MOSFET में वोल्टेज आश्रित प्रतिरोध कैलकुलेटर

✖MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है।ⓘ प्रभावी वोल्टेज [V_eff]			+10% -10%
✖ड्रेन करंट वह करंट है जो फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) के ड्रेन और स्रोत टर्मिनलों के बीच प्रवाहित होता है, जो एक प्रकार का ट्रांजिस्टर है जो आमतौर पर इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में उपयोग किया जाता है।ⓘ जल निकासी धारा [i_d]			+10% -10%

✖एक परिमित प्रतिरोध का सीधा सा मतलब है कि किसी सर्किट में प्रतिरोध अनंत या शून्य नहीं है। दूसरे शब्दों में, सर्किट में कुछ मात्रा में प्रतिरोध होता है, जो सर्किट के व्यवहार को प्रभावित कर सकता है।ⓘ MOSFET में वोल्टेज आश्रित प्रतिरोध [R_fi]

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सूत्र

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MOSFET में वोल्टेज आश्रित प्रतिरोध

सूत्र

`"R"_{"fi"} = "V"_{"eff"}/"i"_{"d"}`

उदाहरण

`"21.25kΩ"="1.7V"/"0.08mA"`

कैलकुलेटर

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MOSFET में वोल्टेज आश्रित प्रतिरोध उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

परिमित प्रतिरोध = प्रभावी वोल्टेज/जल निकासी धारा
R_fi = V_eff/i_d
यह सूत्र 3 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

परिमित प्रतिरोध - (में मापा गया ओम) - एक परिमित प्रतिरोध का सीधा सा मतलब है कि किसी सर्किट में प्रतिरोध अनंत या शून्य नहीं है। दूसरे शब्दों में, सर्किट में कुछ मात्रा में प्रतिरोध होता है, जो सर्किट के व्यवहार को प्रभावित कर सकता है।
प्रभावी वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है।
जल निकासी धारा - (में मापा गया एम्पेयर) - ड्रेन करंट वह करंट है जो फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) के ड्रेन और स्रोत टर्मिनलों के बीच प्रवाहित होता है, जो एक प्रकार का ट्रांजिस्टर है जो आमतौर पर इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में उपयोग किया जाता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

प्रभावी वोल्टेज: 1.7 वोल्ट --> 1.7 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
जल निकासी धारा: 0.08 मिलीएम्पियर --> 8E-05 एम्पेयर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

R_fi = V_eff/i_d --> 1.7/8E-05

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

R_fi = 21250

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

21250 ओम -->21.25 किलोहम (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

21.25 किलोहम <-- परिमित प्रतिरोध

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » MOSFET » एनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » प्रतिरोध » MOSFET में वोल्टेज आश्रित प्रतिरोध

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई सुमा माधुरी

वीआईटी विश्वविद्यालय (विटामिन), चेन्नई

सुमा माधुरी ने इस कैलकुलेटर और 50+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित सिमरन श्रवण निषाद

सिंहगढ़ कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग (एससीओई), पुणे

सिमरन श्रवण निषाद ने इस कैलकुलेटर और 2 को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 14 प्रतिरोध कैलक्युलेटर्स

पक्षानुपात दिए गए रैखिक प्रतिरोध के रूप में MOSFET

जाओ रैखिक प्रतिरोध = चैनल की लंबाई/(चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई*प्रभावी वोल्टेज)

विभेदक एम्पलीफायर का आउटपुट प्रतिरोध

जाओ आउटपुट प्रतिरोध = ((सामान्य मोड इनपुट सिग्नल*transconductance)-कुल वर्तमान)/(2*transconductance*कुल वर्तमान)

मॉसफेट का इनपुट प्रतिरोध

जाओ इनपुट प्रतिरोध = इनपुट वोल्टेज/(कलेक्टर वर्तमान*छोटा सिग्नल करंट गेन)

नाली और स्रोत के बीच परिमित प्रतिरोध

जाओ परिमित प्रतिरोध = modulus(सकारात्मक डीसी वोल्टेज)/जल निकासी धारा

इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ

जाओ इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ = 1/(आउटपुट प्रतिरोध*जल निकासी धारा)

नाली आउटपुट प्रतिरोध

जाओ आउटपुट प्रतिरोध = 1/(इलेक्ट्रॉन माध्य मुक्त पथ*जल निकासी धारा)

आउटपुट प्रतिरोध, चैनल लंबाई मॉड्यूलेशन दिया गया

जाओ आउटपुट प्रतिरोध = 1/(चैनल लंबाई मॉड्यूलेशन*जल निकासी धारा)

इनपुट प्रतिरोध दिया गया ट्रांसकंडक्टेंस

जाओ इनपुट प्रतिरोध = छोटा सिग्नल करंट गेन/transconductance

आउटपुट प्रतिरोध को ट्रांसकंडक्टेंस दिया गया

जाओ आउटपुट प्रतिरोध = 1/(वाहक गतिशीलता*transconductance)

मॉसफ़ेट का आउटपुट प्रतिरोध

जाओ आउटपुट प्रतिरोध = प्रारंभिक वोल्टेज/कलेक्टर वर्तमान

MOSFET में वोल्टेज आश्रित प्रतिरोध

जाओ परिमित प्रतिरोध = प्रभावी वोल्टेज/जल निकासी धारा

छोटा सिग्नल इनपुट प्रतिरोध

जाओ इनपुट प्रतिरोध = इनपुट वोल्टेज/आधार धारा

MOSFET के रैखिक प्रतिरोध में आचरण

जाओ चैनल का संचालन = 1/रैखिक प्रतिरोध

MOSFET रैखिक प्रतिरोध के रूप में

जाओ रैखिक प्रतिरोध = 1/चैनल का संचालन

MOSFET में वोल्टेज आश्रित प्रतिरोध सूत्र

परिमित प्रतिरोध = प्रभावी वोल्टेज/जल निकासी धारा
R_fi = V_eff/i_d

MOSFET के अनुप्रयोग क्या हैं?

MOSFETs के इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला है, जिसमें कमजोर सिग्नल को बढ़ाना, इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों को स्विच करना और डिजिटल सर्किट में करंट के प्रवाह को नियंत्रित करना शामिल है। इनका उपयोग पावर इलेक्ट्रॉनिक्स, रेडियो-फ़्रीक्वेंसी (आरएफ) सर्किट और कंप्यूटर सिस्टम और बाह्य उपकरणों के इंटरफेस में भी किया जाता है।

MOSFET में वोल्टेज आश्रित प्रतिरोध की गणना कैसे करें?

MOSFET में वोल्टेज आश्रित प्रतिरोध के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया प्रभावी वोल्टेज (V_eff), MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है। के रूप में & जल निकासी धारा (i_d), ड्रेन करंट वह करंट है जो फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) के ड्रेन और स्रोत टर्मिनलों के बीच प्रवाहित होता है, जो एक प्रकार का ट्रांजिस्टर है जो आमतौर पर इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में उपयोग किया जाता है। के रूप में डालें। कृपया MOSFET में वोल्टेज आश्रित प्रतिरोध गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

MOSFET में वोल्टेज आश्रित प्रतिरोध गणना

MOSFET में वोल्टेज आश्रित प्रतिरोध कैलकुलेटर, परिमित प्रतिरोध की गणना करने के लिए Finite Resistance = प्रभावी वोल्टेज/जल निकासी धारा का उपयोग करता है। MOSFET में वोल्टेज आश्रित प्रतिरोध R_fi को MOSFET में वोल्टेज आश्रित प्रतिरोध वोल्टेज के एक फ़ंक्शन के रूप में डिवाइस के प्रतिरोध में परिवर्तन को संदर्भित करता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ MOSFET में वोल्टेज आश्रित प्रतिरोध गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 0.02125 = 1.7/8E-05. आप और अधिक MOSFET में वोल्टेज आश्रित प्रतिरोध उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

MOSFET में वोल्टेज आश्रित प्रतिरोध क्या है?

MOSFET में वोल्टेज आश्रित प्रतिरोध MOSFET में वोल्टेज आश्रित प्रतिरोध वोल्टेज के एक फ़ंक्शन के रूप में डिवाइस के प्रतिरोध में परिवर्तन को संदर्भित करता है। है और इसे R_fi = V_eff/i_d या Finite Resistance = प्रभावी वोल्टेज/जल निकासी धारा के रूप में दर्शाया जाता है।

MOSFET में वोल्टेज आश्रित प्रतिरोध की गणना कैसे करें?

MOSFET में वोल्टेज आश्रित प्रतिरोध को MOSFET में वोल्टेज आश्रित प्रतिरोध वोल्टेज के एक फ़ंक्शन के रूप में डिवाइस के प्रतिरोध में परिवर्तन को संदर्भित करता है। Finite Resistance = प्रभावी वोल्टेज/जल निकासी धारा R_fi = V_eff/i_d के रूप में परिभाषित किया गया है। MOSFET में वोल्टेज आश्रित प्रतिरोध की गणना करने के लिए, आपको प्रभावी वोल्टेज (V_eff) & जल निकासी धारा (i_d) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है। & ड्रेन करंट वह करंट है जो फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) के ड्रेन और स्रोत टर्मिनलों के बीच प्रवाहित होता है, जो एक प्रकार का ट्रांजिस्टर है जो आमतौर पर इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में उपयोग किया जाता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

परिमित प्रतिरोध की गणना करने के कितने तरीके हैं?

परिमित प्रतिरोध प्रभावी वोल्टेज (V_eff) & जल निकासी धारा (i_d) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 1 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -

परिमित प्रतिरोध = modulus(सकारात्मक डीसी वोल्टेज)/जल निकासी धारा

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