Corrente di scarico dato dal parametro del dispositivo calcolatrice

✖La transconduttanza è il rapporto tra la variazione di corrente al terminale di uscita e la variazione di tensione al terminale di ingresso di un dispositivo attivo.ⓘ Transconduttanza [G_m]			+10% -10%
✖Aspect Ratio è il rapporto tra la larghezza del canale e la lunghezza del canale.ⓘ Proporzioni [WL]			+10% -10%
✖La tensione effettiva o la tensione di overdrive è l'eccesso di tensione attraverso l'ossido sopra la tensione termica.ⓘ Tensione effettiva [V_ov]			+10% -10%
✖La tensione di soglia del transistor è la minima tensione gate-source necessaria per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.ⓘ Soglia di voltaggio [V_th]			+10% -10%
✖parametro dispositivo è il parametro utilizzato nel calcolo relativo a BJT.ⓘ Parametro dispositivo [V_A]			+10% -10%
✖Alla tensione tra drain e source viene applicata una tensione positiva tra drain e source, avendo indotto un canale.ⓘ Tensione tra Drain e Source [V_DS]			+10% -10%

✖La corrente di drenaggio al di sotto della tensione di soglia è definita come la corrente di sottosoglia e varia in modo esponenziale con la tensione gate-source.ⓘ Corrente di scarico dato dal parametro del dispositivo [I_d]

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Formula

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Corrente di scarico dato dal parametro del dispositivo

Formula

`"I"_{"d"} = 1/2*"G"_{"m"}*"WL"*("V"_{"ov"}-"V"_{"th"})^2*(1+"V"_{"A"}*"V"_{"DS"})`

Esempio

`"3366.129mA"=1/2*"1.72mS"*"8.75"*("25V"-"5.50V")^2*(1+"0.024"*"7.35V")`

Calcolatrice

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Corrente di scarico dato dal parametro del dispositivo Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Assorbimento di corrente = 1/2*Transconduttanza*Proporzioni*(Tensione effettiva-Soglia di voltaggio)^2*(1+Parametro dispositivo*Tensione tra Drain e Source)
I_d = 1/2*G_m*WL*(V_ov-V_th)^2*(1+V_A*V_DS)
Questa formula utilizza 7 Variabili

Variabili utilizzate

Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drenaggio al di sotto della tensione di soglia è definita come la corrente di sottosoglia e varia in modo esponenziale con la tensione gate-source.
Transconduttanza - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza è il rapporto tra la variazione di corrente al terminale di uscita e la variazione di tensione al terminale di ingresso di un dispositivo attivo.
Proporzioni - Aspect Ratio è il rapporto tra la larghezza del canale e la lunghezza del canale.
Tensione effettiva - (Misurato in Volt) - La tensione effettiva o la tensione di overdrive è l'eccesso di tensione attraverso l'ossido sopra la tensione termica.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia del transistor è la minima tensione gate-source necessaria per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.
Parametro dispositivo - parametro dispositivo è il parametro utilizzato nel calcolo relativo a BJT.
Tensione tra Drain e Source - (Misurato in Volt) - Alla tensione tra drain e source viene applicata una tensione positiva tra drain e source, avendo indotto un canale.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Transconduttanza: 1.72 Millisiemens --> 0.00172 Siemens (Controlla la conversione qui)
Proporzioni: 8.75 --> Nessuna conversione richiesta
Tensione effettiva: 25 Volt --> 25 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 5.5 Volt --> 5.5 Volt Nessuna conversione richiesta
Parametro dispositivo: 0.024 --> Nessuna conversione richiesta
Tensione tra Drain e Source: 7.35 Volt --> 7.35 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

I_d = 1/2*G_m*WL*(V_ov-V_th)^2*(1+V_A*V_DS) --> 1/2*0.00172*8.75*(25-5.5)^2*(1+0.024*7.35)

Valutare ... ...

I_d = 3.3661289025

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

3.3661289025 Ampere -->3366.1289025 Millampere (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

3366.1289025 ≈ 3366.129 Millampere <-- Assorbimento di corrente

(Calcolo completato in 00.008 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 14 Corrente di base Calcolatrici

Corrente di base utilizzando la corrente di saturazione in CC

Partire Corrente di base = (Corrente di saturazione/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)*e^(Tensione base-collettore/Tensione termica)+Pressione di vapore di saturazione*e^(Tensione base-collettore/Tensione termica)

Corrente di saturazione mediante concentrazione di doping

Partire Corrente di saturazione = (Area della sezione trasversale della giunzione base-emettitore*[Charge-e]*Diffusività elettronica*(Concentrazione portante intrinseca)^2)/(Larghezza della giunzione di base*Concentrazione drogante della base)

Guadagno di corrente di cortocircuito di BJT

Partire Guadagno di corrente di cortocircuito = (Guadagno di corrente a emettitore comune a bassa frequenza)/(1+Variabile di frequenza complessa*(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base)*Resistenza di ingresso)

Corrente di scarico dato dal parametro del dispositivo

Partire Assorbimento di corrente = 1/2*Transconduttanza*Proporzioni*(Tensione effettiva-Soglia di voltaggio)^2*(1+Parametro dispositivo*Tensione tra Drain e Source)

Corrente di base 2 di BJT

Partire Corrente di base = (Corrente di saturazione/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)*(e^(Tensione base-emettitore/Tensione termica))

Corrente di base del transistor PNP utilizzando la corrente di saturazione

Partire Corrente di base = (Corrente di saturazione/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)*e^(Tensione base-emettitore/Tensione termica)

Corrente di riferimento dello specchio BJT

Partire Corrente di riferimento = Corrente del collettore+(2*Corrente del collettore)/Guadagno di corrente dell'emettitore comune

Corrente di riferimento dello specchio di corrente BJT

Partire Corrente di riferimento = (Tensione di alimentazione-Tensione base-emettitore)/Resistenza

Corrente di riferimento del BJT Mirror data la corrente del collettore

Partire Corrente di riferimento = Corrente del collettore*(1+2/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)

Corrente di base del transistor PNP data la corrente dell'emettitore

Partire Corrente di base = Corrente dell'emettitore/(Guadagno di corrente dell'emettitore comune+1)

Corrente di base del transistor PNP utilizzando la corrente del collettore

Partire Corrente di base = Corrente del collettore/Guadagno di corrente dell'emettitore comune

Corrente di base 1 di BJT

Partire Corrente di base = Corrente del collettore/Guadagno di corrente dell'emettitore comune

Corrente di base del transistor PNP utilizzando il guadagno di corrente di base comune

Partire Corrente di base = (1-Guadagno di corrente a base comune)*Corrente dell'emettitore

Corrente di base totale

Partire Corrente di base = Corrente di base 1+Corrente di base 2

Corrente di scarico dato dal parametro del dispositivo Formula

Cos'è la corrente di drenaggio nei MOSFET?

La corrente di drain al di sotto della tensione di soglia è definita come la corrente di sottosoglia e varia esponenzialmente con Vgs. Il reciproco della caratteristica della pendenza del log (Ids) rispetto a Vgs è definito come pendenza della sottosoglia, S, ed è una delle metriche delle prestazioni più critiche per i MOSFET nelle applicazioni logiche.

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