Tension au drain Q1 du MOSFET Calculatrice

✖La résistance de charge totale du MOSFET comprend à la fois la résistance drain-source intrinsèque du MOSFET et la résistance de charge externe qui est connectée à la borne de drain.ⓘ Résistance de charge totale du MOSFET [R_tl]			+10% -10%
✖La résistance de sortie fait référence à la résistance d'un circuit électronique au flux de courant lorsqu'une charge est connectée à sa sortie.ⓘ Résistance de sortie [R_out]			+10% -10%
✖Un signal d'entrée en mode commun est un type de signal électrique qui apparaît de manière égale sur les deux bornes d'entrée d'un amplificateur différentiel.ⓘ Signal d'entrée en mode commun [V_cin]			+10% -10%

✖La tension de sortie est la différence de potentiel électrique qui est fournie à une charge par une alimentation et elle joue un rôle essentiel dans la détermination des performances et de la fiabilité des systèmes électroniques.ⓘ Tension au drain Q1 du MOSFET [V_out]

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Formule

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Tension au drain Q1 du MOSFET

Formule

`"V"_{"out"} = -("R"_{"tl"}/(2*"R"_{"out"}))*"V"_{"cin"}`

Exemple

`"-73.406667V"=-("7.8kΩ"/(2*"4.5kΩ"))*"84.7V"`

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Tension au drain Q1 du MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension de sortie = -(Résistance de charge totale du MOSFET/(2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun
V_out = -(R_tl/(2*R_out))*V_cin
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Tension de sortie - (Mesuré en Volt) - La tension de sortie est la différence de potentiel électrique qui est fournie à une charge par une alimentation et elle joue un rôle essentiel dans la détermination des performances et de la fiabilité des systèmes électroniques.
Résistance de charge totale du MOSFET - (Mesuré en Ohm) - La résistance de charge totale du MOSFET comprend à la fois la résistance drain-source intrinsèque du MOSFET et la résistance de charge externe qui est connectée à la borne de drain.
Résistance de sortie - (Mesuré en Ohm) - La résistance de sortie fait référence à la résistance d'un circuit électronique au flux de courant lorsqu'une charge est connectée à sa sortie.
Signal d'entrée en mode commun - (Mesuré en Volt) - Un signal d'entrée en mode commun est un type de signal électrique qui apparaît de manière égale sur les deux bornes d'entrée d'un amplificateur différentiel.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Résistance de charge totale du MOSFET: 7.8 Kilohm --> 7800 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Résistance de sortie: 4.5 Kilohm --> 4500 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Signal d'entrée en mode commun: 84.7 Volt --> 84.7 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_out = -(R_tl/(2*R_out))*V_cin --> -(7800/(2*4500))*84.7

Évaluer ... ...

V_out = -73.4066666666667

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

-73.4066666666667 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

-73.4066666666667 ≈ -73.406667 Volt <-- Tension de sortie

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Prahalad Singh

Collège d'ingénierie et centre de recherche de Jaipur (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh a validé cette calculatrice et 10+ autres calculatrices!

< 20 Tension Calculatrices

Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source

Aller Conductance du canal = Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal/Longueur du canal*(Tension grille-source-Tension de seuil)

Tension de sortie de porte commune

Aller Tension de sortie = -(Transconductance*Tension critique)*((Résistance à la charge*Résistance de porte)/(Résistance de porte+Résistance à la charge))

Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET donné Signal de mode commun

Aller Tension de vidange Q1 = -Résistance de sortie*(Transconductance*Signal d'entrée en mode commun)/(1+(2*Transconductance*Résistance de sortie))

Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle

Aller Tension grille-source = Tension de seuil+sqrt((2*Courant de polarisation CC)/(Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect))

Tension d'entrée source

Aller Tension d'entrée source = Tension d'entrée*(Résistance de l'amplificateur d'entrée/(Résistance de l'amplificateur d'entrée+Résistance de source équivalente))

Tension porte-source d'entrée

Aller Tension critique = (Résistance de l'amplificateur d'entrée/(Résistance de l'amplificateur d'entrée+Résistance de source équivalente))*Tension d'entrée

Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET donné Signal de mode commun

Aller Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie/((1/Transconductance)+2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun

Tension aux bornes de la porte et de la source du MOSFET compte tenu du courant d'entrée

Aller Tension grille-source = Courant d'entrée/(Fréquence angulaire*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))

Tension positive donnée Paramètre de l'appareil dans le MOSFET

Aller Courant d'entrée = Tension grille-source*(Fréquence angulaire*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))

Tension de surmultiplication lorsque MOSFET agit comme amplificateur avec résistance de charge

Aller Transconductance = Courant total/(Signal d'entrée en mode commun-(2*Courant total*Résistance de sortie))

Signal de tension incrémental de l'amplificateur différentiel

Aller Signal d'entrée en mode commun = (Courant total/Transconductance)+(2*Courant total*Résistance de sortie)

Tension au drain Q2 dans MOSFET

Aller Tension de sortie = -(Résistance de charge totale du MOSFET/(2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun

Tension au drain Q1 du MOSFET

Aller Tension de sortie = -(Résistance de charge totale du MOSFET/(2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun

Tension de saturation du MOSFET

Aller Tension de saturation du drain et de la source = Tension grille-source-Tension de seuil

Tension de surmultiplication

Aller Tension de surmultiplication = (2*Courant de vidange)/Transconductance

Tension aux bornes de la porte à la source du MOSFET sur la tension d'entrée différentielle donnée à la tension de surcharge

Aller Tension grille-source = Tension de seuil+1.4*Tension efficace

Tension de sortie au drain Q1 du MOSFET

Aller Tension de vidange Q1 = -(Résistance de sortie*Courant total)

Tension de sortie au drain Q2 du MOSFET

Aller Tension de vidange Q2 = -(Résistance de sortie*Courant total)

Tension de seuil lorsque MOSFET agit comme amplificateur

Aller Tension de seuil = Tension grille-source-Tension efficace

Tension de seuil du MOSFET

Aller Tension de seuil = Tension grille-source-Tension efficace

Tension au drain Q1 du MOSFET Formule

Tension de sortie = -(Résistance de charge totale du MOSFET/(2*Résistance de sortie))*Signal d'entrée en mode commun
V_out = -(R_tl/(2*R_out))*V_cin

Comment le MOSFET agit-il comme un amplificateur?

Un petit changement de tension de grille produit un grand changement du courant de drain comme dans JFET. Ce fait rend le MOSFET capable d'augmenter la force d'un signal faible; agissant ainsi comme un amplificateur. Pendant le demi-cycle positif du signal, la tension positive sur la grille augmente et produit le mode d'amélioration.

Comment le MOSFET contrôle-t-il la tension?

Les MOSFET ont également été utilisés comme résistances commandées en tension. Étant donné que la plupart des MOSFET d'aujourd'hui ont tendance à être en «mode d'amélioration», cela signifie que la polarisation requise à la grille est une tension positive pour activer le courant de drain afin d'abaisser son R

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