Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*Scaricare la tensione della sorgente*(Tensione di overdrive in NMOS-1/2*Scaricare la tensione della sorgente)
Id = k'n*Wc/L*Vds*(Vov-1/2*Vds)
Questa formula utilizza 6 Variabili
Variabili utilizzate
Assorbimento di corrente in NMOS - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain in NMOS è la corrente elettrica che scorre dal drain alla sorgente di un transistor ad effetto di campo (FET) o di un transistor ad effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo (MOSFET).
Parametro di transconduttanza di processo in NMOS - (Misurato in Siemens) - Il parametro di transconduttanza di processo in NMOS (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.
Larghezza del canale - (Misurato in metro) - La larghezza del canale si riferisce alla quantità di larghezza di banda disponibile per la trasmissione dei dati all'interno di un canale di comunicazione.
Lunghezza del canale - (Misurato in metro) - La lunghezza del canale può essere definita come la distanza tra i suoi punti iniziale e finale e può variare notevolmente a seconda del suo scopo e della sua posizione.
Scaricare la tensione della sorgente - (Misurato in Volt) - Drain Source Voltage è un termine elettrico utilizzato in elettronica e in particolare nei transistor ad effetto di campo. Si riferisce alla differenza di tensione tra i terminali Drain e Source del FET.
Tensione di overdrive in NMOS - (Misurato in Volt) - La tensione di overdrive in NMOS si riferisce in genere alla tensione applicata a un dispositivo o componente che supera la sua normale tensione operativa.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Parametro di transconduttanza di processo in NMOS: 2 Millisiemens --> 0.002 Siemens (Controlla la conversione ​qui)
Larghezza del canale: 10 Micrometro --> 1E-05 metro (Controlla la conversione ​qui)
Lunghezza del canale: 3 Micrometro --> 3E-06 metro (Controlla la conversione ​qui)
Scaricare la tensione della sorgente: 8.43 Volt --> 8.43 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione di overdrive in NMOS: 8.48 Volt --> 8.48 Volt Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Id = k'n*Wc/L*Vds*(Vov-1/2*Vds) --> 0.002*1E-05/3E-06*8.43*(8.48-1/2*8.43)
Valutare ... ...
Id = 0.239693
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.239693 Ampere -->239.693 Millampere (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
239.693 Millampere <-- Assorbimento di corrente in NMOS
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

17 Miglioramento del canale N Calcolatrici

Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione del triodo di NMOS
​ Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*(Scaricare la tensione della sorgente)^2)
Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate
​ Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*Scaricare la tensione della sorgente^2)
Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS
​ Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*Scaricare la tensione della sorgente*(Tensione di overdrive in NMOS-1/2*Scaricare la tensione della sorgente)
Effetto corpo in NMOS
​ Partire Variazione della tensione di soglia = Soglia di voltaggio+Parametro del processo di fabbricazione*(sqrt(2*Parametro fisico+Tensione tra Body e Source)-sqrt(2*Parametro fisico))
NMOS come resistenza lineare
​ Partire Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità di ossido*Larghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio))
Assorbimento di corrente quando NMOS funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione
​ Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)^2
Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS
​ Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)^2
Parametro del processo di fabbricazione di NMOS
​ Partire Parametro del processo di fabbricazione = sqrt(2*[Charge-e]*Concentrazione drogante del substrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacità di ossido
Corrente di ingresso della sorgente di drenaggio al limite della saturazione e della regione del triodo di NMOS
​ Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Scaricare la tensione della sorgente)^2
Corrente in entrata nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS data la tensione effettiva
​ Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione di overdrive in NMOS)^2
Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS
​ Partire Velocità di deriva elettronica = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale
Potenza totale fornita in NMOS
​ Partire Alimentazione fornita = Tensione di alimentazione*(Assorbimento di corrente in NMOS+Attuale)
Resistenza di uscita della sorgente di corrente NMOS data la corrente di scarico
​ Partire Resistenza di uscita = Parametro dispositivo/Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale
Drain Current fornito da NMOS Funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione
​ Partire Parametro di transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni
Potenza totale dissipata in NMOS
​ Partire Potenza dissipata = Assorbimento di corrente in NMOS^2*ON Resistenza del canale
Tensione positiva data la lunghezza del canale in NMOS
​ Partire Voltaggio = Parametro dispositivo*Lunghezza del canale
Capacità di ossido di NMOS
​ Partire Capacità di ossido = (3.45*10^(-11))/Spessore dell'ossido

Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS Formula

Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*Scaricare la tensione della sorgente*(Tensione di overdrive in NMOS-1/2*Scaricare la tensione della sorgente)
Id = k'n*Wc/L*Vds*(Vov-1/2*Vds)

Cos'è la corrente di drenaggio nei MOSFET?

La corrente di drenaggio al di sotto della tensione di soglia è definita come corrente di sottosoglia e varia esponenzialmente con V

Quanta corrente può gestire un MOSFET?

MOSFET ad alto amperaggio come il 511-STP200N3LL affermano di poter gestire 120 Amp di corrente.Il transistor a effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo, o MOSFET in breve, ha una resistenza del gate di ingresso estremamente elevata con la corrente che scorre attraverso il canale tra la sorgente e il pozzo. controllato dalla tensione di gate.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!