MOSFET का ट्रेशोल्ड वोल्टेज कैलकुलेटर

✖गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है।ⓘ गेट-स्रोत वोल्टेज [V_gs]			+10% -10%
✖MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है।ⓘ प्रभावी वोल्टेज [V_eff]			+10% -10%

✖थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।ⓘ MOSFET का ट्रेशोल्ड वोल्टेज [V_th]

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सूत्र

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MOSFET का ट्रेशोल्ड वोल्टेज

सूत्र

`"V"_{"th"} = "V"_{"gs"}-"V"_{"eff"}`

उदाहरण

`"2.3V"="4V"-"1.7V"`

कैलकुलेटर

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MOSFET का ट्रेशोल्ड वोल्टेज उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

सीमा वोल्टेज = गेट-स्रोत वोल्टेज-प्रभावी वोल्टेज
V_th = V_gs-V_eff
यह सूत्र 3 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

सीमा वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।
गेट-स्रोत वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है।
प्रभावी वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

गेट-स्रोत वोल्टेज: 4 वोल्ट --> 4 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
प्रभावी वोल्टेज: 1.7 वोल्ट --> 1.7 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

V_th = V_gs-V_eff --> 4-1.7

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

V_th = 2.3

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

2.3 वोल्ट --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

2.3 वोल्ट <-- सीमा वोल्टेज

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

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होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » MOSFET » एनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » वोल्टेज » MOSFET का ट्रेशोल्ड वोल्टेज

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया

बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी

पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़

विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 20 वोल्टेज कैलक्युलेटर्स

गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन

जाओ चैनल का संचालन = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)

सामान्य गेट आउटपुट वोल्टेज

जाओ आउटपुट वोल्टेज = -(transconductance*गंभीर वोल्टेज)*((भार प्रतिरोध*गेट प्रतिरोध)/(गेट प्रतिरोध+भार प्रतिरोध))

MOSFET के ड्रेन Q1 पर आउटपुट वोल्टेज को कॉमन-मोड सिग्नल दिया गया

जाओ नाली वोल्टेज Q1 = -आउटपुट प्रतिरोध*(transconductance*सामान्य मोड इनपुट सिग्नल)/(1+(2*transconductance*आउटपुट प्रतिरोध))

अंतर इनपुट वोल्टेज के साथ संचालन पर MOSFET के गेट और स्रोत पर वोल्टेज

जाओ गेट-स्रोत वोल्टेज = सीमा वोल्टेज+sqrt((2*डीसी बायस करंट)/(प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात))

स्रोत इनपुट वोल्टेज

जाओ स्रोत इनपुट वोल्टेज = इनपुट वोल्टेज*(इनपुट एम्पलीफायर प्रतिरोध/(इनपुट एम्पलीफायर प्रतिरोध+समतुल्य स्रोत प्रतिरोध))

इनपुट गेट-टू-सोर्स वोल्टेज

जाओ गंभीर वोल्टेज = (इनपुट एम्पलीफायर प्रतिरोध/(इनपुट एम्पलीफायर प्रतिरोध+समतुल्य स्रोत प्रतिरोध))*इनपुट वोल्टेज

MOSFET के ड्रेन Q2 पर आउटपुट वोल्टेज को कॉमन-मोड सिग्नल दिया गया

जाओ नाली वोल्टेज Q2 = -(आउटपुट प्रतिरोध/((1/transconductance)+2*आउटपुट प्रतिरोध))*सामान्य मोड इनपुट सिग्नल

ओवरड्राइव वोल्टेज जब MOSFET लोड प्रतिरोध के साथ एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है

जाओ transconductance = कुल वर्तमान/(सामान्य मोड इनपुट सिग्नल-(2*कुल वर्तमान*आउटपुट प्रतिरोध))

डिफरेंशियल एम्पलीफायर का इंक्रीमेंटल वोल्टेज सिग्नल

जाओ सामान्य मोड इनपुट सिग्नल = (कुल वर्तमान/transconductance)+(2*कुल वर्तमान*आउटपुट प्रतिरोध)

गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया

जाओ गेट-स्रोत वोल्टेज = आगत बहाव/(कोणीय आवृत्ति*(स्रोत गेट कैपेसिटेंस+गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस))

MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर

जाओ आगत बहाव = गेट-स्रोत वोल्टेज*(कोणीय आवृत्ति*(स्रोत गेट कैपेसिटेंस+गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस))

MOSFET में ड्रेन Q2 पर वोल्टेज

जाओ आउटपुट वोल्टेज = -(MOSFET का कुल भार प्रतिरोध/(2*आउटपुट प्रतिरोध))*सामान्य मोड इनपुट सिग्नल

MOSFET के ड्रेन Q1 पर वोल्टेज

MOSFET का संतृप्ति वोल्टेज

जाओ नाली और स्रोत संतृप्ति वोल्टेज = गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज

ओवरड्राइव वोल्टेज

जाओ ओवरड्राइव वोल्टेज = (2*जल निकासी धारा)/transconductance

ओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज

जाओ गेट-स्रोत वोल्टेज = सीमा वोल्टेज+1.4*प्रभावी वोल्टेज

थ्रेसहोल्ड वोल्टेज जब MOSFET एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है

जाओ सीमा वोल्टेज = गेट-स्रोत वोल्टेज-प्रभावी वोल्टेज

MOSFET के ड्रेन Q1 पर आउटपुट वोल्टेज

जाओ नाली वोल्टेज Q1 = -(आउटपुट प्रतिरोध*कुल वर्तमान)

MOSFET के ड्रेन Q2 पर आउटपुट वोल्टेज

जाओ नाली वोल्टेज Q2 = -(आउटपुट प्रतिरोध*कुल वर्तमान)

MOSFET का ट्रेशोल्ड वोल्टेज

जाओ सीमा वोल्टेज = गेट-स्रोत वोल्टेज-प्रभावी वोल्टेज

< 16 MOSFET विशेषताएँ कैलक्युलेटर्स

गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन

MOSFET ट्रांसकंडक्टेंस को ऑक्साइड कैपेसिटेंस दिया गया

जाओ MOSFET में ट्रांसकंडक्टन्स = sqrt(2*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*(ट्रांजिस्टर की चौड़ाई/ट्रांजिस्टर की लंबाई)*नाली का करंट)

वोल्टेज लाभ MOSFET का भार प्रतिरोध दिया गया

जाओ वोल्टेज बढ़ना = transconductance*(1/(1/भार प्रतिरोध+1/आउटपुट प्रतिरोध))/(1+transconductance*स्रोत प्रतिरोध)

MOSFET की संक्रमण आवृत्ति

जाओ संक्रमण आवृत्ति = transconductance/(2*pi*(स्रोत गेट कैपेसिटेंस+गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस))

बायस प्वाइंट पर अधिकतम वोल्टेज लाभ

जाओ अधिकतम वोल्टेज लाभ = 2*(वोल्टेज आपूर्ति-प्रभावी वोल्टेज)/(प्रभावी वोल्टेज)

छोटे सिग्नल का उपयोग करके वोल्टेज लाभ

जाओ वोल्टेज बढ़ना = transconductance*1/(1/भार प्रतिरोध+1/परिमित प्रतिरोध)

MOSFET के गेट टू सोर्स चैनल की चौड़ाई

जाओ चैनल की चौड़ाई = ओवरलैप कैपेसिटेंस/(ऑक्साइड धारिता*ओवरलैप लंबाई)

वोल्टेज गेन ने ड्रेन वोल्टेज दिया

जाओ वोल्टेज बढ़ना = (जल निकासी धारा*भार प्रतिरोध*2)/प्रभावी वोल्टेज

MOSFET का पूर्वाग्रह वोल्टेज

जाओ कुल तात्कालिक पूर्वाग्रह वोल्टेज = डीसी बायस वोल्टेज+दिष्ट विद्युत धारा का वोल्टेज

ट्रांसकंडक्शन पर शारीरिक प्रभाव

जाओ शरीर का ट्रांसकंडक्शन = थ्रेशोल्ड को बेस वोल्टेज में बदलें*transconductance

MOSFET का संतृप्ति वोल्टेज

जाओ नाली और स्रोत संतृप्ति वोल्टेज = गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज

सभी वोल्टेज को देखते हुए अधिकतम वोल्टेज लाभ

जाओ अधिकतम वोल्टेज लाभ = (वोल्टेज आपूर्ति-0.3)/थर्मल वोल्टेज

MOSFET में ट्रांसकंडक्टेंस

जाओ transconductance = (2*जल निकासी धारा)/ओवरड्राइव वोल्टेज

लघु सिग्नल MOSFET मॉडल में प्रवर्धन कारक

जाओ प्रवर्धन कारक = transconductance*आउटपुट प्रतिरोध

MOSFET का ट्रेशोल्ड वोल्टेज

जाओ सीमा वोल्टेज = गेट-स्रोत वोल्टेज-प्रभावी वोल्टेज

MOSFET के रैखिक प्रतिरोध में आचरण

जाओ चैनल का संचालन = 1/रैखिक प्रतिरोध

MOSFET का ट्रेशोल्ड वोल्टेज सूत्र

सीमा वोल्टेज = गेट-स्रोत वोल्टेज-प्रभावी वोल्टेज
V_th = V_gs-V_eff

दहलीज वोल्टेज क्या है?

ऑक्साइड में वोल्टेज का मान जिस पर एक संवाहक चैनल बनाने के लिए चैनल क्षेत्र में पर्याप्त संख्या में मोबाइल इलेक्ट्रॉन जमा होते हैं उसे थ्रेशोल्ड वोल्टेज कहा जाता है और इसे V के रूप में दर्शाया जाता है।

MOSFET के चैनल क्षेत्र की पूरी प्रक्रिया को समांतर-प्लेट संधारित्र बनाने की व्याख्या करें।

MOSFET के गेट और चैनल क्षेत्र एक समानांतर-प्लेट संधारित्र बनाते हैं, जिसमें ऑक्साइड परत संधारित्र ढांकता हुआ के रूप में कार्य करता है। सकारात्मक गेट वोल्टेज संधारित्र (गेट इलेक्ट्रोड) की शीर्ष प्लेट पर एक सकारात्मक चार्ज का कारण बनता है। नीचे की प्लेट पर संबंधित नकारात्मक आवेश प्रेरित चैनल में इलेक्ट्रॉनों द्वारा बनता है। एक विद्युत क्षेत्र इस प्रकार ऊर्ध्वाधर दिशा में विकसित होता है। यह वह क्षेत्र है जो चैनल में आवेश की मात्रा को नियंत्रित करता है, और इस प्रकार यह चैनल चालकता को निर्धारित करता है और, बदले में, एक वोल्टेज लागू होने पर चैनल के माध्यम से प्रवाह होगा।

MOSFET का ट्रेशोल्ड वोल्टेज की गणना कैसे करें?

MOSFET का ट्रेशोल्ड वोल्टेज के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया गेट-स्रोत वोल्टेज (V_gs), गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है। के रूप में & प्रभावी वोल्टेज (V_eff), MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है। के रूप में डालें। कृपया MOSFET का ट्रेशोल्ड वोल्टेज गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

MOSFET का ट्रेशोल्ड वोल्टेज गणना

MOSFET का ट्रेशोल्ड वोल्टेज कैलकुलेटर, सीमा वोल्टेज की गणना करने के लिए Threshold Voltage = गेट-स्रोत वोल्टेज-प्रभावी वोल्टेज का उपयोग करता है। MOSFET का ट्रेशोल्ड वोल्टेज V_th को MOSFET के ट्रेशहोल्ड वोल्टेज को उस वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया जाता है जिस पर ट्रांजिस्टर चालू करना या करंट संचालित करना शुरू करता है। इसे आमतौर पर ड्रेन-सोर्स टर्मिनल पर मापा जाता है और यह MOSFET के प्रदर्शन को निर्धारित करने में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ MOSFET का ट्रेशोल्ड वोल्टेज गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 2.3 = 4-1.7. आप और अधिक MOSFET का ट्रेशोल्ड वोल्टेज उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

MOSFET का ट्रेशोल्ड वोल्टेज क्या है?

MOSFET का ट्रेशोल्ड वोल्टेज MOSFET के ट्रेशहोल्ड वोल्टेज को उस वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया जाता है जिस पर ट्रांजिस्टर चालू करना या करंट संचालित करना शुरू करता है। इसे आमतौर पर ड्रेन-सोर्स टर्मिनल पर मापा जाता है और यह MOSFET के प्रदर्शन को निर्धारित करने में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है। है और इसे V_th = V_gs-V_eff या Threshold Voltage = गेट-स्रोत वोल्टेज-प्रभावी वोल्टेज के रूप में दर्शाया जाता है।

MOSFET का ट्रेशोल्ड वोल्टेज की गणना कैसे करें?

MOSFET का ट्रेशोल्ड वोल्टेज को MOSFET के ट्रेशहोल्ड वोल्टेज को उस वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया जाता है जिस पर ट्रांजिस्टर चालू करना या करंट संचालित करना शुरू करता है। इसे आमतौर पर ड्रेन-सोर्स टर्मिनल पर मापा जाता है और यह MOSFET के प्रदर्शन को निर्धारित करने में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है। Threshold Voltage = गेट-स्रोत वोल्टेज-प्रभावी वोल्टेज V_th = V_gs-V_eff के रूप में परिभाषित किया गया है। MOSFET का ट्रेशोल्ड वोल्टेज की गणना करने के लिए, आपको गेट-स्रोत वोल्टेज (V_gs) & प्रभावी वोल्टेज (V_eff) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको गेट-सोर्स वोल्टेज एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है, और इसका उपयोग अक्सर डिवाइस के व्यवहार को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है। & MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

सीमा वोल्टेज की गणना करने के कितने तरीके हैं?

सीमा वोल्टेज गेट-स्रोत वोल्टेज (V_gs) & प्रभावी वोल्टेज (V_eff) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 1 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -

सीमा वोल्टेज = गेट-स्रोत वोल्टेज-प्रभावी वोल्टेज

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