थ्रेशोल्ड वोल्टेज जब स्रोत बॉडी पोटेंशियल पर हो कैलकुलेटर

✖एक सेमीओएस डिवाइस में डीआईबीएल गुणांक आमतौर पर 0.1 के क्रम पर दर्शाया जाता है।ⓘ डीआईबीएल गुणांक [η]			+10% -10%
✖नाली से स्रोत तक की क्षमता नाली और स्रोत के बीच की क्षमता है।ⓘ स्रोत क्षमता के लिए नाली [V_ds]			+10% -10%
✖ट्रांजिस्टर का थ्रेसहोल्ड वोल्टेज स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच संचालन पथ बनाने के लिए आवश्यक न्यूनतम गेट टू सोर्स वोल्टेज है।ⓘ सीमा वोल्टेज [V_t]			+10% -10%

✖थ्रेशोल्ड वोल्टेज डिबल को शरीर की क्षमता के स्रोत जंक्शन के लिए आवश्यक न्यूनतम वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है, जब स्रोत शरीर की क्षमता पर होता है।ⓘ थ्रेशोल्ड वोल्टेज जब स्रोत बॉडी पोटेंशियल पर हो [V_t0]

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सूत्र

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थ्रेशोल्ड वोल्टेज जब स्रोत बॉडी पोटेंशियल पर हो

सूत्र

`"V"_{"t0"} = "η"*"V"_{"ds"}+"V"_{"t"}`

उदाहरण

`"0.59V"="0.2"*"1.45V"+"0.3V"`

कैलकुलेटर

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थ्रेशोल्ड वोल्टेज जब स्रोत बॉडी पोटेंशियल पर हो उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल = डीआईबीएल गुणांक*स्रोत क्षमता के लिए नाली+सीमा वोल्टेज
V_t0 = η*V_ds+V_t
यह सूत्र 4 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल - (में मापा गया वोल्ट) - थ्रेशोल्ड वोल्टेज डिबल को शरीर की क्षमता के स्रोत जंक्शन के लिए आवश्यक न्यूनतम वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है, जब स्रोत शरीर की क्षमता पर होता है।
डीआईबीएल गुणांक - एक सेमीओएस डिवाइस में डीआईबीएल गुणांक आमतौर पर 0.1 के क्रम पर दर्शाया जाता है।
स्रोत क्षमता के लिए नाली - (में मापा गया वोल्ट) - नाली से स्रोत तक की क्षमता नाली और स्रोत के बीच की क्षमता है।
सीमा वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - ट्रांजिस्टर का थ्रेसहोल्ड वोल्टेज स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच संचालन पथ बनाने के लिए आवश्यक न्यूनतम गेट टू सोर्स वोल्टेज है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

डीआईबीएल गुणांक: 0.2 --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
स्रोत क्षमता के लिए नाली: 1.45 वोल्ट --> 1.45 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
सीमा वोल्टेज: 0.3 वोल्ट --> 0.3 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

V_t0 = η*V_ds+V_t --> 0.2*1.45+0.3

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

V_t0 = 0.59

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

0.59 वोल्ट --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

0.59 वोल्ट <-- दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल

(गणना 00.020 सेकंड में पूरी हुई)

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई शोभित डिमरी

बिपिन त्रिपाठी कुमाऊँ प्रौद्योगिकी संस्थान (BTKIT), द्वाराहाट

शोभित डिमरी ने इस कैलकुलेटर और 900+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़

विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 25 वीएलएसआई सामग्री अनुकूलन कैलक्युलेटर्स

थोक ह्रास क्षेत्र चार्ज घनत्व वीएलएसआई

जाओ थोक ह्रास क्षेत्र चार्ज घनत्व = -(1-((स्रोत सहित ह्रास क्षेत्र का पार्श्विक विस्तार+अपवाह के साथ क्षय क्षेत्र का पार्श्विक विस्तार)/(2*चैनल की लंबाई)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*स्वीकर्ता एकाग्रता*abs(2*सतही क्षमता))

शारीरिक प्रभाव गुणांक

जाओ शारीरिक प्रभाव गुणांक = modulus((सीमा वोल्टेज-दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल)/(sqrt(सतही क्षमता+(स्रोत शारीरिक संभावित अंतर))-sqrt(सतही क्षमता)))

स्रोत वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन कमी गहराई

जाओ स्रोत के साथ पीएन जंक्शन कमी गहराई = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज)/([Charge-e]*स्वीकर्ता एकाग्रता))

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई

जाओ जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज = ([BoltZ]*तापमान/[Charge-e])*ln(स्वीकर्ता एकाग्रता*दाता एकाग्रता/(आंतरिक एकाग्रता)^2)

कुल स्रोत परजीवी समाई

जाओ स्रोत परजीवी समाई = (शरीर और स्रोत के जंक्शन के बीच समाई*स्रोत प्रसार का क्षेत्र)+(बॉडी के जंक्शन और साइड की दीवार के बीच की क्षमता*स्रोत प्रसार की साइडवॉल परिधि)

लघु चैनल संतृप्ति धारा वीएलएसआई

जाओ लघु चैनल संतृप्ति धारा = चैनल की चौड़ाई*संतृप्ति इलेक्ट्रॉन बहाव वेग*प्रति इकाई क्षेत्र ऑक्साइड धारिता*संतृप्ति नाली स्रोत वोल्टेज

जंक्शन करंट

जाओ जंक्शन करंट = (स्थैतिक शक्ति/बेस कलेक्टर वोल्टेज)-(उप दहलीज धारा+विवाद वर्तमान+गेट करंट)

भूतल क्षमता

जाओ सतही क्षमता = 2*स्रोत शारीरिक संभावित अंतर*ln(स्वीकर्ता एकाग्रता/आंतरिक एकाग्रता)

डीआईबीएल गुणांक

जाओ डीआईबीएल गुणांक = (दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल-सीमा वोल्टेज)/स्रोत क्षमता के लिए नाली

थ्रेशोल्ड वोल्टेज जब स्रोत बॉडी पोटेंशियल पर हो

जाओ दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल = डीआईबीएल गुणांक*स्रोत क्षमता के लिए नाली+सीमा वोल्टेज

गेट ऑक्साइड कैपेसिटेंस का उपयोग करके गेट की लंबाई

जाओ गेट की लंबाई = गेट कैपेसिटेंस/(गेट ऑक्साइड परत की धारिता*गेट की चौड़ाई)

गेट ऑक्साइड कैपेसिटेंस

जाओ गेट ऑक्साइड परत की धारिता = गेट कैपेसिटेंस/(गेट की चौड़ाई*गेट की लंबाई)

सबथ्रेशोल्ड ढलान

जाओ उप दहलीज ढलान = स्रोत शारीरिक संभावित अंतर*डीआईबीएल गुणांक*ln(10)

गेट कैपेसिटेंस

जाओ गेट कैपेसिटेंस = चैनल चार्ज/(गेट टू चैनल वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)

सीमा वोल्टेज

जाओ सीमा वोल्टेज = गेट टू चैनल वोल्टेज-(चैनल चार्ज/गेट कैपेसिटेंस)

चैनल चार्ज

जाओ चैनल चार्ज = गेट कैपेसिटेंस*(गेट टू चैनल वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)

पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस

जाओ पूर्ण स्केलिंग के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस = प्रति इकाई क्षेत्र ऑक्साइड धारिता*मापन कारक

गंभीर वोल्टेज

जाओ गंभीर वोल्टेज = क्रिटिकल इलेक्ट्रिक फील्ड*चैनल की लंबाई के पार विद्युत क्षेत्र

पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद गेट ऑक्साइड की मोटाई

जाओ पूर्ण स्केलिंग के बाद गेट ऑक्साइड की मोटाई = गेट ऑक्साइड की मोटाई/मापन कारक

आंतरिक गेट क्षमता

जाओ एमओएस गेट ओवरलैप कैपेसिटेंस = एमओएस गेट कैपेसिटेंस*संक्रमण चौड़ाई

पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद चैनल की चौड़ाई

जाओ पूर्ण स्केलिंग के बाद चैनल की चौड़ाई = चैनल की चौड़ाई/मापन कारक

पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद जंक्शन गहराई

जाओ पूर्ण स्केलिंग के बाद जंक्शन की गहराई = जंक्शन गहराई/मापन कारक

पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद चैनल की लंबाई

जाओ पूर्ण स्केलिंग के बाद चैनल की लंबाई = चैनल की लंबाई/मापन कारक

मॉसफेट में गतिशीलता

जाओ MOSFET में गतिशीलता = के प्राइम/गेट ऑक्साइड परत की धारिता

के-प्राइम

जाओ के प्राइम = MOSFET में गतिशीलता*गेट ऑक्साइड परत की धारिता

थ्रेशोल्ड वोल्टेज जब स्रोत बॉडी पोटेंशियल पर हो सूत्र

दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल = डीआईबीएल गुणांक*स्रोत क्षमता के लिए नाली+सीमा वोल्टेज
V_t0 = η*V_ds+V_t

ड्रेन-प्रेरित बैरियर लोअरिंग (DIBL) क्या है?

ड्रेन वोल्टेज Vds एक विद्युत क्षेत्र बनाता है जो थ्रेशोल्ड वोल्टेज को प्रभावित करता है। यह ड्रेन-प्रेरित बैरियर लोअरिंग (DIBL) प्रभाव विशेष रूप से शॉर्ट-चैनल ट्रांजिस्टर में स्पष्ट है। नाली-प्रेरित अवरोध कम करने से Ids को संतृप्ति में Vds के साथ बढ़ने का कारण बनता है, ठीक उसी तरह जैसे चैनल लंबाई मॉडुलन करता है। फिर, यह एनालॉग डिज़ाइन के लिए एक अभिशाप है लेकिन अधिकांश डिजिटल सर्किट के लिए महत्वहीन है। अधिक महत्वपूर्ण रूप से, DIBL उच्च Vds पर सबथ्रेशोल्ड रिसाव को बढ़ाता है।

थ्रेशोल्ड वोल्टेज जब स्रोत बॉडी पोटेंशियल पर हो की गणना कैसे करें?

थ्रेशोल्ड वोल्टेज जब स्रोत बॉडी पोटेंशियल पर हो के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया डीआईबीएल गुणांक (η), एक सेमीओएस डिवाइस में डीआईबीएल गुणांक आमतौर पर 0.1 के क्रम पर दर्शाया जाता है। के रूप में, स्रोत क्षमता के लिए नाली (V_ds), नाली से स्रोत तक की क्षमता नाली और स्रोत के बीच की क्षमता है। के रूप में & सीमा वोल्टेज (V_t), ट्रांजिस्टर का थ्रेसहोल्ड वोल्टेज स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच संचालन पथ बनाने के लिए आवश्यक न्यूनतम गेट टू सोर्स वोल्टेज है। के रूप में डालें। कृपया थ्रेशोल्ड वोल्टेज जब स्रोत बॉडी पोटेंशियल पर हो गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

थ्रेशोल्ड वोल्टेज जब स्रोत बॉडी पोटेंशियल पर हो गणना

थ्रेशोल्ड वोल्टेज जब स्रोत बॉडी पोटेंशियल पर हो कैलकुलेटर, दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल की गणना करने के लिए Threshold Voltage DIBL = डीआईबीएल गुणांक*स्रोत क्षमता के लिए नाली+सीमा वोल्टेज का उपयोग करता है। थ्रेशोल्ड वोल्टेज जब स्रोत बॉडी पोटेंशियल पर हो V_t0 को जब स्रोत शरीर की क्षमता पर होता है तो थ्रेशोल्ड वोल्टेज की गणना तब की जाती है जब स्रोत शरीर की क्षमता (वीटीओ) पर होता है जो स्रोत जंक्शन के लिए आवश्यक न्यूनतम वोल्टेज के बराबर होता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ थ्रेशोल्ड वोल्टेज जब स्रोत बॉडी पोटेंशियल पर हो गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 0.3368 = 0.2*1.45+0.3. आप और अधिक थ्रेशोल्ड वोल्टेज जब स्रोत बॉडी पोटेंशियल पर हो उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

थ्रेशोल्ड वोल्टेज जब स्रोत बॉडी पोटेंशियल पर हो क्या है?

थ्रेशोल्ड वोल्टेज जब स्रोत बॉडी पोटेंशियल पर हो जब स्रोत शरीर की क्षमता पर होता है तो थ्रेशोल्ड वोल्टेज की गणना तब की जाती है जब स्रोत शरीर की क्षमता (वीटीओ) पर होता है जो स्रोत जंक्शन के लिए आवश्यक न्यूनतम वोल्टेज के बराबर होता है। है और इसे V_t0 = η*V_ds+V_t या Threshold Voltage DIBL = डीआईबीएल गुणांक*स्रोत क्षमता के लिए नाली+सीमा वोल्टेज के रूप में दर्शाया जाता है।

थ्रेशोल्ड वोल्टेज जब स्रोत बॉडी पोटेंशियल पर हो की गणना कैसे करें?

थ्रेशोल्ड वोल्टेज जब स्रोत बॉडी पोटेंशियल पर हो को जब स्रोत शरीर की क्षमता पर होता है तो थ्रेशोल्ड वोल्टेज की गणना तब की जाती है जब स्रोत शरीर की क्षमता (वीटीओ) पर होता है जो स्रोत जंक्शन के लिए आवश्यक न्यूनतम वोल्टेज के बराबर होता है। Threshold Voltage DIBL = डीआईबीएल गुणांक*स्रोत क्षमता के लिए नाली+सीमा वोल्टेज V_t0 = η*V_ds+V_t के रूप में परिभाषित किया गया है। थ्रेशोल्ड वोल्टेज जब स्रोत बॉडी पोटेंशियल पर हो की गणना करने के लिए, आपको डीआईबीएल गुणांक (η), स्रोत क्षमता के लिए नाली (V_ds) & सीमा वोल्टेज (V_t) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको एक सेमीओएस डिवाइस में डीआईबीएल गुणांक आमतौर पर 0.1 के क्रम पर दर्शाया जाता है।, नाली से स्रोत तक की क्षमता नाली और स्रोत के बीच की क्षमता है। & ट्रांजिस्टर का थ्रेसहोल्ड वोल्टेज स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच संचालन पथ बनाने के लिए आवश्यक न्यूनतम गेट टू सोर्स वोल्टेज है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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