MOSFET छोटे सिग्नल का ड्रेन करंट कैलकुलेटर

✖इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ जो औसत दूरी का प्रतिनिधित्व करता है, एक इलेक्ट्रॉन ठोस अवस्था डिवाइस के भीतर अशुद्धियों, हार, या अन्य बाधाओं के साथ बिखरने के बिना यात्रा कर सकता है।ⓘ इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ [λ]			+10% -10%
✖आउटपुट प्रतिरोध एक इलेक्ट्रॉनिक सर्किट के वर्तमान प्रवाह के प्रतिरोध को संदर्भित करता है जब कोई लोड उसके आउटपुट से जुड़ा होता है।ⓘ आउटपुट प्रतिरोध [R_out]			+10% -10%

✖ड्रेन करंट वह करंट है जो फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) के ड्रेन और स्रोत टर्मिनलों के बीच प्रवाहित होता है, जो एक प्रकार का ट्रांजिस्टर है जो आमतौर पर इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में उपयोग किया जाता है।ⓘ MOSFET छोटे सिग्नल का ड्रेन करंट [i_d]

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सूत्र

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MOSFET छोटे सिग्नल का ड्रेन करंट

सूत्र

`"i"_{"d"} = 1/("λ"*"R"_{"out"})`

उदाहरण

`"0.079936mA"=1/("2.78"*"4.5kΩ")`

कैलकुलेटर

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MOSFET छोटे सिग्नल का ड्रेन करंट उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

जल निकासी धारा = 1/(इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ*आउटपुट प्रतिरोध)
i_d = 1/(λ*R_out)
यह सूत्र 3 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

जल निकासी धारा - (में मापा गया एम्पेयर) - ड्रेन करंट वह करंट है जो फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) के ड्रेन और स्रोत टर्मिनलों के बीच प्रवाहित होता है, जो एक प्रकार का ट्रांजिस्टर है जो आमतौर पर इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में उपयोग किया जाता है।
इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ - इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ जो औसत दूरी का प्रतिनिधित्व करता है, एक इलेक्ट्रॉन ठोस अवस्था डिवाइस के भीतर अशुद्धियों, हार, या अन्य बाधाओं के साथ बिखरने के बिना यात्रा कर सकता है।
आउटपुट प्रतिरोध - (में मापा गया ओम) - आउटपुट प्रतिरोध एक इलेक्ट्रॉनिक सर्किट के वर्तमान प्रवाह के प्रतिरोध को संदर्भित करता है जब कोई लोड उसके आउटपुट से जुड़ा होता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ: 2.78 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
आउटपुट प्रतिरोध: 4.5 किलोहम --> 4500 ओम (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

i_d = 1/(λ*R_out) --> 1/(2.78*4500)

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

i_d = 7.99360511590727E-05

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

7.99360511590727E-05 एम्पेयर -->0.0799360511590727 मिलीएम्पियर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

0.0799360511590727 ≈ 0.079936 मिलीएम्पियर <-- जल निकासी धारा

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया

बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी

पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़

विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 15 लघु संकेत विश्लेषण कैलक्युलेटर्स

इनपुट प्रतिरोध के संबंध में छोटा सिग्नल वोल्टेज लाभ

जाओ वोल्टेज बढ़ना = (इनपुट एम्पलीफायर प्रतिरोध/(इनपुट एम्पलीफायर प्रतिरोध+स्व-प्रेरित प्रतिरोध))*((स्रोत प्रतिरोध*आउटपुट प्रतिरोध)/(स्रोत प्रतिरोध+आउटपुट प्रतिरोध))/(1/transconductance+((स्रोत प्रतिरोध*आउटपुट प्रतिरोध)/(स्रोत प्रतिरोध+आउटपुट प्रतिरोध)))

छोटे सिग्नल प्रतिरोध के संबंध में गेट टू सोर्स वोल्टेज

जाओ गंभीर वोल्टेज = इनपुट वोल्टेज*((1/transconductance)/((1/transconductance)*((स्रोत प्रतिरोध*छोटा सिग्नल प्रतिरोध)/(स्रोत प्रतिरोध+छोटा सिग्नल प्रतिरोध))))

छोटे सिग्नल में सामान्य ड्रेन आउटपुट वोल्टेज

जाओ आउटपुट वोल्टेज = transconductance*गंभीर वोल्टेज*((स्रोत प्रतिरोध*छोटा सिग्नल प्रतिरोध)/(स्रोत प्रतिरोध+छोटा सिग्नल प्रतिरोध))

छोटे सिग्नल पी-चैनल का आउटपुट वोल्टेज

जाओ आउटपुट वोल्टेज = transconductance*गेट वोल्टेज का स्रोत*((आउटपुट प्रतिरोध*नाली प्रतिरोध)/(नाली प्रतिरोध+आउटपुट प्रतिरोध))

छोटे सिग्नल के लिए वोल्टेज लाभ

जाओ वोल्टेज बढ़ना = (transconductance*(1/((1/भार प्रतिरोध)+(1/नाली प्रतिरोध))))/(1+(transconductance*स्व-प्रेरित प्रतिरोध))

नाली प्रतिरोध के संबंध में लघु-सिग्नल वोल्टेज लाभ

जाओ वोल्टेज बढ़ना = (transconductance*((आउटपुट प्रतिरोध*नाली प्रतिरोध)/(आउटपुट प्रतिरोध+नाली प्रतिरोध)))

छोटे सिग्नल का आउटपुट करंट

जाओ आउटपुट करेंट = (transconductance*गंभीर वोल्टेज)*(नाली प्रतिरोध/(भार प्रतिरोध+नाली प्रतिरोध))

छोटे सिग्नल का इनपुट करंट

जाओ छोटे सिग्नल का इनपुट करंट = (गंभीर वोल्टेज*((1+transconductance*स्व-प्रेरित प्रतिरोध)/स्व-प्रेरित प्रतिरोध))

लघु सिग्नल MOSFET मॉडल के लिए प्रवर्धन कारक

जाओ प्रवर्धन कारक = 1/इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ*sqrt((2*प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर)/जल निकासी धारा)

ट्रांसकंडक्टेंस छोटे सिग्नल पैरामीटर दिए गए

जाओ transconductance = 2*ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर*(गेट टू सोर्स वोल्टेज का डीसी घटक-कुल वोल्टेज)

छोटे सिग्नल में गेट टू सोर्स वोल्टेज

जाओ गंभीर वोल्टेज = इनपुट वोल्टेज/(1+स्व-प्रेरित प्रतिरोध*transconductance)

छोटे सिग्नल का उपयोग करके वोल्टेज लाभ

जाओ वोल्टेज बढ़ना = transconductance*1/(1/भार प्रतिरोध+1/परिमित प्रतिरोध)

छोटा सिग्नल आउटपुट वोल्टेज

जाओ आउटपुट वोल्टेज = transconductance*गेट वोल्टेज का स्रोत*भार प्रतिरोध

MOSFET छोटे सिग्नल का ड्रेन करंट

जाओ जल निकासी धारा = 1/(इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ*आउटपुट प्रतिरोध)

लघु सिग्नल MOSFET मॉडल में प्रवर्धन कारक

जाओ प्रवर्धन कारक = transconductance*आउटपुट प्रतिरोध

MOSFET छोटे सिग्नल का ड्रेन करंट सूत्र

जल निकासी धारा = 1/(इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ*आउटपुट प्रतिरोध)
i_d = 1/(λ*R_out)

क्या MOSFET एक सममित डिवाइस है?

MOSFET एक सममित उपकरण है, इसलिए इसका उत्तर हां में है। हालाँकि यदि आपके सर्किट डिज़ाइन में आपने अपने शरीर को किसी एक टर्मिनल से बांधा है, तो आप चाहेंगे कि टर्मिनल स्रोत हो।

MOSFET छोटे सिग्नल का ड्रेन करंट की गणना कैसे करें?

MOSFET छोटे सिग्नल का ड्रेन करंट के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ (λ), इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ जो औसत दूरी का प्रतिनिधित्व करता है, एक इलेक्ट्रॉन ठोस अवस्था डिवाइस के भीतर अशुद्धियों, हार, या अन्य बाधाओं के साथ बिखरने के बिना यात्रा कर सकता है। के रूप में & आउटपुट प्रतिरोध (R_out), आउटपुट प्रतिरोध एक इलेक्ट्रॉनिक सर्किट के वर्तमान प्रवाह के प्रतिरोध को संदर्भित करता है जब कोई लोड उसके आउटपुट से जुड़ा होता है। के रूप में डालें। कृपया MOSFET छोटे सिग्नल का ड्रेन करंट गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

MOSFET छोटे सिग्नल का ड्रेन करंट गणना

MOSFET छोटे सिग्नल का ड्रेन करंट कैलकुलेटर, जल निकासी धारा की गणना करने के लिए Drain Current = 1/(इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ*आउटपुट प्रतिरोध) का उपयोग करता है। MOSFET छोटे सिग्नल का ड्रेन करंट i_d को एमओएसएफईटी का ड्रेन करंट स्मॉल सिग्नल एनएमओएस के ड्रेन टर्मिनल में प्रवेश कर रहा है, एमओएसएफईटी केवल एक दिशा में प्रवाहित करंट को स्विच करता है; उनके पास दूसरी दिशा में स्रोत और नाली के बीच एक डायोड है (दूसरे शब्दों में, यदि नाली (एन-चैनल डिवाइस पर) स्रोत पर वोल्टेज से नीचे गिरती है, तो धारा स्रोत से नाली में प्रवाहित होगी)। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ MOSFET छोटे सिग्नल का ड्रेन करंट गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 79.93605 = 1/(2.78*4500). आप और अधिक MOSFET छोटे सिग्नल का ड्रेन करंट उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

MOSFET छोटे सिग्नल का ड्रेन करंट क्या है?

MOSFET छोटे सिग्नल का ड्रेन करंट एमओएसएफईटी का ड्रेन करंट स्मॉल सिग्नल एनएमओएस के ड्रेन टर्मिनल में प्रवेश कर रहा है, एमओएसएफईटी केवल एक दिशा में प्रवाहित करंट को स्विच करता है; उनके पास दूसरी दिशा में स्रोत और नाली के बीच एक डायोड है (दूसरे शब्दों में, यदि नाली (एन-चैनल डिवाइस पर) स्रोत पर वोल्टेज से नीचे गिरती है, तो धारा स्रोत से नाली में प्रवाहित होगी)। है और इसे i_d = 1/(λ*R_out) या Drain Current = 1/(इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ*आउटपुट प्रतिरोध) के रूप में दर्शाया जाता है।

MOSFET छोटे सिग्नल का ड्रेन करंट की गणना कैसे करें?

MOSFET छोटे सिग्नल का ड्रेन करंट को एमओएसएफईटी का ड्रेन करंट स्मॉल सिग्नल एनएमओएस के ड्रेन टर्मिनल में प्रवेश कर रहा है, एमओएसएफईटी केवल एक दिशा में प्रवाहित करंट को स्विच करता है; उनके पास दूसरी दिशा में स्रोत और नाली के बीच एक डायोड है (दूसरे शब्दों में, यदि नाली (एन-चैनल डिवाइस पर) स्रोत पर वोल्टेज से नीचे गिरती है, तो धारा स्रोत से नाली में प्रवाहित होगी)। Drain Current = 1/(इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ*आउटपुट प्रतिरोध) i_d = 1/(λ*R_out) के रूप में परिभाषित किया गया है। MOSFET छोटे सिग्नल का ड्रेन करंट की गणना करने के लिए, आपको इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ (λ) & आउटपुट प्रतिरोध (R_out) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ जो औसत दूरी का प्रतिनिधित्व करता है, एक इलेक्ट्रॉन ठोस अवस्था डिवाइस के भीतर अशुद्धियों, हार, या अन्य बाधाओं के साथ बिखरने के बिना यात्रा कर सकता है। & आउटपुट प्रतिरोध एक इलेक्ट्रॉनिक सर्किट के वर्तमान प्रवाह के प्रतिरोध को संदर्भित करता है जब कोई लोड उसके आउटपुट से जुड़ा होता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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