Energia da Banda de Valência Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Energia da Banda de Valência = Energia da Banda de Condução-Diferença de energia
Ev = Ec-Eg
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Energia da Banda de Valência - (Medido em Joule) - A energia da banda de valência é definida como o nível de energia mais alto na banda de valência.
Energia da Banda de Condução - (Medido em Joule) - A energia da banda de condução é a banda de energia em um material onde os elétrons são livres para se mover e participar da condução elétrica.
Diferença de energia - (Medido em Joule) - Gap de energia na física do estado sólido, um gap de energia é uma faixa de energia em um sólido onde não existem estados de elétrons.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Energia da Banda de Condução: 17.5 Electron-Volt --> 2.80381032750001E-18 Joule (Verifique a conversão ​aqui)
Diferença de energia: 0.198 Electron-Volt --> 3.17231111340001E-20 Joule (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Ev = Ec-Eg --> 2.80381032750001E-18-3.17231111340001E-20
Avaliando ... ...
Ev = 2.77208721636601E-18
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
2.77208721636601E-18 Joule -->17.302 Electron-Volt (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
17.302 Electron-Volt <-- Energia da Banda de Valência
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

20 Banda de energia Calculadoras

Concentração de Portadores Intrínsecos
​ Vai Concentração de Portadores Intrínsecos = sqrt(Densidade efetiva de estado na banda de valência*Densidade efetiva de estado na banda de condução)*exp(-Diferença de energia/(2*[BoltZ]*Temperatura))
Tempo de vida da transportadora
​ Vai Vida útil da operadora = 1/(Proporcionalidade para recombinação*(Concentração de Buracos na Banda de Valência+Concentração de elétrons na banda de condução))
Concentração de elétrons em estado estacionário
​ Vai Concentração de portadores em estado estacionário = Concentração de elétrons na banda de condução+Concentração de Transportador em Excesso
Energia do elétron dada a constante de Coulomb
​ Vai energia do elétron = (Número quântico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Comprimento potencial do poço^2)
Tempo de vida de recombinação
​ Vai Tempo de vida de recombinação = (Proporcionalidade para recombinação*Concentração de Buracos na Banda de Valência)^-1
Estado de densidade efetiva na banda de valência
​ Vai Densidade efetiva de estado na banda de valência = Concentração de Buracos na Banda de Valência/(1-Função Fermi)
Concentração de Buracos na Banda de Valência
​ Vai Concentração de Buracos na Banda de Valência = Densidade efetiva de estado na banda de valência*(1-Função Fermi)
Concentração na Banda de Condução
​ Vai Concentração de elétrons na banda de condução = Densidade efetiva de estado na banda de condução*Função Fermi
Densidade Efetiva de Estado
​ Vai Densidade efetiva de estado na banda de condução = Concentração de elétrons na banda de condução/Função Fermi
Função Fermi
​ Vai Função Fermi = Concentração de elétrons na banda de condução/Densidade efetiva de estado na banda de condução
Coeficiente de Distribuição
​ Vai Coeficiente de distribuição = Concentração de Impurezas no Sólido/Concentração de impurezas no líquido
Concentração Líquida
​ Vai Concentração de impurezas no líquido = Concentração de Impurezas no Sólido/Coeficiente de distribuição
Taxa Líquida de Mudança na Banda de Condução
​ Vai Proporcionalidade para recombinação = Geração Térmica/(Concentração de Portadores Intrínsecos^2)
Taxa de Geração Térmica
​ Vai Geração Térmica = Proporcionalidade para recombinação*(Concentração de Portadores Intrínsecos^2)
Excesso de concentração de portador
​ Vai Concentração de Transportador em Excesso = Taxa de geração óptica*Tempo de vida de recombinação
Taxa de geração óptica
​ Vai Taxa de geração óptica = Concentração de Transportador em Excesso/Tempo de vida de recombinação
Energia da Banda de Valência
​ Vai Energia da Banda de Valência = Energia da Banda de Condução-Diferença de energia
Energia da Banda de Condução
​ Vai Energia da Banda de Condução = Diferença de energia+Energia da Banda de Valência
Diferença de energia
​ Vai Diferença de energia = Energia da Banda de Condução-Energia da Banda de Valência
Energia fotoelétron
​ Vai Energia fotoelétron = [hP]*Frequência da Luz Incidente

Energia da Banda de Valência Fórmula

Energia da Banda de Valência = Energia da Banda de Condução-Diferença de energia
Ev = Ec-Eg

Como a lacuna de energia é formada?

Cada banda é formada devido à divisão de um ou mais níveis de energia atômica. Portanto, o número mínimo de estados em uma banda é igual a duas vezes o número de átomos no material. Os elétrons centrais estão fortemente ligados ao átomo e não podem se mover livremente no material.

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