Corrente di base 2 di BJT calcolatrice

✖La corrente di saturazione è la densità di corrente di dispersione del diodo in assenza di luce. È un parametro importante che differenzia un diodo da un altro.ⓘ Corrente di saturazione [I_sat]			+10% -10%
✖Il guadagno di corrente dell'emettitore comune è influenzato da 2 fattori: ampiezza della regione di base W e drogaggi relativi della regione di base e della regione di emettitore. La sua gamma varia da 50-200.ⓘ Guadagno di corrente dell'emettitore comune [β]			+10% -10%
✖La tensione base-emettitore è la tensione diretta tra la base e l'emettitore del transistor.ⓘ Tensione base-emettitore [V_BE]			+10% -10%
✖La tensione termica è la tensione prodotta all'interno della giunzione pn.ⓘ Tensione termica [V_t]			+10% -10%

✖La corrente di base è una corrente cruciale del transistor a giunzione bipolare. Senza la corrente di base, il transistor non può accendersi.ⓘ Corrente di base 2 di BJT [I_B]

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Formula

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Corrente di base 2 di BJT

Formula

`"I"_{"B"} = ("I"_{"sat"}/"β")*(e^("V"_{"BE"}/"V"_{"t"}))`

Esempio

`"0.077086mA"=("1.675mA"/"65")*(e^("5.15V"/"4.7V"))`

Calcolatrice

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Corrente di base 2 di BJT Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Corrente di base = (Corrente di saturazione/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)*(e^(Tensione base-emettitore/Tensione termica))
I_B = (I_sat/β)*(e^(V_BE/V_t))
Questa formula utilizza 1 Costanti, 5 Variabili

Costanti utilizzate

e - Costante di Napier Valore preso come 2.71828182845904523536028747135266249

Variabili utilizzate

Corrente di base - (Misurato in Ampere) - La corrente di base è una corrente cruciale del transistor a giunzione bipolare. Senza la corrente di base, il transistor non può accendersi.
Corrente di saturazione - (Misurato in Ampere) - La corrente di saturazione è la densità di corrente di dispersione del diodo in assenza di luce. È un parametro importante che differenzia un diodo da un altro.
Guadagno di corrente dell'emettitore comune - Il guadagno di corrente dell'emettitore comune è influenzato da 2 fattori: ampiezza della regione di base W e drogaggi relativi della regione di base e della regione di emettitore. La sua gamma varia da 50-200.
Tensione base-emettitore - (Misurato in Volt) - La tensione base-emettitore è la tensione diretta tra la base e l'emettitore del transistor.
Tensione termica - (Misurato in Volt) - La tensione termica è la tensione prodotta all'interno della giunzione pn.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Corrente di saturazione: 1.675 Millampere --> 0.001675 Ampere (Controlla la conversione qui)
Guadagno di corrente dell'emettitore comune: 65 --> Nessuna conversione richiesta
Tensione base-emettitore: 5.15 Volt --> 5.15 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione termica: 4.7 Volt --> 4.7 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

I_B = (I_sat/β)*(e^(V_BE/V_t)) --> (0.001675/65)*(e^(5.15/4.7))

Valutare ... ...

I_B = 7.70863217186262E-05

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

7.70863217186262E-05 Ampere -->0.0770863217186262 Millampere (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.0770863217186262 ≈ 0.077086 Millampere <-- Corrente di base

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 14 Corrente di base Calcolatrici

Corrente di base utilizzando la corrente di saturazione in CC

Partire Corrente di base = (Corrente di saturazione/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)*e^(Tensione base-collettore/Tensione termica)+Pressione di vapore di saturazione*e^(Tensione base-collettore/Tensione termica)

Corrente di saturazione mediante concentrazione di doping

Partire Corrente di saturazione = (Area della sezione trasversale della giunzione base-emettitore*[Charge-e]*Diffusività elettronica*(Concentrazione portante intrinseca)^2)/(Larghezza della giunzione di base*Concentrazione drogante della base)

Guadagno di corrente di cortocircuito di BJT

Partire Guadagno di corrente di cortocircuito = (Guadagno di corrente a emettitore comune a bassa frequenza)/(1+Variabile di frequenza complessa*(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base)*Resistenza di ingresso)

Corrente di scarico dato dal parametro del dispositivo

Partire Assorbimento di corrente = 1/2*Transconduttanza*Proporzioni*(Tensione effettiva-Soglia di voltaggio)^2*(1+Parametro dispositivo*Tensione tra Drain e Source)

Corrente di base 2 di BJT

Partire Corrente di base = (Corrente di saturazione/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)*(e^(Tensione base-emettitore/Tensione termica))

Corrente di base del transistor PNP utilizzando la corrente di saturazione

Partire Corrente di base = (Corrente di saturazione/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)*e^(Tensione base-emettitore/Tensione termica)

Corrente di riferimento dello specchio BJT

Partire Corrente di riferimento = Corrente del collettore+(2*Corrente del collettore)/Guadagno di corrente dell'emettitore comune

Corrente di riferimento dello specchio di corrente BJT

Partire Corrente di riferimento = (Tensione di alimentazione-Tensione base-emettitore)/Resistenza

Corrente di riferimento del BJT Mirror data la corrente del collettore

Partire Corrente di riferimento = Corrente del collettore*(1+2/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)

Corrente di base del transistor PNP data la corrente dell'emettitore

Partire Corrente di base = Corrente dell'emettitore/(Guadagno di corrente dell'emettitore comune+1)

Corrente di base del transistor PNP utilizzando la corrente del collettore

Partire Corrente di base = Corrente del collettore/Guadagno di corrente dell'emettitore comune

Corrente di base 1 di BJT

Partire Corrente di base = Corrente del collettore/Guadagno di corrente dell'emettitore comune

Corrente di base del transistor PNP utilizzando il guadagno di corrente di base comune

Partire Corrente di base = (1-Guadagno di corrente a base comune)*Corrente dell'emettitore

Corrente di base totale

Partire Corrente di base = Corrente di base 1+Corrente di base 2

Corrente di base 2 di BJT Formula

Corrente di base = (Corrente di saturazione/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)*(e^(Tensione base-emettitore/Tensione termica))
I_B = (I_sat/β)*(e^(V_BE/V_t))

Quali sono i componenti della corrente di base?

La corrente di base 2 è dovuta ai fori iniettati dalla regione di base nella regione di emettitore. Questa componente corrente è proporzionale a e ^ V

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