Eficiência do Array Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Eficiência da matriz = (Área da célula de memória de um bit*Frequência Absoluta)/Área da Célula de Memória
E = (Abit*fabs)/A
Esta fórmula usa 4 Variáveis
Variáveis Usadas
Eficiência da matriz - A eficiência do array é definida como o tamanho da bitcell dividido pelo ACPB. Para normalizar esta métrica, independente do nó tecnológico.
Área da célula de memória de um bit - (Medido em Metro quadrado) - A área da célula de memória de um bit é definida como a célula de memória, que é um circuito eletrônico que armazena um bit de informação binária. Deve ser configurado para armazenar uma lógica 1 e resetado para armazenar uma lógica 0.
Frequência Absoluta - (Medido em Hertz) - Frequência absoluta é o número de ocorrências de um determinado ponto de dados em um conjunto de dados. Ele representa a contagem real ou contagem de quantas vezes um valor específico aparece nos dados.
Área da Célula de Memória - (Medido em Metro quadrado) - A área da célula de memória é definida como a área total ocupada pelo número N de bits de memória.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Área da célula de memória de um bit: 47.72 Milimetros Quadrados --> 4.772E-05 Metro quadrado (Verifique a conversão aqui)
Frequência Absoluta: 10 Hertz --> 10 Hertz Nenhuma conversão necessária
Área da Célula de Memória: 542.27 Milimetros Quadrados --> 0.00054227 Metro quadrado (Verifique a conversão aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
E = (Abit*fabs)/A --> (4.772E-05*10)/0.00054227
Avaliando ... ...
E = 0.880004425839526
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.880004425839526 --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
0.880004425839526 0.880004 <-- Eficiência da matriz
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Criado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

19 Subsistema de Datapath de matriz Calculadoras

Atraso do somador Carry-Looker
Vai Atraso do somador Carry-Looker = Atraso de propagação+Atraso de propagação de grupo+((Entrada N E Porta-1)+(Entrada K E Porta-1))*Atraso da porta AND-OR+Atraso XOR
Multiplexer Delay
Vai Atraso do multiplexador = (Atraso do somador Carry-Skip-(Atraso de propagação+(2*(Entrada N E Porta-1)*Atraso da porta AND-OR)-Atraso XOR))/(Entrada K E Porta-1)
Atraso Carry-Skip Adder
Vai Atraso do somador Carry-Skip = Atraso de propagação+2*(Entrada N E Porta-1)*Atraso da porta AND-OR+(Entrada K E Porta-1)*Atraso do multiplexador+Atraso XOR
Atraso do somador do Carry-Increamentor
Vai Atraso do adicionador de incremento de transporte = Atraso de propagação+Atraso de propagação de grupo+(Entrada K E Porta-1)*Atraso da porta AND-OR+Atraso XOR
Atraso Crítico em Portões
Vai Atraso Crítico em Portões = Atraso de propagação+(Entrada N E Porta+(Entrada K E Porta-2))*Atraso da porta AND-OR+Atraso do multiplexador
Atraso de Propagação de Grupo
Vai Atraso de propagação = Atraso do Somador de Árvore-(log2(Frequência Absoluta)*Atraso da porta AND-OR+Atraso XOR)
Atraso de adição de árvore
Vai Atraso do Somador de Árvore = Atraso de propagação+log2(Frequência Absoluta)*Atraso da porta AND-OR+Atraso XOR
Capacitância Celular
Vai Capacitância Celular = (Capacitância de bits*2*Oscilação de tensão no Bitline)/(Tensão Positiva-(Oscilação de tensão no Bitline*2))
Capacitância de bits
Vai Capacitância de bits = ((Tensão Positiva*Capacitância Celular)/(2*Oscilação de tensão no Bitline))-Capacitância Celular
Oscilação de tensão na linha de bits
Vai Oscilação de tensão no Bitline = (Tensão Positiva/2)*Capacitância Celular/(Capacitância Celular+Capacitância de bits)
Atraso 'XOR'
Vai Atraso XOR = Tempo de ondulação-(Atraso de propagação+(Portões no Caminho Crítico-1)*Atraso da porta AND-OR)
Capacitância de Terra
Vai Capacitância de Terra = ((Tensão Agressora*Capacitância Adjacente)/Tensão da Vítima)-Capacitância Adjacente
Carry-Ripple Adder Critical Path Delay
Vai Tempo de ondulação = Atraso de propagação+(Portões no Caminho Crítico-1)*Atraso da porta AND-OR+Atraso XOR
Área de memória contendo N bits
Vai Área da Célula de Memória = (Área da célula de memória de um bit*Frequência Absoluta)/Eficiência da matriz
Área da Célula de Memória
Vai Área da célula de memória de um bit = (Eficiência da matriz*Área da Célula de Memória)/Frequência Absoluta
Eficiência do Array
Vai Eficiência da matriz = (Área da célula de memória de um bit*Frequência Absoluta)/Área da Célula de Memória
N-Input 'E' Gate
Vai Entrada N E Porta = Adicionador de salto de transporte de N bits/Entrada K E Porta
Adicionador Carry-Skip de N-Bit
Vai Adicionador de salto de transporte de N bits = Entrada N E Porta*Entrada K E Porta
K-Input 'E' Gate
Vai Entrada K E Porta = Adicionador de salto de transporte de N bits/Entrada N E Porta

Eficiência do Array Fórmula

Eficiência da matriz = (Área da célula de memória de um bit*Frequência Absoluta)/Área da Célula de Memória
E = (Abit*fabs)/A

Qual é o significado de ras e cas em SDRAM?

O SDRAM recebe seu comando de endereço em duas palavras de endereço. Ele usa um esquema multiplex para salvar os pinos de entrada. A primeira palavra de endereço é travada no chip DRAM com o estroboscópio de endereço de linha (RAS). Seguindo o comando RAS está o estrobo de endereço de coluna (CAS) para travar a segunda palavra de endereço. Pouco depois dos estroboscópios RAS e CAS, os dados armazenados são válido para leitura.

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