Énergie de la bande de Valence Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Énergie de la bande de Valence = Énergie de bande de conduction-Déficit énergétique
Ev = Ec-Eg
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Énergie de la bande de Valence - (Mesuré en Joule) - L'énergie de la bande de valence est définie comme le niveau d'énergie le plus élevé dans la bande de valence.
Énergie de bande de conduction - (Mesuré en Joule) - L'énergie de bande de conduction est la bande d'énergie dans un matériau où les électrons sont libres de se déplacer et de participer à la conduction électrique.
Déficit énergétique - (Mesuré en Joule) - Écart d'énergie en physique du solide , un écart d'énergie est une plage d'énergie dans un solide où aucun état électronique n'existe.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Énergie de bande de conduction: 17.5 Électron-volt --> 2.80381032750001E-18 Joule (Vérifiez la conversion ​ici)
Déficit énergétique: 0.198 Électron-volt --> 3.17231111340001E-20 Joule (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Ev = Ec-Eg --> 2.80381032750001E-18-3.17231111340001E-20
Évaluer ... ...
Ev = 2.77208721636601E-18
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
2.77208721636601E-18 Joule -->17.302 Électron-volt (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
17.302 Électron-volt <-- Énergie de la bande de Valence
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
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Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

20 Bande d'énergie Calculatrices

Concentration de transporteur intrinsèque
​ Aller Concentration de transporteur intrinsèque = sqrt(Densité effective d'état dans la bande de Valence*Densité effective d'état dans la bande de conduction)*exp(-Déficit énergétique/(2*[BoltZ]*Température))
Durée de vie du transporteur
​ Aller Durée de vie du transporteur = 1/(Proportionnalité pour la recombinaison*(Concentration de trous dans la bande de cantonnière+Concentration d'électrons dans la bande de conduction))
Concentration d'électrons à l'état d'équilibre
​ Aller Concentration de transporteur à l'état d'équilibre = Concentration d'électrons dans la bande de conduction+Concentration excessive de porteurs
Énergie de l'électron étant donné la constante de Coulomb
​ Aller Énergie de l'électron = (Nombre quantique^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Longueur potentielle du puits^2)
Durée de vie de la recombinaison
​ Aller Durée de vie de la recombinaison = (Proportionnalité pour la recombinaison*Concentration de trous dans la bande de cantonnière)^-1
Concentration dans la bande de conduction
​ Aller Concentration d'électrons dans la bande de conduction = Densité effective d'état dans la bande de conduction*Fonction de Fermi
Densité effective d'état
​ Aller Densité effective d'état dans la bande de conduction = Concentration d'électrons dans la bande de conduction/Fonction de Fermi
Fonction Fermi
​ Aller Fonction de Fermi = Concentration d'électrons dans la bande de conduction/Densité effective d'état dans la bande de conduction
État de densité efficace dans la bande de Valence
​ Aller Densité effective d'état dans la bande de Valence = Concentration de trous dans la bande de cantonnière/(1-Fonction de Fermi)
Concentration de trous dans la bande de Valence
​ Aller Concentration de trous dans la bande de cantonnière = Densité effective d'état dans la bande de Valence*(1-Fonction de Fermi)
Coefficient de distribution
​ Aller Coefficient de répartition = Concentration d'impuretés dans le solide/Concentration d'impuretés dans le liquide
Concentration liquide
​ Aller Concentration d'impuretés dans le liquide = Concentration d'impuretés dans le solide/Coefficient de répartition
Taux net de changement dans la bande de conduction
​ Aller Proportionnalité pour la recombinaison = Génération thermique/(Concentration de transporteur intrinsèque^2)
Taux de génération thermique
​ Aller Génération thermique = Proportionnalité pour la recombinaison*(Concentration de transporteur intrinsèque^2)
Concentration excessive de porteurs
​ Aller Concentration excessive de porteurs = Taux de génération optique*Durée de vie de la recombinaison
Taux de génération optique
​ Aller Taux de génération optique = Concentration excessive de porteurs/Durée de vie de la recombinaison
Énergie de la bande de Valence
​ Aller Énergie de la bande de Valence = Énergie de bande de conduction-Déficit énergétique
Énergie de bande de conduction
​ Aller Énergie de bande de conduction = Déficit énergétique+Énergie de la bande de Valence
Déficit énergétique
​ Aller Déficit énergétique = Énergie de bande de conduction-Énergie de la bande de Valence
Énergie photoélectronique
​ Aller Énergie photoélectronique = [hP]*Fréquence de la lumière incidente

Énergie de la bande de Valence Formule

Énergie de la bande de Valence = Énergie de bande de conduction-Déficit énergétique
Ev = Ec-Eg

Comment se forme le fossé énergétique?

Chaque bande est formée en raison de la division d'un ou plusieurs niveaux d'énergie atomique. Par conséquent, le nombre minimum d'états dans une bande est égal à deux fois le nombre d'atomes dans le matériau. Les électrons du noyau sont étroitement liés à l'atome et ne sont pas autorisés à se déplacer librement dans le matériau.

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