आसवन कॉलम डिजाइन में सूखी प्लेट दबाव ड्रॉप कैलकुलेटर

✖छिद्र क्षेत्र के आधार पर वाष्प वेग को स्तंभ से गुजरने वाले वाष्प के लिए उपलब्ध छिद्र क्षेत्र के आधार पर वास्तविक वाष्प वेग के रूप में परिभाषित किया गया है।ⓘ छिद्र क्षेत्र के आधार पर वाष्प वेग [U_h]			+10% -10%
✖छिद्र गुणांक एक स्थिरांक है जो प्लेट की मोटाई, छेद के व्यास और छेद और छिद्रित क्षेत्र के अनुपात पर निर्भर करता है।ⓘ छिद्र गुणांक [C_o]			+10% -10%
✖आसवन में वाष्प घनत्व को आसवन कॉलम में विशेष तापमान पर वाष्प की मात्रा के द्रव्यमान के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है।ⓘ आसवन में वाष्प घनत्व [ρ_V]			+10% -10%
✖तरल घनत्व को दिए गए तरल पदार्थ के द्रव्यमान और उसके द्वारा घेरे गए आयतन के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है।ⓘ तरल घनत्व [ρ_L]			+10% -10%

✖ड्राई प्लेट हेड लॉस छिद्रों के माध्यम से वाष्प प्रवाह के कारण दबाव में होने वाली हानि है जिसे हेड के संदर्भ में व्यक्त किया जाता है।ⓘ आसवन कॉलम डिजाइन में सूखी प्लेट दबाव ड्रॉप [h_d]

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सूत्र

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आसवन कॉलम डिजाइन में सूखी प्लेट दबाव ड्रॉप

सूत्र

`"h"_{"d"} = 51*(("U"_{"h"}/"C"_{"o"})^2)*("ρ"_{"V"}/"ρ"_{"L"})`

उदाहरण

`"52.21576m"=51*(("20.2585m/s"/"0.83")^2)*("1.71kg/m³"/"995kg/m³")`

कैलकुलेटर

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आसवन कॉलम डिजाइन में सूखी प्लेट दबाव ड्रॉप उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

ड्राई प्लेट हेड लॉस = 51*((छिद्र क्षेत्र के आधार पर वाष्प वेग/छिद्र गुणांक)^2)*(आसवन में वाष्प घनत्व/तरल घनत्व)
h_d = 51*((U_h/C_o)^2)*(ρ_V/ρ_L)
यह सूत्र 5 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

ड्राई प्लेट हेड लॉस - (में मापा गया मीटर) - ड्राई प्लेट हेड लॉस छिद्रों के माध्यम से वाष्प प्रवाह के कारण दबाव में होने वाली हानि है जिसे हेड के संदर्भ में व्यक्त किया जाता है।
छिद्र क्षेत्र के आधार पर वाष्प वेग - (में मापा गया मीटर प्रति सेकंड) - छिद्र क्षेत्र के आधार पर वाष्प वेग को स्तंभ से गुजरने वाले वाष्प के लिए उपलब्ध छिद्र क्षेत्र के आधार पर वास्तविक वाष्प वेग के रूप में परिभाषित किया गया है।
छिद्र गुणांक - छिद्र गुणांक एक स्थिरांक है जो प्लेट की मोटाई, छेद के व्यास और छेद और छिद्रित क्षेत्र के अनुपात पर निर्भर करता है।
आसवन में वाष्प घनत्व - (में मापा गया किलोग्राम प्रति घन मीटर) - आसवन में वाष्प घनत्व को आसवन कॉलम में विशेष तापमान पर वाष्प की मात्रा के द्रव्यमान के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है।
तरल घनत्व - (में मापा गया किलोग्राम प्रति घन मीटर) - तरल घनत्व को दिए गए तरल पदार्थ के द्रव्यमान और उसके द्वारा घेरे गए आयतन के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

छिद्र क्षेत्र के आधार पर वाष्प वेग: 20.2585 मीटर प्रति सेकंड --> 20.2585 मीटर प्रति सेकंड कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
छिद्र गुणांक: 0.83 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
आसवन में वाष्प घनत्व: 1.71 किलोग्राम प्रति घन मीटर --> 1.71 किलोग्राम प्रति घन मीटर कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
तरल घनत्व: 995 किलोग्राम प्रति घन मीटर --> 995 किलोग्राम प्रति घन मीटर कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

h_d = 51*((U_h/C_o)^2)*(ρ_V/ρ_L) --> 51*((20.2585/0.83)^2)*(1.71/995)

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

h_d = 52.21575867204

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

52.21575867204 मीटर --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

52.21575867204 ≈ 52.21576 मीटर <-- ड्राई प्लेट हेड लॉस

(गणना 00.020 सेकंड में पूरी हुई)

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई ऋषि वडोदरिया

मालवीय राष्ट्रीय प्रौद्योगिकी संस्थान (एमएनआईटी जयपुर), जयपुर

ऋषि वडोदरिया ने इस कैलकुलेटर और 200+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित वैभव मिश्रा

डीजे संघवी कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग (डीजेएससीई), मुंबई

वैभव मिश्रा ने इस कैलकुलेटर और 200+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 25 आसवन टॉवर डिजाइन कैलक्युलेटर्स

सामान्य क्वथनांक और वाष्पीकरण की गुप्त गर्मी के आधार पर दो घटकों की सापेक्ष अस्थिरता

जाओ सापेक्ष अस्थिरता = exp(0.25164*((1/घटक का सामान्य क्वथनांक 1)-(1/घटक 2 का सामान्य क्वथनांक))*(घटक 1 के वाष्पीकरण की गुप्त ऊष्मा+घटक 2 के वाष्पीकरण की गुप्त ऊष्मा))

प्लेट रिक्ति और द्रव घनत्व को देखते हुए अधिकतम स्वीकार्य वाष्प वेग

जाओ अधिकतम स्वीकार्य वाष्प वेग = (-0.171*(प्लेट रिक्ति)^2+0.27*प्लेट रिक्ति-0.047)*((तरल घनत्व-आसवन में वाष्प घनत्व)/आसवन में वाष्प घनत्व)^0.5

कॉलम का व्यास अधिकतम वाष्प दर और अधिकतम वाष्प वेग दिया गया है

जाओ स्तम्भ व्यास = sqrt((4*वाष्प द्रव्यमान प्रवाह दर)/(pi*आसवन में वाष्प घनत्व*अधिकतम स्वीकार्य वाष्प वेग))

टॉवर क्रॉस अनुभागीय क्षेत्र को गैस वॉल्यूमेट्रिक प्रवाह और बाढ़ का वेग दिया गया है

जाओ टावर क्रॉस अनुभागीय क्षेत्र = वॉल्यूमेट्रिक गैस प्रवाह/((बाढ़ वेग के लिए आंशिक दृष्टिकोण*बाढ़ का वेग)*(1-आंशिक डाउनकमर क्षेत्र))

आसवन कॉलम डिजाइन में सूखी प्लेट दबाव ड्रॉप

जाओ ड्राई प्लेट हेड लॉस = 51*((छिद्र क्षेत्र के आधार पर वाष्प वेग/छिद्र गुणांक)^2)*(आसवन में वाष्प घनत्व/तरल घनत्व)

बबल कैप ट्रे का उपयोग करके अधिकतम स्वीकार्य द्रव्यमान वेग

जाओ अधिकतम स्वीकार्य द्रव्यमान वेग = प्रवेश कारक*(आसवन में वाष्प घनत्व*(तरल घनत्व-आसवन में वाष्प घनत्व)^(1/2))

आसवन स्तंभ डिजाइन में तरल वाष्प प्रवाह कारक

जाओ प्रवाह कारक = (तरल द्रव्यमान प्रवाह दर/वाष्प द्रव्यमान प्रवाह दर)*((आसवन में वाष्प घनत्व/तरल घनत्व)^0.5)

आसवन स्तंभ डिज़ाइन में वीप पॉइंट वेग

जाओ छेद क्षेत्र के आधार पर वीप पॉइंट वाष्प वेग = (वीप पॉइंट सहसंबंध स्थिरांक-0.90*(25.4-छेद व्यास))/((आसवन में वाष्प घनत्व)^0.5)

न्यूनतम बाह्य भाटा दी गई रचनाएँ

जाओ बाह्य भाटा अनुपात = (आसुत रचना-संतुलन वाष्प संरचना)/(संतुलन वाष्प संरचना-संतुलन तरल संरचना)

आसवन स्तंभ डिजाइन में बाढ़ का वेग

जाओ बाढ़ का वेग = क्षमता का घटक*((तरल घनत्व-आसवन में वाष्प घनत्व)/आसवन में वाष्प घनत्व)^0.5

आसवन कॉलम में डाउनकमर निवास समय

जाओ निवास समय = (डाउनकमर क्षेत्र*तरल बैकअप साफ़ करें*तरल घनत्व)/तरल द्रव्यमान प्रवाह दर

न्यूनतम आंतरिक भाटा दी गई रचनाएँ

जाओ आंतरिक भाटा अनुपात = (आसुत रचना-संतुलन वाष्प संरचना)/(आसुत रचना-संतुलन तरल संरचना)

स्तंभ का व्यास वाष्प प्रवाह दर और वाष्प के द्रव्यमान वेग पर आधारित है

जाओ स्तम्भ व्यास = ((4*वाष्प द्रव्यमान प्रवाह दर)/(pi*अधिकतम स्वीकार्य द्रव्यमान वेग))^(1/2)

वियर के ऊपर लिक्विड क्रेस्ट की ऊंचाई

जाओ वियर क्रेस्ट = (750/1000)*((तरल द्रव्यमान प्रवाह दर/(मेड़ की लंबाई*तरल घनत्व))^(2/3))

ट्रे टॉवर के डाउनकमर में सिर का नुकसान

जाओ डाउनकमर हेडलॉस = 166*((तरल द्रव्यमान प्रवाह दर/(तरल घनत्व*डाउनकमर क्षेत्र)))^2

सक्रिय क्षेत्र को गैस वॉल्यूमेट्रिक प्रवाह और प्रवाह वेग दिया गया है

जाओ सक्रिय क्षेत्र = वॉल्यूमेट्रिक गैस प्रवाह/(आंशिक डाउनकमर क्षेत्र*बाढ़ का वेग)

तरल और आसुत प्रवाह दर पर आधारित आंतरिक भाटा अनुपात

जाओ आंतरिक भाटा अनुपात = तरल भाटा प्रवाह दर/(तरल भाटा प्रवाह दर+आसुत प्रवाह दर)

आंशिक सक्रिय क्षेत्र को डाउनकमर क्षेत्र और कुल स्तंभ क्षेत्र दिया गया है

जाओ आंशिक सक्रिय क्षेत्र = 1-2*(डाउनकमर क्षेत्र/टावर क्रॉस अनुभागीय क्षेत्र)

आंशिक डाउनकमर क्षेत्र को कुल क्रॉस अनुभागीय क्षेत्र दिया गया है

जाओ आंशिक डाउनकमर क्षेत्र = 2*(डाउनकमर क्षेत्र/टावर क्रॉस अनुभागीय क्षेत्र)

टॉवर क्रॉस अनुभागीय क्षेत्र को आंशिक सक्रिय क्षेत्र दिया गया है

जाओ टावर क्रॉस अनुभागीय क्षेत्र = सक्रिय क्षेत्र/(1-आंशिक डाउनकमर क्षेत्र)

टावर क्रॉस अनुभागीय क्षेत्र को सक्रिय क्षेत्र दिया गया है

जाओ टावर क्रॉस अनुभागीय क्षेत्र = सक्रिय क्षेत्र/(1-आंशिक डाउनकमर क्षेत्र)

डाउनकमर के अंतर्गत क्लीयरेंस एरिया को वियर की लंबाई और एप्रन की ऊंचाई दी गई है

जाओ डाउनकमर के अंतर्गत निकासी क्षेत्र = एप्रन की ऊंचाई*मेड़ की लंबाई

आंतरिक भाटा अनुपात दिया गया बाह्य भाटा अनुपात

जाओ आंतरिक भाटा अनुपात = बाह्य भाटा अनुपात/(बाह्य भाटा अनुपात+1)

आंशिक सक्रिय क्षेत्र को आंशिक डाउनकमर क्षेत्र दिया गया है

जाओ आंशिक सक्रिय क्षेत्र = 1-आंशिक डाउनकमर क्षेत्र

आसवन स्तंभ में दबाव में अवशिष्ट शीर्ष हानि

जाओ अवशिष्ट सिर हानि = (12.5*10^3)/तरल घनत्व

आसवन कॉलम डिजाइन में सूखी प्लेट दबाव ड्रॉप सूत्र

ड्राई प्लेट हेड लॉस = 51*((छिद्र क्षेत्र के आधार पर वाष्प वेग/छिद्र गुणांक)^2)*(आसवन में वाष्प घनत्व/तरल घनत्व)
h_d = 51*((U_h/C_o)^2)*(ρ_V/ρ_L)

आसवन कॉलम डिजाइन में सूखी प्लेट दबाव ड्रॉप की गणना कैसे करें?

आसवन कॉलम डिजाइन में सूखी प्लेट दबाव ड्रॉप के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया छिद्र क्षेत्र के आधार पर वाष्प वेग (U_h), छिद्र क्षेत्र के आधार पर वाष्प वेग को स्तंभ से गुजरने वाले वाष्प के लिए उपलब्ध छिद्र क्षेत्र के आधार पर वास्तविक वाष्प वेग के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में, छिद्र गुणांक (C_o), छिद्र गुणांक एक स्थिरांक है जो प्लेट की मोटाई, छेद के व्यास और छेद और छिद्रित क्षेत्र के अनुपात पर निर्भर करता है। के रूप में, आसवन में वाष्प घनत्व (ρ_V), आसवन में वाष्प घनत्व को आसवन कॉलम में विशेष तापमान पर वाष्प की मात्रा के द्रव्यमान के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में & तरल घनत्व (ρ_L), तरल घनत्व को दिए गए तरल पदार्थ के द्रव्यमान और उसके द्वारा घेरे गए आयतन के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में डालें। कृपया आसवन कॉलम डिजाइन में सूखी प्लेट दबाव ड्रॉप गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

आसवन कॉलम डिजाइन में सूखी प्लेट दबाव ड्रॉप गणना

आसवन कॉलम डिजाइन में सूखी प्लेट दबाव ड्रॉप कैलकुलेटर, ड्राई प्लेट हेड लॉस की गणना करने के लिए Dry Plate Head Loss = 51*((छिद्र क्षेत्र के आधार पर वाष्प वेग/छिद्र गुणांक)^2)*(आसवन में वाष्प घनत्व/तरल घनत्व) का उपयोग करता है। आसवन कॉलम डिजाइन में सूखी प्लेट दबाव ड्रॉप h_d को डिस्टिलेशन कॉलम डिजाइन फॉर्मूला में ड्राई प्लेट प्रेशर ड्रॉप को एक कॉलम में ट्रे के छेद (छिद्र) के माध्यम से वाष्प के प्रवाह के कारण दबाव में कमी के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ आसवन कॉलम डिजाइन में सूखी प्लेट दबाव ड्रॉप गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 52.21576 = 51*((20.2585/0.83)^2)*(1.71/995). आप और अधिक आसवन कॉलम डिजाइन में सूखी प्लेट दबाव ड्रॉप उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

आसवन कॉलम डिजाइन में सूखी प्लेट दबाव ड्रॉप क्या है?

आसवन कॉलम डिजाइन में सूखी प्लेट दबाव ड्रॉप डिस्टिलेशन कॉलम डिजाइन फॉर्मूला में ड्राई प्लेट प्रेशर ड्रॉप को एक कॉलम में ट्रे के छेद (छिद्र) के माध्यम से वाष्प के प्रवाह के कारण दबाव में कमी के रूप में परिभाषित किया गया है। है और इसे h_d = 51*((U_h/C_o)^2)*(ρ_V/ρ_L) या Dry Plate Head Loss = 51*((छिद्र क्षेत्र के आधार पर वाष्प वेग/छिद्र गुणांक)^2)*(आसवन में वाष्प घनत्व/तरल घनत्व) के रूप में दर्शाया जाता है।

आसवन कॉलम डिजाइन में सूखी प्लेट दबाव ड्रॉप की गणना कैसे करें?

आसवन कॉलम डिजाइन में सूखी प्लेट दबाव ड्रॉप को डिस्टिलेशन कॉलम डिजाइन फॉर्मूला में ड्राई प्लेट प्रेशर ड्रॉप को एक कॉलम में ट्रे के छेद (छिद्र) के माध्यम से वाष्प के प्रवाह के कारण दबाव में कमी के रूप में परिभाषित किया गया है। Dry Plate Head Loss = 51*((छिद्र क्षेत्र के आधार पर वाष्प वेग/छिद्र गुणांक)^2)*(आसवन में वाष्प घनत्व/तरल घनत्व) h_d = 51*((U_h/C_o)^2)*(ρ_V/ρ_L) के रूप में परिभाषित किया गया है। आसवन कॉलम डिजाइन में सूखी प्लेट दबाव ड्रॉप की गणना करने के लिए, आपको छिद्र क्षेत्र के आधार पर वाष्प वेग (U_h), छिद्र गुणांक (C_o), आसवन में वाष्प घनत्व (ρ_V) & तरल घनत्व (ρ_L) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको छिद्र क्षेत्र के आधार पर वाष्प वेग को स्तंभ से गुजरने वाले वाष्प के लिए उपलब्ध छिद्र क्षेत्र के आधार पर वास्तविक वाष्प वेग के रूप में परिभाषित किया गया है।, छिद्र गुणांक एक स्थिरांक है जो प्लेट की मोटाई, छेद के व्यास और छेद और छिद्रित क्षेत्र के अनुपात पर निर्भर करता है।, आसवन में वाष्प घनत्व को आसवन कॉलम में विशेष तापमान पर वाष्प की मात्रा के द्रव्यमान के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। & तरल घनत्व को दिए गए तरल पदार्थ के द्रव्यमान और उसके द्वारा घेरे गए आयतन के अनुपात के रूप में परिभाषित किया गया है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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