MOSFET के ड्रेन Q1 पर वोल्टेज कैलकुलेटर

✖एमओएसएफईटी के कुल लोड प्रतिरोध में एमओएसएफईटी के आंतरिक नाली-स्रोत प्रतिरोध और नाली टर्मिनल से जुड़े बाहरी लोड प्रतिरोध दोनों शामिल हैं।ⓘ MOSFET का कुल भार प्रतिरोध [R_tl]			+10% -10%
✖आउटपुट प्रतिरोध एक इलेक्ट्रॉनिक सर्किट के वर्तमान प्रवाह के प्रतिरोध को संदर्भित करता है जब कोई लोड उसके आउटपुट से जुड़ा होता है।ⓘ आउटपुट प्रतिरोध [R_out]			+10% -10%
✖एक सामान्य मोड इनपुट सिग्नल एक प्रकार का विद्युत संकेत है जो अंतर एम्पलीफायर के दोनों इनपुट टर्मिनलों पर समान रूप से दिखाई देता है।ⓘ सामान्य मोड इनपुट सिग्नल [V_cin]			+10% -10%

✖आउटपुट वोल्टेज विद्युत संभावित अंतर है जो बिजली की आपूर्ति द्वारा लोड को वितरित किया जाता है और यह इलेक्ट्रॉनिक सिस्टम के प्रदर्शन और विश्वसनीयता को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।ⓘ MOSFET के ड्रेन Q1 पर वोल्टेज [V_out]

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सूत्र

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MOSFET के ड्रेन Q1 पर वोल्टेज

सूत्र

`"V"_{"out"} = -("R"_{"tl"}/(2*"R"_{"out"}))*"V"_{"cin"}`

उदाहरण

`"-73.406667V"=-("7.8kΩ"/(2*"4.5kΩ"))*"84.7V"`

कैलकुलेटर

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MOSFET के ड्रेन Q1 पर वोल्टेज उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

आउटपुट वोल्टेज = -(MOSFET का कुल भार प्रतिरोध/(2*आउटपुट प्रतिरोध))*सामान्य मोड इनपुट सिग्नल
V_out = -(R_tl/(2*R_out))*V_cin
यह सूत्र 4 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

आउटपुट वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - आउटपुट वोल्टेज विद्युत संभावित अंतर है जो बिजली की आपूर्ति द्वारा लोड को वितरित किया जाता है और यह इलेक्ट्रॉनिक सिस्टम के प्रदर्शन और विश्वसनीयता को निर्धारित करने में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है।
MOSFET का कुल भार प्रतिरोध - (में मापा गया ओम) - एमओएसएफईटी के कुल लोड प्रतिरोध में एमओएसएफईटी के आंतरिक नाली-स्रोत प्रतिरोध और नाली टर्मिनल से जुड़े बाहरी लोड प्रतिरोध दोनों शामिल हैं।
आउटपुट प्रतिरोध - (में मापा गया ओम) - आउटपुट प्रतिरोध एक इलेक्ट्रॉनिक सर्किट के वर्तमान प्रवाह के प्रतिरोध को संदर्भित करता है जब कोई लोड उसके आउटपुट से जुड़ा होता है।
सामान्य मोड इनपुट सिग्नल - (में मापा गया वोल्ट) - एक सामान्य मोड इनपुट सिग्नल एक प्रकार का विद्युत संकेत है जो अंतर एम्पलीफायर के दोनों इनपुट टर्मिनलों पर समान रूप से दिखाई देता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

MOSFET का कुल भार प्रतिरोध: 7.8 किलोहम --> 7800 ओम (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
आउटपुट प्रतिरोध: 4.5 किलोहम --> 4500 ओम (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
सामान्य मोड इनपुट सिग्नल: 84.7 वोल्ट --> 84.7 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

V_out = -(R_tl/(2*R_out))*V_cin --> -(7800/(2*4500))*84.7

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

V_out = -73.4066666666667

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

-73.4066666666667 वोल्ट --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

-73.4066666666667 ≈ -73.406667 वोल्ट <-- आउटपुट वोल्टेज

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

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होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » MOSFET » एनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » वोल्टेज » MOSFET के ड्रेन Q1 पर वोल्टेज

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया

बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी

पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित प्रहलाद सिंह

जयपुर इंजीनियरिंग कॉलेज एंड रिसर्च सेंटर (जेईसीआरसी), जयपुर

प्रहलाद सिंह ने इस कैलकुलेटर और 10+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 20 वोल्टेज कैलक्युलेटर्स

गेट टू सोर्स वोल्टेज का उपयोग करके MOSFET के चैनल का संचालन

जाओ चैनल का संचालन = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई*(गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)

सामान्य गेट आउटपुट वोल्टेज

जाओ आउटपुट वोल्टेज = -(transconductance*गंभीर वोल्टेज)*((भार प्रतिरोध*गेट प्रतिरोध)/(गेट प्रतिरोध+भार प्रतिरोध))

MOSFET के ड्रेन Q1 पर आउटपुट वोल्टेज को कॉमन-मोड सिग्नल दिया गया

जाओ नाली वोल्टेज Q1 = -आउटपुट प्रतिरोध*(transconductance*सामान्य मोड इनपुट सिग्नल)/(1+(2*transconductance*आउटपुट प्रतिरोध))

अंतर इनपुट वोल्टेज के साथ संचालन पर MOSFET के गेट और स्रोत पर वोल्टेज

जाओ गेट-स्रोत वोल्टेज = सीमा वोल्टेज+sqrt((2*डीसी बायस करंट)/(प्रक्रिया ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात))

स्रोत इनपुट वोल्टेज

जाओ स्रोत इनपुट वोल्टेज = इनपुट वोल्टेज*(इनपुट एम्पलीफायर प्रतिरोध/(इनपुट एम्पलीफायर प्रतिरोध+समतुल्य स्रोत प्रतिरोध))

इनपुट गेट-टू-सोर्स वोल्टेज

जाओ गंभीर वोल्टेज = (इनपुट एम्पलीफायर प्रतिरोध/(इनपुट एम्पलीफायर प्रतिरोध+समतुल्य स्रोत प्रतिरोध))*इनपुट वोल्टेज

MOSFET के ड्रेन Q2 पर आउटपुट वोल्टेज को कॉमन-मोड सिग्नल दिया गया

जाओ नाली वोल्टेज Q2 = -(आउटपुट प्रतिरोध/((1/transconductance)+2*आउटपुट प्रतिरोध))*सामान्य मोड इनपुट सिग्नल

ओवरड्राइव वोल्टेज जब MOSFET लोड प्रतिरोध के साथ एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है

जाओ transconductance = कुल वर्तमान/(सामान्य मोड इनपुट सिग्नल-(2*कुल वर्तमान*आउटपुट प्रतिरोध))

डिफरेंशियल एम्पलीफायर का इंक्रीमेंटल वोल्टेज सिग्नल

जाओ सामान्य मोड इनपुट सिग्नल = (कुल वर्तमान/transconductance)+(2*कुल वर्तमान*आउटपुट प्रतिरोध)

गेट भर में वोल्टेज और MOSFET के स्रोत ने इनपुट करंट दिया

जाओ गेट-स्रोत वोल्टेज = आगत बहाव/(कोणीय आवृत्ति*(स्रोत गेट कैपेसिटेंस+गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस))

MOSFET में सकारात्मक वोल्टेज दिया गया डिवाइस पैरामीटर

जाओ आगत बहाव = गेट-स्रोत वोल्टेज*(कोणीय आवृत्ति*(स्रोत गेट कैपेसिटेंस+गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस))

MOSFET में ड्रेन Q2 पर वोल्टेज

जाओ आउटपुट वोल्टेज = -(MOSFET का कुल भार प्रतिरोध/(2*आउटपुट प्रतिरोध))*सामान्य मोड इनपुट सिग्नल

MOSFET के ड्रेन Q1 पर वोल्टेज

MOSFET का संतृप्ति वोल्टेज

जाओ नाली और स्रोत संतृप्ति वोल्टेज = गेट-स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज

ओवरड्राइव वोल्टेज

जाओ ओवरड्राइव वोल्टेज = (2*जल निकासी धारा)/transconductance

ओवरड्राइव वोल्टेज दिए गए डिफरेंशियल इनपुट वोल्टेज पर MOSFET के स्रोत के गेट पर वोल्टेज

जाओ गेट-स्रोत वोल्टेज = सीमा वोल्टेज+1.4*प्रभावी वोल्टेज

थ्रेसहोल्ड वोल्टेज जब MOSFET एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है

जाओ सीमा वोल्टेज = गेट-स्रोत वोल्टेज-प्रभावी वोल्टेज

MOSFET के ड्रेन Q1 पर आउटपुट वोल्टेज

जाओ नाली वोल्टेज Q1 = -(आउटपुट प्रतिरोध*कुल वर्तमान)

MOSFET के ड्रेन Q2 पर आउटपुट वोल्टेज

जाओ नाली वोल्टेज Q2 = -(आउटपुट प्रतिरोध*कुल वर्तमान)

MOSFET का ट्रेशोल्ड वोल्टेज

जाओ सीमा वोल्टेज = गेट-स्रोत वोल्टेज-प्रभावी वोल्टेज

MOSFET के ड्रेन Q1 पर वोल्टेज सूत्र

आउटपुट वोल्टेज = -(MOSFET का कुल भार प्रतिरोध/(2*आउटपुट प्रतिरोध))*सामान्य मोड इनपुट सिग्नल
V_out = -(R_tl/(2*R_out))*V_cin

कैसे MOSFET एक एम्पलीफायर के रूप में कार्य करता है?

गेट वोल्टेज में एक छोटा सा बदलाव JFET की तरह ड्रेन करंट में एक बड़ा बदलाव पैदा करता है। यह तथ्य MOSFET को कमजोर सिग्नल की ताकत बढ़ाने में सक्षम बनाता है; इस प्रकार एक एम्पलीफायर के रूप में कार्य करना। संकेत के सकारात्मक आधे चक्र के दौरान, गेट पर सकारात्मक वोल्टेज बढ़ता है और वृद्धि-मोड पैदा करता है।

MOSFET वोल्टेज को कैसे नियंत्रित करता है?

MOSFETs का उपयोग वोल्टेज-नियंत्रित प्रतिरोधों के रूप में भी किया जाता है। क्योंकि अधिकांश MOSFETs आज "वृद्धि मोड" हैं, इसका मतलब यह है कि गेट पर आवश्यक पूर्वाग्रह एक सकारात्मक वोल्टेज है जो अपने आर को कम करने के लिए नाली चालू करने के लिए एक सकारात्मक वोल्टेज है

MOSFET के ड्रेन Q1 पर वोल्टेज की गणना कैसे करें?

MOSFET के ड्रेन Q1 पर वोल्टेज के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया MOSFET का कुल भार प्रतिरोध (R_tl), एमओएसएफईटी के कुल लोड प्रतिरोध में एमओएसएफईटी के आंतरिक नाली-स्रोत प्रतिरोध और नाली टर्मिनल से जुड़े बाहरी लोड प्रतिरोध दोनों शामिल हैं। के रूप में, आउटपुट प्रतिरोध (R_out), आउटपुट प्रतिरोध एक इलेक्ट्रॉनिक सर्किट के वर्तमान प्रवाह के प्रतिरोध को संदर्भित करता है जब कोई लोड उसके आउटपुट से जुड़ा होता है। के रूप में & सामान्य मोड इनपुट सिग्नल (V_cin), एक सामान्य मोड इनपुट सिग्नल एक प्रकार का विद्युत संकेत है जो अंतर एम्पलीफायर के दोनों इनपुट टर्मिनलों पर समान रूप से दिखाई देता है। के रूप में डालें। कृपया MOSFET के ड्रेन Q1 पर वोल्टेज गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

MOSFET के ड्रेन Q1 पर वोल्टेज गणना

MOSFET के ड्रेन Q1 पर वोल्टेज कैलकुलेटर, आउटपुट वोल्टेज की गणना करने के लिए Output Voltage = -(MOSFET का कुल भार प्रतिरोध/(2*आउटपुट प्रतिरोध))*सामान्य मोड इनपुट सिग्नल का उपयोग करता है। MOSFET के ड्रेन Q1 पर वोल्टेज V_out को MOSFET सूत्र के ड्रेन Q1 पर वोल्टेज को ड्रेन-सोर्स वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है, जिस पर निर्दिष्ट ड्रेन करंट से अधिक निर्दिष्ट तापमान पर और शून्य गेट-सोर्स वोल्टेज के साथ प्रवाहित नहीं होगा। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ MOSFET के ड्रेन Q1 पर वोल्टेज गणना को संख्या में समझा जा सकता है - -73.406667 = -(7800/(2*4500))*84.7. आप और अधिक MOSFET के ड्रेन Q1 पर वोल्टेज उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

MOSFET के ड्रेन Q1 पर वोल्टेज क्या है?

MOSFET के ड्रेन Q1 पर वोल्टेज MOSFET सूत्र के ड्रेन Q1 पर वोल्टेज को ड्रेन-सोर्स वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है, जिस पर निर्दिष्ट ड्रेन करंट से अधिक निर्दिष्ट तापमान पर और शून्य गेट-सोर्स वोल्टेज के साथ प्रवाहित नहीं होगा। है और इसे V_out = -(R_tl/(2*R_out))*V_cin या Output Voltage = -(MOSFET का कुल भार प्रतिरोध/(2*आउटपुट प्रतिरोध))*सामान्य मोड इनपुट सिग्नल के रूप में दर्शाया जाता है।

MOSFET के ड्रेन Q1 पर वोल्टेज की गणना कैसे करें?

MOSFET के ड्रेन Q1 पर वोल्टेज को MOSFET सूत्र के ड्रेन Q1 पर वोल्टेज को ड्रेन-सोर्स वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है, जिस पर निर्दिष्ट ड्रेन करंट से अधिक निर्दिष्ट तापमान पर और शून्य गेट-सोर्स वोल्टेज के साथ प्रवाहित नहीं होगा। Output Voltage = -(MOSFET का कुल भार प्रतिरोध/(2*आउटपुट प्रतिरोध))*सामान्य मोड इनपुट सिग्नल V_out = -(R_tl/(2*R_out))*V_cin के रूप में परिभाषित किया गया है। MOSFET के ड्रेन Q1 पर वोल्टेज की गणना करने के लिए, आपको MOSFET का कुल भार प्रतिरोध (R_tl), आउटपुट प्रतिरोध (R_out) & सामान्य मोड इनपुट सिग्नल (V_cin) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको एमओएसएफईटी के कुल लोड प्रतिरोध में एमओएसएफईटी के आंतरिक नाली-स्रोत प्रतिरोध और नाली टर्मिनल से जुड़े बाहरी लोड प्रतिरोध दोनों शामिल हैं।, आउटपुट प्रतिरोध एक इलेक्ट्रॉनिक सर्किट के वर्तमान प्रवाह के प्रतिरोध को संदर्भित करता है जब कोई लोड उसके आउटपुट से जुड़ा होता है। & एक सामान्य मोड इनपुट सिग्नल एक प्रकार का विद्युत संकेत है जो अंतर एम्पलीफायर के दोनों इनपुट टर्मिनलों पर समान रूप से दिखाई देता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

आउटपुट वोल्टेज की गणना करने के कितने तरीके हैं?

आउटपुट वोल्टेज MOSFET का कुल भार प्रतिरोध (R_tl), आउटपुट प्रतिरोध (R_out) & सामान्य मोड इनपुट सिग्नल (V_cin) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 2 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -

आउटपुट वोल्टेज = -(MOSFET का कुल भार प्रतिरोध/(2*आउटपुट प्रतिरोध))*सामान्य मोड इनपुट सिग्नल
आउटपुट वोल्टेज = -(transconductance*गंभीर वोल्टेज)*((भार प्रतिरोध*गेट प्रतिरोध)/(गेट प्रतिरोध+भार प्रतिरोध))

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