Strom-Kurzschlusstranskonduktanz*Differenzielles Ausgangssignal)*(1/Endgültiger Widerstand+1/Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung)

Gesamtrückkopplungsspannungsverstärkung des Common-Source-Verstärkers

Gehen Rückkopplungsspannungsverstärkung = -MOSFET-Primärtranskonduktanz*(Eingangswiderstand/(Eingangswiderstand+Signalwiderstand))*(1/Abflusswiderstand+1/Lastwiderstand+1/Endlicher Ausgangswiderstand)^-1

Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors

Gehen Abflusswiderstand = Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung+2*Endlicher Widerstand+2*Endlicher Widerstand*MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung

Ausgangswiderstand des CS-Verstärkers mit Quellwiderstand

Gehen Abflusswiderstand = Endlicher Ausgangswiderstand+Quellenwiderstand+(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand*Quellenwiderstand)

Leerlaufspannungsverstärkung des CS-Verstärkers

Gehen Spannungsverstärkung im Leerlauf = Endlicher Ausgangswiderstand/(Endlicher Ausgangswiderstand+1/MOSFET-Primärtranskonduktanz)

Transkonduktanz im Common-Source-Verstärker

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = Einheitsgewinnfrequenz*(Gate-Source-Kapazität+Kapazitäts-Gate zum Drain)

Gesamtspannungsverstärkung des Source-Folgers

Gehen Gesamtspannungsgewinn = Lastwiderstand/(Lastwiderstand+1/MOSFET-Primärtranskonduktanz)

Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors

Gehen Aktueller Gewinn = 1/(1+1/(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand zwischen Abfluss und Erde))

Emitterspannung im Verhältnis zur Spannungsverstärkung

Gehen Emitterspannung = Kollektorspannung/Spannungsverstärkung

Gesamtspannungsverstärkung des CS-Verstärkers

Gehen Spannungsverstärkung = Lastspannung/Eingangsspannung

Lastspannung des CS-Verstärkers

Gehen Lastspannung = Spannungsverstärkung*Eingangsspannung

< 18 CV-Aktionen gängiger Bühnenverstärker Taschenrechner

Ausgangsspannung des Controlled Source Transistors

Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors

Eingangswiderstand der Common-Base-Schaltung

Gehen Eingangswiderstand = (Emitterwiderstand*(Endlicher Ausgangswiderstand+Lastwiderstand))/(Endlicher Ausgangswiderstand+(Lastwiderstand/(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)))

Ausgangswiderstand des Emitter-degenerierten CE-Verstärkers

Gehen Abflusswiderstand = Endlicher Ausgangswiderstand+(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand)*(1/Emitterwiderstand+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)

Eingangswiderstand des Common-Emitter-Verstärkers bei gegebenem Kleinsignal-Eingangswiderstand

Gehen Eingangswiderstand = (1/Basiswiderstand+1/Basiswiderstand 2+1/(Kleinsignal-Eingangswiderstand+(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)*Emitterwiderstand))^-1

Ausgangswiderstand des CS-Verstärkers mit Quellwiderstand

Gehen Abflusswiderstand = Endlicher Ausgangswiderstand+Quellenwiderstand+(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand*Quellenwiderstand)

Eingangswiderstand des Common-Emitter-Verstärkers bei gegebenem Emitterwiderstand

Gehen Eingangswiderstand = (1/Basiswiderstand+1/Basiswiderstand 2+1/((Totaler Widerstand+Emitterwiderstand)*(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)))^-1

Momentaner Drain-Strom unter Verwendung der Spannung zwischen Drain und Source

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*(Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source

Transkonduktanz im Common-Source-Verstärker

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = Einheitsgewinnfrequenz*(Gate-Source-Kapazität+Kapazitäts-Gate zum Drain)

Eingangswiderstand des Verstärkers mit gemeinsamem Emitter

Gehen Eingangswiderstand = (1/Basiswiderstand+1/Basiswiderstand 2+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)^-1

Eingangsimpedanz des Common-Base-Verstärkers

Gehen Eingangsimpedanz = (1/Emitterwiderstand+1/Kleinsignal-Eingangswiderstand)^(-1)

Signalstrom im Emitter bei gegebenem Eingangssignal

Gehen Signalstrom im Emitter = Grundkomponentenspannung/Emitterwiderstand

Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = Kollektorstrom/Grenzspannung

Eingangswiderstand des Common-Collector-Verstärkers

Gehen Eingangswiderstand = Grundkomponentenspannung/Basisstrom

Grundspannung im Common-Emitter-Verstärker

Gehen Grundkomponentenspannung = Eingangswiderstand*Basisstrom

Lastspannung des CS-Verstärkers

Gehen Lastspannung = Spannungsverstärkung*Eingangsspannung

Widerstand des Emitters im Common-Base-Verstärker

Gehen Emitterwiderstand = Eingangsspannung/Emitterstrom

Emitterstrom des Verstärkers in Basisschaltung

Gehen Emitterstrom = Eingangsspannung/Emitterwiderstand

Transkonduktanz im Common-Source-Verstärker Formel

MOSFET-Primärtranskonduktanz = Einheitsgewinnfrequenz*(Gate-Source-Kapazität+Kapazitäts-Gate zum Drain)
g_mp = f_ug*(C_gs+C_gd)

Was ist ein Common Source-Verstärker?

Wenn das Eingangssignal an den Gate-Anschluss und den Source-Anschluss angelegt wird, wird die Ausgangsspannung verstärkt und über den Widerstand an der Last im Drain-Anschluss erhalten. Dies wird als Common-Source-Verstärker bezeichnet.

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