Transconductance dans la région de saturation Calculatrice

Transconductance = Conductance de sortie*(1-sqrt((Barrière potentielle de diode Schottky-Tension de porte)/Pincer la tension))
g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p))
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 5 Variables
sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)Transconductance - (Mesuré en Siemens) - La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de drain et la variation de la tension grille-source, en supposant une tension drain-source constante.
Conductance de sortie - (Mesuré en Siemens) - La conductance de sortie représente la conductance drain-source des petits signaux du MOSFET lorsque la tension grille-source est maintenue constante.
Barrière potentielle de diode Schottky - (Mesuré en Volt) - La barrière potentielle de la diode Schottky est la barrière énergétique qui existe à l'interface entre un métal et un matériau semi-conducteur dans une diode Schottky.
Tension de porte - (Mesuré en Volt) - La tension de grille fait référence à la tension appliquée à la borne de commande d'un MESFET pour réguler sa conductance. La tension de grille détermine le nombre de porteurs de charge libres dans le canal.
Pincer la tension - (Mesuré en Volt) - La tension de pincement est la tension de grille à laquelle le canal est complètement pincé et constitue un paramètre clé dans le fonctionnement des FET. C'est un paramètre important dans la conception des circuits.

(Calcul effectué en 00.004 secondes)