Transkonduktancja we wzmacniaczu ze wspólnym źródłem Kalkulator

✖Częstotliwość wzmocnienia jedności wzmacniacza to po prostu częstotliwość sygnału wejściowego, przy której wzmocnienie w pętli otwartej jest równe 1.ⓘ Częstotliwość wzmocnienia jedności [f_ug]			+10% -10%
✖Pojemność bramki do źródła to pojemność pomiędzy końcówką bramki a końcówką źródła.ⓘ Pojemność bramy do źródła [C_gs]			+10% -10%
✖Bramkę pojemnościową do drenu definiuje się jako pojemność obserwowaną pomiędzy bramką a drenem złącza MOSFET.ⓘ Bramka pojemnościowa do drenażu [C_gd]			+10% -10%

✖Transkonduktancja pierwotna MOSFET to zmiana prądu drenu podzielona przez małą zmianę napięcia bramki/źródła przy stałym napięciu dren/źródło.ⓘ Transkonduktancja we wzmacniaczu ze wspólnym źródłem [g_mp]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Transkonduktancja we wzmacniaczu ze wspólnym źródłem

Formuła

`"g"_{"mp"} = "f"_{"ug"}*("C"_{"gs"}+"C"_{"gd"})`

Przykład

`"19.76627mS"="51.57Hz"*("145.64μF"+"237.65μF")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Wzmacniacze tranzystorowe Formułę PDF PDF Image

Transkonduktancja we wzmacniaczu ze wspólnym źródłem Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Częstotliwość wzmocnienia jedności*(Pojemność bramy do źródła+Bramka pojemnościowa do drenażu)
g_mp = f_ug*(C_gs+C_gd)
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Transkonduktancja pierwotna MOSFET - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja pierwotna MOSFET to zmiana prądu drenu podzielona przez małą zmianę napięcia bramki/źródła przy stałym napięciu dren/źródło.
Częstotliwość wzmocnienia jedności - (Mierzone w Herc) - Częstotliwość wzmocnienia jedności wzmacniacza to po prostu częstotliwość sygnału wejściowego, przy której wzmocnienie w pętli otwartej jest równe 1.
Pojemność bramy do źródła - (Mierzone w Farad) - Pojemność bramki do źródła to pojemność pomiędzy końcówką bramki a końcówką źródła.
Bramka pojemnościowa do drenażu - (Mierzone w Farad) - Bramkę pojemnościową do drenu definiuje się jako pojemność obserwowaną pomiędzy bramką a drenem złącza MOSFET.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Częstotliwość wzmocnienia jedności: 51.57 Herc --> 51.57 Herc Nie jest wymagana konwersja
Pojemność bramy do źródła: 145.64 Mikrofarad --> 0.00014564 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)
Bramka pojemnościowa do drenażu: 237.65 Mikrofarad --> 0.00023765 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

g_mp = f_ug*(C_gs+C_gd) --> 51.57*(0.00014564+0.00023765)

Ocenianie ... ...

g_mp = 0.0197662653

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.0197662653 Siemens -->19.7662653 Millisiemens (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

19.7662653 ≈ 19.76627 Millisiemens <-- Transkonduktancja pierwotna MOSFET

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Wzmacniacze » Wzmacniacze tranzystorowe » Wzmacniacz ze wspólnym źródłem » Transkonduktancja we wzmacniaczu ze wspólnym źródłem

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Anshika Arya

Narodowy Instytut Technologii (GNIDA), Hamirpur

Anshika Arya zweryfikował ten kalkulator i 2500+ więcej kalkulatorów!

< 11 Wzmacniacz ze wspólnym źródłem Kalkulatory

Ogólne wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego wzmacniacza ze wspólnym źródłem

Iść Wzmocnienie napięcia sprzężenia zwrotnego = -Transkonduktancja pierwotna MOSFET*(Rezystancja wejściowa/(Rezystancja wejściowa+Rezystancja sygnału))*(1/Odporność na drenaż+1/Odporność na obciążenie+1/Skończona rezystancja wyjściowa)^-1

Napięcie wyjściowe kontrolowanego tranzystora źródłowego

Iść Składowa DC napięcia bramki-źródła = (Wzmocnienie napięcia*Prąd elektryczny-Transkonduktancja zwarciowa*Różnicowy sygnał wyjściowy)*(1/Ostateczny opór+1/Rezystancja uzwojenia pierwotnego w wtórnym)

Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego

Iść Odporność na drenaż = Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym+2*Skończony opór+2*Skończony opór*Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CS z rezystancją źródła

Iść Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+Opór źródła+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa*Opór źródła)

Wzmocnienie napięcia obwodu otwartego wzmacniacza CS

Iść Wzmocnienie napięcia w obwodzie otwartym = Skończona rezystancja wyjściowa/(Skończona rezystancja wyjściowa+1/Transkonduktancja pierwotna MOSFET)

Transkonduktancja we wzmacniaczu ze wspólnym źródłem

Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Częstotliwość wzmocnienia jedności*(Pojemność bramy do źródła+Bramka pojemnościowa do drenażu)

Całkowite wzmocnienie napięcia wtórnika źródła

Iść Całkowite wzmocnienie napięcia = Odporność na obciążenie/(Odporność na obciążenie+1/Transkonduktancja pierwotna MOSFET)

Bieżące wzmocnienie kontrolowanego tranzystora źródłowego

Iść Aktualny zysk = 1/(1+1/(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Opór pomiędzy drenem a ziemią))

Całkowite wzmocnienie napięcia wzmacniacza CS

Iść Wzmocnienie napięcia = Napięcie obciążenia/Napięcie wejściowe

Napięcie obciążenia wzmacniacza CS

Iść Napięcie obciążenia = Wzmocnienie napięcia*Napięcie wejściowe

Napięcie emitera w odniesieniu do wzmocnienia napięcia

Iść Napięcie emitera = Napięcie kolektora/Wzmocnienie napięcia

< 18 Działania CV wzmacniaczy Common Stage Kalkulatory

Rezystancja wejściowa obwodu ze wspólną bazą

Iść Rezystancja wejściowa = (Rezystancja emitera*(Skończona rezystancja wyjściowa+Odporność na obciążenie))/(Skończona rezystancja wyjściowa+(Odporność na obciążenie/(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)))

Napięcie wyjściowe kontrolowanego tranzystora źródłowego

Rezystancja wyjściowa na innym drenie kontrolowanego tranzystora źródłowego

Iść Odporność na drenaż = Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym+2*Skończony opór+2*Skończony opór*Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Rezystancja uzwojenia wtórnego w pierwotnym

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CE ze zdegenerowanym emiterem

Iść Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa)*(1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem dla rezystancji wejściowej małosygnałowej

Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/(Mały opór wejściowy sygnału+(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)*Rezystancja emitera))^-1

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem przy danej rezystancji emitera

Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/((Całkowity opór+Rezystancja emitera)*(Bazowe wzmocnienie prądowe kolektora+1)))^-1

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza CS z rezystancją źródła

Iść Odporność na drenaż = Skończona rezystancja wyjściowa+Opór źródła+(Transkonduktancja pierwotna MOSFET*Skończona rezystancja wyjściowa*Opór źródła)

Chwilowy prąd drenu przy użyciu napięcia między drenem a źródłem

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji*(Napięcie na tlenku-Próg napięcia)*Napięcie między bramką a źródłem

Transkonduktancja we wzmacniaczu ze wspólnym źródłem

Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Częstotliwość wzmocnienia jedności*(Pojemność bramy do źródła+Bramka pojemnościowa do drenażu)

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym emiterem

Iść Rezystancja wejściowa = (1/Odporność podstawowa+1/Podstawowa odporność 2+1/Mały opór wejściowy sygnału)^-1

Impedancja wejściowa wzmacniacza ze wspólną bazą

Iść Impedancja wejściowa = (1/Rezystancja emitera+1/Mały opór wejściowy sygnału)^(-1)

Prąd sygnału w emiterze podany sygnał wejściowy

Iść Prąd sygnału w emiterze = Podstawowe napięcie składowe/Rezystancja emitera

Transkonduktancja przy użyciu prądu kolektora wzmacniacza tranzystorowego

Iść Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Prąd kolektora/Próg napięcia

Rezystancja wejściowa wzmacniacza ze wspólnym kolektorem

Iść Rezystancja wejściowa = Podstawowe napięcie składowe/Prąd bazowy

Podstawowe napięcie we wzmacniaczu ze wspólnym emiterem

Iść Podstawowe napięcie składowe = Rezystancja wejściowa*Prąd bazowy

Napięcie obciążenia wzmacniacza CS

Iść Napięcie obciążenia = Wzmocnienie napięcia*Napięcie wejściowe

Rezystancja emitera we wzmacniaczu ze wspólną bazą

Iść Rezystancja emitera = Napięcie wejściowe/Prąd emitera

Prąd emitera wzmacniacza ze wspólną bazą

Iść Prąd emitera = Napięcie wejściowe/Rezystancja emitera

Transkonduktancja we wzmacniaczu ze wspólnym źródłem Formułę

Transkonduktancja pierwotna MOSFET = Częstotliwość wzmocnienia jedności*(Pojemność bramy do źródła+Bramka pojemnościowa do drenażu)
g_mp = f_ug*(C_gs+C_gd)

Co to jest wzmacniacz wspólnego źródła?

Gdy sygnał wejściowy jest przyłożony do zacisku bramki i zacisku źródła, wówczas napięcie wyjściowe jest wzmacniane i uzyskiwane na rezystorze przy obciążeniu zacisku drenu. Nazywa się to wzmacniaczem ze wspólnym źródłem.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!