Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS calcolatrice

✖La mobilità degli elettroni sulla superficie del canale si riferisce alla capacità degli elettroni di muoversi o condurre all'interno dello strato superficiale di un materiale quando sono sottoposti a un campo elettrico.ⓘ Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale [μ_n]			+10% -10%
✖Il campo elettrico attraverso la lunghezza del canale è la forza per unità di carica che una particella sperimenta mentre si muove attraverso il canale.ⓘ Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale [E_L]			+10% -10%

✖Electron Drift Velocity è dovuto al campo elettrico che a sua volta fa sì che gli elettroni del canale si spostino verso lo scarico con una velocità.ⓘ Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS [v_d]

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Formula

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Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS

Formula

`"v"_{"d"} = "μ"_{"n"}*"E"_{"L"}`

Esempio

`"23.32m/s"="2.2m²/V*s"*"10.6V"`

Calcolatrice

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Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Velocità di deriva elettronica = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale
v_d = μ_n*E_L
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Velocità di deriva elettronica - (Misurato in Metro al secondo) - Electron Drift Velocity è dovuto al campo elettrico che a sua volta fa sì che gli elettroni del canale si spostino verso lo scarico con una velocità.
Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità degli elettroni sulla superficie del canale si riferisce alla capacità degli elettroni di muoversi o condurre all'interno dello strato superficiale di un materiale quando sono sottoposti a un campo elettrico.
Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale - (Misurato in Volt) - Il campo elettrico attraverso la lunghezza del canale è la forza per unità di carica che una particella sperimenta mentre si muove attraverso il canale.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale: 2.2 Metro quadrato per Volt al secondo --> 2.2 Metro quadrato per Volt al secondo Nessuna conversione richiesta
Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale: 10.6 Volt --> 10.6 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

v_d = μ_n*E_L --> 2.2*10.6

Valutare ... ...

v_d = 23.32

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

23.32 Metro al secondo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

23.32 Metro al secondo <-- Velocità di deriva elettronica

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 17 Miglioramento del canale N Calcolatrici

Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione del triodo di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*(Scaricare la tensione della sorgente)^2)

Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate

Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*Scaricare la tensione della sorgente*(Tensione di overdrive in NMOS-1/2*Scaricare la tensione della sorgente)

Effetto corpo in NMOS

Partire Variazione della tensione di soglia = Soglia di voltaggio+Parametro del processo di fabbricazione*(sqrt(2*Parametro fisico+Tensione tra Body e Source)-sqrt(2*Parametro fisico))

NMOS come resistenza lineare

Partire Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità di ossido*Larghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio))

Assorbimento di corrente quando NMOS funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)^2

Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)^2

Parametro del processo di fabbricazione di NMOS

Partire Parametro del processo di fabbricazione = sqrt(2*[Charge-e]*Concentrazione drogante del substrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacità di ossido

Corrente di ingresso della sorgente di drenaggio al limite della saturazione e della regione del triodo di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Scaricare la tensione della sorgente)^2

Corrente in entrata nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS data la tensione effettiva

Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione di overdrive in NMOS)^2

Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS

Partire Velocità di deriva elettronica = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Potenza totale fornita in NMOS

Partire Alimentazione fornita = Tensione di alimentazione*(Assorbimento di corrente in NMOS+Attuale)

Resistenza di uscita della sorgente di corrente NMOS data la corrente di scarico

Partire Resistenza di uscita = Parametro dispositivo/Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale

Drain Current fornito da NMOS Funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione

Partire Parametro di transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni

Potenza totale dissipata in NMOS

Partire Potenza dissipata = Assorbimento di corrente in NMOS^2*ON Resistenza del canale

Tensione positiva data la lunghezza del canale in NMOS

Partire Voltaggio = Parametro dispositivo*Lunghezza del canale

Capacità di ossido di NMOS

Partire Capacità di ossido = (3.45*10^(-11))/Spessore dell'ossido

Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS Formula

Velocità di deriva elettronica = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale
v_d = μ_n*E_L

Spiega il funzionamento del transistor NMOS.

Un transistor NMOS con la tensione attraverso la sorgente di gas> tensione di soglia e con una piccola tensione tra lo scarico e la sorgente applicata. Il dispositivo funge da resistenza il cui valore è determinato dalla tensione ai capi della sorgente di gas. In particolare, la conduttanza del canale è proporzionale alla tensione attraverso la sorgente del gas - tensione di soglia, e quindi Id è proporzionale alla tensione (tensione attraverso la sorgente del gas - tensione di soglia) tra lo scarico e la sorgente

Qual è la mobilità dell'elettrone nel canale?

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