Spannung am Drain Q1 des MOSFET Taschenrechner

✖Der Gesamtlastwiderstand des MOSFET umfasst sowohl den intrinsischen Drain-Source-Widerstand des MOSFET als auch den externen Lastwiderstand, der mit dem Drain-Anschluss verbunden ist.ⓘ Gesamtlastwiderstand des MOSFET [R_tl]			+10% -10%
✖Der Ausgangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand einer elektronischen Schaltung gegenüber dem Stromfluss, wenn eine Last an ihren Ausgang angeschlossen ist.ⓘ Ausgangswiderstand [R_out]			+10% -10%
✖Ein Gleichtakt-Eingangssignal ist eine Art elektrisches Signal, das an beiden Eingangsanschlüssen eines Differenzverstärkers gleichermaßen auftritt.ⓘ Gleichtakt-Eingangssignal [V_cin]			+10% -10%

✖Die Ausgangsspannung ist die elektrische Potentialdifferenz, die von einer Stromversorgung an eine Last geliefert wird, und sie spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung der Leistung und Zuverlässigkeit elektronischer Systeme.ⓘ Spannung am Drain Q1 des MOSFET [V_out]

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Formel

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Spannung am Drain Q1 des MOSFET

Formel

`"V"_{"out"} = -("R"_{"tl"}/(2*"R"_{"out"}))*"V"_{"cin"}`

Beispiel

`"-73.406667V"=-("7.8kΩ"/(2*"4.5kΩ"))*"84.7V"`

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Spannung am Drain Q1 des MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Ausgangsspannung = -(Gesamtlastwiderstand des MOSFET/(2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal
V_out = -(R_tl/(2*R_out))*V_cin
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Ausgangsspannung - (Gemessen in Volt) - Die Ausgangsspannung ist die elektrische Potentialdifferenz, die von einer Stromversorgung an eine Last geliefert wird, und sie spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung der Leistung und Zuverlässigkeit elektronischer Systeme.
Gesamtlastwiderstand des MOSFET - (Gemessen in Ohm) - Der Gesamtlastwiderstand des MOSFET umfasst sowohl den intrinsischen Drain-Source-Widerstand des MOSFET als auch den externen Lastwiderstand, der mit dem Drain-Anschluss verbunden ist.
Ausgangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Ausgangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand einer elektronischen Schaltung gegenüber dem Stromfluss, wenn eine Last an ihren Ausgang angeschlossen ist.
Gleichtakt-Eingangssignal - (Gemessen in Volt) - Ein Gleichtakt-Eingangssignal ist eine Art elektrisches Signal, das an beiden Eingangsanschlüssen eines Differenzverstärkers gleichermaßen auftritt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Gesamtlastwiderstand des MOSFET: 7.8 Kiloohm --> 7800 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Ausgangswiderstand: 4.5 Kiloohm --> 4500 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gleichtakt-Eingangssignal: 84.7 Volt --> 84.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_out = -(R_tl/(2*R_out))*V_cin --> -(7800/(2*4500))*84.7

Auswerten ... ...

V_out = -73.4066666666667

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

-73.4066666666667 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

-73.4066666666667 ≈ -73.406667 Volt <-- Ausgangsspannung

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Prahalad Singh

Jaipur Engineering College und Forschungszentrum (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner verifiziert!

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Leitfähigkeit des Kanals des MOSFET unter Verwendung der Gate-Source-Spannung

Gehen Leitfähigkeit des Kanals = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite/Kanallänge*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)

Gemeinsame Gate-Ausgangsspannung

Gehen Ausgangsspannung = -(Steilheit*Kritische Spannung)*((Lastwiderstand*Torwiderstand)/(Torwiderstand+Lastwiderstand))

Eingangsspannung der Quelle

Gehen Eingangsspannung der Quelle = Eingangsspannung*(Widerstand des Eingangsverstärkers/(Widerstand des Eingangsverstärkers+Äquivalenter Quellenwiderstand))

Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung

Gehen Gate-Source-Spannung = Grenzspannung+sqrt((2*DC-Vorstrom)/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis))

Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET bei Gleichtaktsignal

Gehen Drain-Spannung Q1 = -Ausgangswiderstand*(Steilheit*Gleichtakt-Eingangssignal)/(1+(2*Steilheit*Ausgangswiderstand))

Eingangs-Gate-Source-Spannung

Gehen Kritische Spannung = (Widerstand des Eingangsverstärkers/(Widerstand des Eingangsverstärkers+Äquivalenter Quellenwiderstand))*Eingangsspannung

Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET bei Gleichtaktsignal

Gehen Drain-Spannung Q2 = -(Ausgangswiderstand/((1/Steilheit)+2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal

Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom

Gehen Gate-Source-Spannung = Eingangsstrom/(Winkelfrequenz*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))

Positive Spannung bei gegebenem Geräteparameter im MOSFET

Gehen Eingangsstrom = Gate-Source-Spannung*(Winkelfrequenz*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))

Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert

Gehen Steilheit = Gesamtstrom/(Gleichtakt-Eingangssignal-(2*Gesamtstrom*Ausgangswiderstand))

Inkrementelles Spannungssignal des Differenzverstärkers

Gehen Gleichtakt-Eingangssignal = (Gesamtstrom/Steilheit)+(2*Gesamtstrom*Ausgangswiderstand)

Spannung am Drain Q1 des MOSFET

Gehen Ausgangsspannung = -(Gesamtlastwiderstand des MOSFET/(2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal

Spannung am Drain Q2 im MOSFET

Gehen Ausgangsspannung = -(Gesamtlastwiderstand des MOSFET/(2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal

Sättigungsspannung des MOSFET

Gehen Drain- und Source-Sättigungsspannung = Gate-Source-Spannung-Grenzspannung

Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei differentieller Eingangsspannung bei gegebener Overdrive-Spannung

Gehen Gate-Source-Spannung = Grenzspannung+1.4*Effektive Spannung

Schwellenspannung, wenn MOSFET als Verstärker fungiert

Gehen Grenzspannung = Gate-Source-Spannung-Effektive Spannung

Schwellenspannung des MOSFET

Gehen Grenzspannung = Gate-Source-Spannung-Effektive Spannung

Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET

Gehen Drain-Spannung Q1 = -(Ausgangswiderstand*Gesamtstrom)

Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET

Gehen Drain-Spannung Q2 = -(Ausgangswiderstand*Gesamtstrom)

Overdrive-Spannung

Gehen Overdrive-Spannung = (2*Stromverbrauch)/Steilheit

Spannung am Drain Q1 des MOSFET Formel

Ausgangsspannung = -(Gesamtlastwiderstand des MOSFET/(2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal
V_out = -(R_tl/(2*R_out))*V_cin

Wie wirkt der MOSFET als Verstärker?

Eine kleine Änderung der Gate-Spannung erzeugt eine große Änderung des Drain-Stroms wie beim JFET. Diese Tatsache macht den MOSFET in der Lage, die Stärke eines schwachen Signals zu erhöhen; somit als Verstärker wirkend. Während der positiven Halbwelle des Signals steigt die positive Spannung am Gate an und erzeugt den Verbesserungsmodus.

Wie steuert der MOSFET die Spannung?

MOSFETs wurden auch als spannungsgesteuerte Widerstände verwendet. Da die meisten MOSFETs heutzutage dazu neigen, "Verbesserungsmodus" zu sein, bedeutet dies, dass die erforderliche Vorspannung am Gate eine positive Spannung ist, um den Drainstrom einzuschalten und sein R zu senken

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