Energia della banda di valenza Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Energia della banda di valenza = Energia della banda di conduzione-Divario Energetico
Ev = Ec-Eg
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Energia della banda di valenza - (Misurato in Joule) - L'energia della banda di valenza è definita come il più alto livello di energia nella banda di valenza.
Energia della banda di conduzione - (Misurato in Joule) - Conduction Band Energy è la banda di energia in un materiale in cui gli elettroni sono liberi di muoversi e partecipare alla conduzione elettrica.
Divario Energetico - (Misurato in Joule) - Gap energetico nella fisica dello stato solido, un gap energetico è un intervallo di energia in un solido in cui non esistono stati di elettroni.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Energia della banda di conduzione: 17.5 Electron-Volt --> 2.80381032750001E-18 Joule (Controlla la conversione ​qui)
Divario Energetico: 0.198 Electron-Volt --> 3.17231111340001E-20 Joule (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Ev = Ec-Eg --> 2.80381032750001E-18-3.17231111340001E-20
Valutare ... ...
Ev = 2.77208721636601E-18
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
2.77208721636601E-18 Joule -->17.302 Electron-Volt (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
17.302 Electron-Volt <-- Energia della banda di valenza
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

20 Banda Energetica Calcolatrici

Concentrazione portante intrinseca
​ Partire Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Densità di stato effettiva in banda di valenza*Densità di stato effettiva in banda di conduzione)*exp(-Divario Energetico/(2*[BoltZ]*Temperatura))
Carrier Lifetime
​ Partire Vettore a vita = 1/(Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione dei buchi nella banda di Valance+Concentrazione elettronica in banda di conduzione))
Concentrazione di elettroni in stato stazionario
​ Partire Concentrazione di portatori di stato stazionario = Concentrazione elettronica in banda di conduzione+Concentrazione in eccesso di portatori
Energia dell'elettrone data la costante di Coulomb
​ Partire Energia dell'elettrone = (Numero quantico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Lunghezza potenziale del pozzo^2)
Concentrazione in banda di conduzione
​ Partire Concentrazione elettronica in banda di conduzione = Densità di stato effettiva in banda di conduzione*Funzione di Fermi
Densità effettiva di stato
​ Partire Densità di stato effettiva in banda di conduzione = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Funzione di Fermi
Funzione di Fermi
​ Partire Funzione di Fermi = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Densità di stato effettiva in banda di conduzione
Concentrazione dei buchi nella banda di valenza
​ Partire Concentrazione dei buchi nella banda di Valance = Densità di stato effettiva in banda di valenza*(1-Funzione di Fermi)
Stato di Densità Efficace in Banda di Valenza
​ Partire Densità di stato effettiva in banda di valenza = Concentrazione dei buchi nella banda di Valance/(1-Funzione di Fermi)
Ricombinazione a vita
​ Partire Ricombinazione a vita = (Proporzionalità per la ricombinazione*Concentrazione dei buchi nella banda di Valance)^-1
Coefficiente di distribuzione
​ Partire Coefficiente di distribuzione = Concentrazione di impurità nel solido/Concentrazione di impurità nel liquido
Concentrazione liquida
​ Partire Concentrazione di impurità nel liquido = Concentrazione di impurità nel solido/Coefficiente di distribuzione
Tasso netto di variazione della banda di conduzione
​ Partire Proporzionalità per la ricombinazione = Generazione termica/(Concentrazione portante intrinseca^2)
Tasso di generazione termica
​ Partire Generazione termica = Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione portante intrinseca^2)
Eccessiva concentrazione del vettore
​ Partire Concentrazione in eccesso di portatori = Velocità di generazione ottica*Ricombinazione a vita
Velocità di generazione ottica
​ Partire Velocità di generazione ottica = Concentrazione in eccesso di portatori/Ricombinazione a vita
Energia della banda di conduzione
​ Partire Energia della banda di conduzione = Divario Energetico+Energia della banda di valenza
Energia della banda di valenza
​ Partire Energia della banda di valenza = Energia della banda di conduzione-Divario Energetico
Divario energetico
​ Partire Divario Energetico = Energia della banda di conduzione-Energia della banda di valenza
Energia fotoelettronica
​ Partire Energia fotoelettronica = [hP]*Frequenza della luce incidente

Energia della banda di valenza Formula

Energia della banda di valenza = Energia della banda di conduzione-Divario Energetico
Ev = Ec-Eg

Come si forma il divario energetico?

Ogni banda si forma a causa della scissione di uno o più livelli di energia atomica. Pertanto, il numero minimo di stati in una banda è pari al doppio del numero di atomi nel materiale. Gli elettroni del nucleo sono strettamente legati all'atomo e non sono autorizzati a muoversi liberamente nel materiale.

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