Efficacité de la baie Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Efficacité de la baie = (Zone d'une cellule mémoire d'un bit*Fréquence absolue)/Zone de cellule mémoire
E = (Abit*fabs)/A
Cette formule utilise 4 Variables
Variables utilisées
Efficacité de la baie - L'efficacité du tableau est définie comme la taille de la cellule binaire divisée par l'ACPB. Afin de normaliser cette métrique, indépendamment du nœud technologique.
Zone d'une cellule mémoire d'un bit - (Mesuré en Mètre carré) - La zone d’une cellule mémoire One Bit est définie comme la cellule mémoire, qui est un circuit électronique qui stocke un bit d’informations binaires. Il doit être configuré pour stocker un 1 logique et réinitialisé pour stocker un 0 logique.
Fréquence absolue - (Mesuré en Hertz) - La fréquence absolue est le nombre d'occurrences d'un point de données particulier dans un ensemble de données. Il représente le nombre réel de fois où une valeur spécifique apparaît dans les données.
Zone de cellule mémoire - (Mesuré en Mètre carré) - La zone de cellule mémoire est définie comme la zone totale occupée par le nombre N de bits de mémoire.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Zone d'une cellule mémoire d'un bit: 47.72 Millimètre carré --> 4.772E-05 Mètre carré (Vérifiez la conversion ici)
Fréquence absolue: 10 Hertz --> 10 Hertz Aucune conversion requise
Zone de cellule mémoire: 542.27 Millimètre carré --> 0.00054227 Mètre carré (Vérifiez la conversion ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
E = (Abit*fabs)/A --> (4.772E-05*10)/0.00054227
Évaluer ... ...
E = 0.880004425839526
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.880004425839526 --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
0.880004425839526 0.880004 <-- Efficacité de la baie
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

19 Sous-système de chemin de données de tableau Calculatrices

Retard du multiplexeur
Aller Retard du multiplexeur = (Délai de l'additionneur de saut de retenue-(Délai de propagation+(2*(Porte ET à entrée N-1)*Délai de porte ET-OU)-Délai XOR))/(Entrée K ET Porte-1)
Délai d'additionneur de report
Aller Délai de l'additionneur de saut de retenue = Délai de propagation+2*(Porte ET à entrée N-1)*Délai de porte ET-OU+(Entrée K ET Porte-1)*Retard du multiplexeur+Délai XOR
Délai d'additionneur de portage
Aller Délai d'additionneur de portage = Délai de propagation+Délai de propagation du groupe+((Porte ET à entrée N-1)+(Entrée K ET Porte-1))*Délai de porte ET-OU+Délai XOR
Délai d'additionneur d'augmentation de report
Aller Délai de l'additionneur d'incrément de report = Délai de propagation+Délai de propagation du groupe+(Entrée K ET Porte-1)*Délai de porte ET-OU+Délai XOR
Retard critique dans les portes
Aller Retard critique dans les portes = Délai de propagation+(Porte ET à entrée N+(Entrée K ET Porte-2))*Délai de porte ET-OU+Retard du multiplexeur
Délai de propagation de groupe
Aller Délai de propagation = Délai de l'additionneur d'arbre-(log2(Fréquence absolue)*Délai de porte ET-OU+Délai XOR)
Délai d'additionneur d'arbre
Aller Délai de l'additionneur d'arbre = Délai de propagation+log2(Fréquence absolue)*Délai de porte ET-OU+Délai XOR
Capacité de cellule
Aller Capacité cellulaire = (Capacité des bits*2*Variation de tension sur Bitline)/(Tension positive-(Variation de tension sur Bitline*2))
Capacité de bit
Aller Capacité des bits = ((Tension positive*Capacité cellulaire)/(2*Variation de tension sur Bitline))-Capacité cellulaire
Variation de tension sur Bitline
Aller Variation de tension sur Bitline = (Tension positive/2)*Capacité cellulaire/(Capacité cellulaire+Capacité des bits)
Délai « XOR »
Aller Délai XOR = Temps d'ondulation-(Délai de propagation+(Portes sur le chemin critique-1)*Délai de porte ET-OU)
Retard du chemin critique de l'additionneur de report d'ondulation
Aller Temps d'ondulation = Délai de propagation+(Portes sur le chemin critique-1)*Délai de porte ET-OU+Délai XOR
Capacité au sol
Aller Capacité au sol = ((Tension de l'agresseur*Capacité adjacente)/Tension de la victime)-Capacité adjacente
Zone de mémoire contenant N bits
Aller Zone de cellule mémoire = (Zone d'une cellule mémoire d'un bit*Fréquence absolue)/Efficacité de la baie
Zone de cellule mémoire
Aller Zone d'une cellule mémoire d'un bit = (Efficacité de la baie*Zone de cellule mémoire)/Fréquence absolue
Efficacité de la baie
Aller Efficacité de la baie = (Zone d'une cellule mémoire d'un bit*Fréquence absolue)/Zone de cellule mémoire
Porte 'Et' d'entrée N
Aller Porte ET à entrée N = Additionneur de sauts de transport N-bits/Entrée K ET Porte
N-Bit Carry-Skip Adder
Aller Additionneur de sauts de transport N-bits = Porte ET à entrée N*Entrée K ET Porte
Porte 'Et' d'entrée K
Aller Entrée K ET Porte = Additionneur de sauts de transport N-bits/Porte ET à entrée N

Efficacité de la baie Formule

Efficacité de la baie = (Zone d'une cellule mémoire d'un bit*Fréquence absolue)/Zone de cellule mémoire
E = (Abit*fabs)/A

Quelle est la signification de ras et cas dans la SDRAM?

La SDRAM reçoit sa commande d'adresse en deux mots d'adresse et utilise un schéma de multiplexage pour enregistrer les broches d'entrée. Le premier mot d'adresse est verrouillé dans la puce DRAM avec le stroboscope d'adresse de ligne (RAS) .Après la commande RAS, il y a le stroboscope d'adresse de colonne (CAS) pour verrouiller le deuxième mot d'adresse. valable pour la lecture.

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