Efficienza dell'array calcolatrice

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Sottosistema del percorso dati dell'array

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Sottosistema CMOS per scopi speciali

✖L'area della cella di memoria a un bit è definita come la cella di memoria, ovvero un circuito elettronico che memorizza un bit di informazioni binarie. Deve essere impostato per memorizzare un 1 logico e reimpostato per memorizzare uno 0 logico.ⓘ Area di una cella di memoria da un bit [A_bit]			+10% -10%
✖La frequenza assoluta è il numero di occorrenze di un particolare punto dati in un set di dati. Rappresenta il conteggio effettivo o il conteggio di quante volte un valore specifico appare nei dati.ⓘ Frequenza assoluta [f_abs]			+10% -10%
✖L'area della cella di memoria è definita come l'area totale occupata dal numero N di bit di memoria.ⓘ Area della cella di memoria [A]			+10% -10%

✖L'efficienza dell'array è definita come la dimensione della cella di bit divisa per l'ACPB. Al fine di normalizzare questa metrica, indipendentemente dal nodo tecnologico.ⓘ Efficienza dell'array [E]

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Formula

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Efficienza dell'array

Formula

`"E" = ("A"_{"bit"}*"f"_{"abs"})/"A"`

Esempio

`"0.880004"=("47.72mm²"*"10Hz")/"542.27mm²"`

Calcolatrice

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Efficienza dell'array Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Efficienza dell'array = (Area di una cella di memoria da un bit*Frequenza assoluta)/Area della cella di memoria
E = (A_bit*f_abs)/A
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Efficienza dell'array - L'efficienza dell'array è definita come la dimensione della cella di bit divisa per l'ACPB. Al fine di normalizzare questa metrica, indipendentemente dal nodo tecnologico.
Area di una cella di memoria da un bit - (Misurato in Metro quadrato) - L'area della cella di memoria a un bit è definita come la cella di memoria, ovvero un circuito elettronico che memorizza un bit di informazioni binarie. Deve essere impostato per memorizzare un 1 logico e reimpostato per memorizzare uno 0 logico.
Frequenza assoluta - (Misurato in Hertz) - La frequenza assoluta è il numero di occorrenze di un particolare punto dati in un set di dati. Rappresenta il conteggio effettivo o il conteggio di quante volte un valore specifico appare nei dati.
Area della cella di memoria - (Misurato in Metro quadrato) - L'area della cella di memoria è definita come l'area totale occupata dal numero N di bit di memoria.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Area di una cella di memoria da un bit: 47.72 Piazza millimetrica --> 4.772E-05 Metro quadrato (Controlla la conversione qui)
Frequenza assoluta: 10 Hertz --> 10 Hertz Nessuna conversione richiesta
Area della cella di memoria: 542.27 Piazza millimetrica --> 0.00054227 Metro quadrato (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

E = (A_bit*f_abs)/A --> (4.772E-05*10)/0.00054227

Valutare ... ...

E = 0.880004425839526

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.880004425839526 --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.880004425839526 ≈ 0.880004 <-- Efficienza dell'array

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 19 Sottosistema del percorso dati dell'array Calcolatrici

Ritardo sommatore Carry-Looker

Partire Ritardo sommatore Carry-Looker = Ritardo di propagazione+Ritardo di propagazione del gruppo+((N-Ingresso AND Porta-1)+(Ingresso K AND Porta-1))*Ritardo gate AND-OR+Ritardo XOR

Ritardo multiplexer

Partire Ritardo del multiplexer = (Ritardo sommatore carry-skip-(Ritardo di propagazione+(2*(N-Ingresso AND Porta-1)*Ritardo gate AND-OR)-Ritardo XOR))/(Ingresso K AND Porta-1)

Carry-Skip Adder Delay

Partire Ritardo sommatore carry-skip = Ritardo di propagazione+2*(N-Ingresso AND Porta-1)*Ritardo gate AND-OR+(Ingresso K AND Porta-1)*Ritardo del multiplexer+Ritardo XOR

Carry-Increamentor Adder Delay

Partire Ritardo sommatore carry-incrementatore = Ritardo di propagazione+Ritardo di propagazione del gruppo+(Ingresso K AND Porta-1)*Ritardo gate AND-OR+Ritardo XOR

Ritardo critico nei cancelli

Partire Ritardo critico nei cancelli = Ritardo di propagazione+(N-Ingresso AND Porta+(Ingresso K AND Porta-2))*Ritardo gate AND-OR+Ritardo del multiplexer

Ritardo di propagazione del gruppo

Partire Ritardo di propagazione = Ritardo della vipera dell'albero-(log2(Frequenza assoluta)*Ritardo gate AND-OR+Ritardo XOR)

Ritardo sommatore albero

Partire Ritardo della vipera dell'albero = Ritardo di propagazione+log2(Frequenza assoluta)*Ritardo gate AND-OR+Ritardo XOR

Capacità della cella

Partire Capacità cellulare = (Capacità di bit*2*Oscillazione di tensione su Bitline)/(Tensione positiva-(Oscillazione di tensione su Bitline*2))

Capacità bit

Partire Capacità di bit = ((Tensione positiva*Capacità cellulare)/(2*Oscillazione di tensione su Bitline))-Capacità cellulare

Oscillazione di tensione sulla bitline

Partire Oscillazione di tensione su Bitline = (Tensione positiva/2)*Capacità cellulare/(Capacità cellulare+Capacità di bit)

Ritardo 'XOR'

Partire Ritardo XOR = Tempo di ondulazione-(Ritardo di propagazione+(Cancelli sul percorso critico-1)*Ritardo gate AND-OR)

Carry-Ripple Adder Ritardo del percorso critico

Partire Tempo di ondulazione = Ritardo di propagazione+(Cancelli sul percorso critico-1)*Ritardo gate AND-OR+Ritardo XOR

Capacità di terra

Partire Capacità di terra = ((Tensione dell'aggressore*Capacità adiacente)/Tensione della vittima)-Capacità adiacente

Area di memoria contenente N bit

Partire Area della cella di memoria = (Area di una cella di memoria da un bit*Frequenza assoluta)/Efficienza dell'array

Area della cella di memoria

Partire Area di una cella di memoria da un bit = (Efficienza dell'array*Area della cella di memoria)/Frequenza assoluta

Efficienza dell'array

Partire Efficienza dell'array = (Area di una cella di memoria da un bit*Frequenza assoluta)/Area della cella di memoria

Addizionatore N-Bit Carry-Skip

Partire Sommatore di salto riporto a N bit = N-Ingresso AND Porta*Ingresso K AND Porta

N-Ingresso 'E' Gate

Partire N-Ingresso AND Porta = Sommatore di salto riporto a N bit/Ingresso K AND Porta

K-Input 'E' Gate

Partire Ingresso K AND Porta = Sommatore di salto riporto a N bit/N-Ingresso AND Porta

Efficienza dell'array Formula

Efficienza dell'array = (Area di una cella di memoria da un bit*Frequenza assoluta)/Area della cella di memoria
E = (A_bit*f_abs)/A

Qual è il significato di ras e cas nella SDRAM?

SDRAM riceve il comando di indirizzo in due parole di indirizzo e utilizza uno schema multiplex per salvare i pin di ingresso. La prima parola di indirizzo è agganciata al chip DRAM con lo strobo indirizzo di riga (RAS) .Seguendo il comando RAS c'è lo strobo indirizzo di colonna (CAS) per bloccare la seconda parola di indirizzo.Poco dopo gli stroboscopi RAS e CAS, i dati memorizzati sono valido per la lettura.

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