Larghezza di transizione del CMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Larghezza di transizione = Capacità di sovrapposizione del gate MOS/Capacità del gate MOS
W = Cmos/Cgs
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Larghezza di transizione - (Misurato in metro) - La larghezza di transizione è definita come l'aumento di larghezza quando la tensione drain-source aumenta, determinando la transizione della regione del triodo alla regione di saturazione.
Capacità di sovrapposizione del gate MOS - (Misurato in Farad) - La capacità di sovrapposizione del gate MOS è una capacità che deriva dalla costruzione del dispositivo stesso ed è solitamente associata alle sue giunzioni PN interne.
Capacità del gate MOS - (Misurato in Farad) - La capacità di gate MOS è un fattore importante nel calcolo della capacità di sovrapposizione del gate.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Capacità di sovrapposizione del gate MOS: 1.8 Microfarad --> 1.8E-06 Farad (Controlla la conversione qui)
Capacità del gate MOS: 20.04 Microfarad --> 2.004E-05 Farad (Controlla la conversione qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
W = Cmos/Cgs --> 1.8E-06/2.004E-05
Valutare ... ...
W = 0.0898203592814371
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.0898203592814371 metro -->89.8203592814371 Millimetro (Controlla la conversione qui)
RISPOSTA FINALE
89.8203592814371 89.82036 Millimetro <-- Larghezza di transizione
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

15 Caratteristiche del circuito CMOS Calcolatrici

Capacità effettiva in CMOS
Partire Capacità effettiva nel CMOS = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^(Tensione del collettore di base)))/(Cancelli sul percorso critico*[BoltZ]*Tensione del collettore di base)
Permittività dello strato di ossido
Partire Permittività dello strato di ossido = Spessore dello strato di ossido*Capacità del gate di ingresso/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello)
Spessore dello strato di ossido
Partire Spessore dello strato di ossido = Permittività dello strato di ossido*Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello/Capacità del gate di ingresso
Larghezza del cancello
Partire Larghezza del cancello = Capacità del gate di ingresso/(Capacità dello strato di ossido di gate*Lunghezza del cancello)
Perimetro laterale della diffusione della sorgente
Partire Perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente = (2*Larghezza di transizione)+(2*Lunghezza della fonte)
Larghezza della regione di svuotamento
Partire Larghezza della regione di esaurimento = Lunghezza giunzione PN-Lunghezza effettiva del canale
Lunghezza effettiva del canale
Partire Lunghezza effettiva del canale = Lunghezza giunzione PN-Larghezza della regione di esaurimento
Lunghezza giunzione PN
Partire Lunghezza giunzione PN = Larghezza della regione di esaurimento+Lunghezza effettiva del canale
Larghezza di transizione del CMOS
Partire Larghezza di transizione = Capacità di sovrapposizione del gate MOS/Capacità del gate MOS
Larghezza della diffusione della sorgente
Partire Larghezza di transizione = Area di diffusione della sorgente/Lunghezza della fonte
Area di diffusione della sorgente
Partire Area di diffusione della sorgente = Lunghezza della fonte*Larghezza di transizione
Campo elettrico critico
Partire Campo elettrico critico = (2*Saturazione della velocità)/Mobilità dell'elettrone
CMOS percorso libero medio
Partire Percorso libero medio = Tensione critica nel CMOS/Campo elettrico critico
Tensione critica CMOS
Partire Tensione critica nel CMOS = Campo elettrico critico*Percorso libero medio
Tensione al minimo EDP
Partire Tensione al minimo EDP = (3*Soglia di voltaggio)/(3-Fattore di attività)

Larghezza di transizione del CMOS Formula

Larghezza di transizione = Capacità di sovrapposizione del gate MOS/Capacità del gate MOS
W = Cmos/Cgs

Qual è la necessità del doping nel CMOS?

Il drogaggio nella tecnologia CMOS viene utilizzato per introdurre impurità nel materiale semiconduttore per alterarne le proprietà elettriche. Aggiungendo droganti è possibile aumentare il numero di portatori di carica liberi (elettroni o lacune), consentendo un maggiore controllo sul comportamento elettrico del dispositivo. Ciò è essenziale per creare circuiti CMOS ad alte prestazioni che utilizzano transistor sia di tipo n che di tipo p.

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