Transconduttanza nell'amplificatore a sorgente comune calcolatrice

✖La frequenza di guadagno unitario di un amplificatore è semplicemente la frequenza di un segnale di ingresso alla quale il guadagno ad anello aperto è uguale a 1.ⓘ Frequenza di guadagno unitario [f_ug]			+10% -10%
✖La capacità da gate a source è la capacità tra il terminale di gate e il terminale di source.ⓘ Capacità dal gate alla sorgente [C_gs]			+10% -10%
✖La capacità da gate a drain è definita come la capacità osservata tra il gate e lo drain della giunzione del MOSFET.ⓘ Porta di capacità per lo scarico [C_gd]			+10% -10%

✖La transconduttanza primaria del MOSFET è la variazione nella corrente di drain divisa per la piccola variazione nella tensione di gate/source con una tensione di drain/source costante.ⓘ Transconduttanza nell'amplificatore a sorgente comune [g_mp]

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Formula

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Transconduttanza nell'amplificatore a sorgente comune

Formula

`"g"_{"mp"} = "f"_{"ug"}*("C"_{"gs"}+"C"_{"gd"})`

Esempio

`"19.76627mS"="51.57Hz"*("145.64μF"+"237.65μF")`

Calcolatrice

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Transconduttanza nell'amplificatore a sorgente comune Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Transconduttanza primaria MOSFET = Frequenza di guadagno unitario*(Capacità dal gate alla sorgente+Porta di capacità per lo scarico)
g_mp = f_ug*(C_gs+C_gd)
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Transconduttanza primaria MOSFET - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza primaria del MOSFET è la variazione nella corrente di drain divisa per la piccola variazione nella tensione di gate/source con una tensione di drain/source costante.
Frequenza di guadagno unitario - (Misurato in Hertz) - La frequenza di guadagno unitario di un amplificatore è semplicemente la frequenza di un segnale di ingresso alla quale il guadagno ad anello aperto è uguale a 1.
Capacità dal gate alla sorgente - (Misurato in Farad) - La capacità da gate a source è la capacità tra il terminale di gate e il terminale di source.
Porta di capacità per lo scarico - (Misurato in Farad) - La capacità da gate a drain è definita come la capacità osservata tra il gate e lo drain della giunzione del MOSFET.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Frequenza di guadagno unitario: 51.57 Hertz --> 51.57 Hertz Nessuna conversione richiesta
Capacità dal gate alla sorgente: 145.64 Microfarad --> 0.00014564 Farad (Controlla la conversione qui)
Porta di capacità per lo scarico: 237.65 Microfarad --> 0.00023765 Farad (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

g_mp = f_ug*(C_gs+C_gd) --> 51.57*(0.00014564+0.00023765)

Valutare ... ...

g_mp = 0.0197662653

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.0197662653 Siemens -->19.7662653 Millisiemens (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

19.7662653 ≈ 19.76627 Millisiemens <-- Transconduttanza primaria MOSFET

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Anshika Arya

Istituto nazionale di tecnologia (NIT), Hamirpur

Anshika Arya ha verificato questa calcolatrice e altre 2500+ altre calcolatrici!

< 11 Amplificatore a sorgente comune Calcolatrici

Guadagno di tensione di feedback complessivo dell'amplificatore a sorgente comune

Partire Guadagno di tensione di feedback = -Transconduttanza primaria MOSFET*(Resistenza in ingresso/(Resistenza in ingresso+Resistenza del segnale))*(1/Resistenza allo scarico+1/Resistenza al carico+1/Resistenza di uscita finita)^-1

Tensione di uscita del transistor di origine controllata

Partire Componente CC della tensione da gate a sorgente = (Guadagno di tensione*Corrente elettrica-Transconduttanza di cortocircuito*Segnale di uscita differenziale)*(1/Resistenza finale+1/Resistenza dell'avvolgimento primario nel secondario)

Resistenza di uscita su un altro drenaggio del transistor di origine controllata

Partire Resistenza allo scarico = Resistenza dell'avvolgimento secondario nel primario+2*Resistenza finita+2*Resistenza finita*Transconduttanza primaria MOSFET*Resistenza dell'avvolgimento secondario nel primario

Resistenza di uscita dell'amplificatore CS con resistenza alla sorgente

Partire Resistenza allo scarico = Resistenza di uscita finita+Resistenza alla fonte+(Transconduttanza primaria MOSFET*Resistenza di uscita finita*Resistenza alla fonte)

Guadagno di tensione a circuito aperto dell'amplificatore CS

Partire Guadagno di tensione a circuito aperto = Resistenza di uscita finita/(Resistenza di uscita finita+1/Transconduttanza primaria MOSFET)

Transconduttanza nell'amplificatore a sorgente comune

Partire Transconduttanza primaria MOSFET = Frequenza di guadagno unitario*(Capacità dal gate alla sorgente+Porta di capacità per lo scarico)

Guadagno di tensione complessivo del follower della sorgente

Partire Guadagno di tensione complessivo = Resistenza al carico/(Resistenza al carico+1/Transconduttanza primaria MOSFET)

Guadagno di corrente del transistor di origine controllata

Partire Guadagno corrente = 1/(1+1/(Transconduttanza primaria MOSFET*Resistenza tra scarico e terra))

Tensione dell'emettitore rispetto al guadagno di tensione

Partire Tensione dell'emettitore = Tensione del collettore/Guadagno di tensione

Guadagno di tensione totale dell'amplificatore CS

Partire Guadagno di tensione = Tensione di carico/Tensione di ingresso

Tensione di carico dell'amplificatore CS

Partire Tensione di carico = Guadagno di tensione*Tensione di ingresso

< 18 Azioni CV degli amplificatori a stadio comune Calcolatrici

Tensione di uscita del transistor di origine controllata

Resistenza di ingresso del circuito a base comune

Partire Resistenza in ingresso = (Resistenza dell'emettitore*(Resistenza di uscita finita+Resistenza al carico))/(Resistenza di uscita finita+(Resistenza al carico/(Guadagno corrente base del collettore+1)))

Resistenza di uscita su un altro drenaggio del transistor di origine controllata

Resistenza di uscita dell'amplificatore CE degenerato dall'emettitore

Partire Resistenza allo scarico = Resistenza di uscita finita+(Transconduttanza primaria MOSFET*Resistenza di uscita finita)*(1/Resistenza dell'emettitore+1/Resistenza di ingresso del segnale piccolo)

Resistenza di ingresso dell'amplificatore a emettitore comune data la resistenza di ingresso a piccolo segnale

Partire Resistenza in ingresso = (1/Resistenza di base+1/Resistenza di base 2+1/(Resistenza di ingresso del segnale piccolo+(Guadagno corrente base del collettore+1)*Resistenza dell'emettitore))^-1

Resistenza di ingresso dell'amplificatore a emettitore comune data la resistenza dell'emettitore

Partire Resistenza in ingresso = (1/Resistenza di base+1/Resistenza di base 2+1/((Resistenza totale+Resistenza dell'emettitore)*(Guadagno corrente base del collettore+1)))^-1

Resistenza di uscita dell'amplificatore CS con resistenza alla sorgente

Partire Resistenza allo scarico = Resistenza di uscita finita+Resistenza alla fonte+(Transconduttanza primaria MOSFET*Resistenza di uscita finita*Resistenza alla fonte)

Corrente di scarico istantanea utilizzando la tensione tra scarico e sorgente

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source

Transconduttanza nell'amplificatore a sorgente comune

Partire Transconduttanza primaria MOSFET = Frequenza di guadagno unitario*(Capacità dal gate alla sorgente+Porta di capacità per lo scarico)

Resistenza di ingresso dell'amplificatore a emettitore comune

Partire Resistenza in ingresso = (1/Resistenza di base+1/Resistenza di base 2+1/Resistenza di ingresso del segnale piccolo)^-1

Impedenza di ingresso dell'amplificatore a base comune

Partire Impedenza di ingresso = (1/Resistenza dell'emettitore+1/Resistenza di ingresso del segnale piccolo)^(-1)

Segnale Corrente nell'emettitore dato il segnale di ingresso

Partire Corrente del segnale nell'emettitore = Tensione dei componenti fondamentali/Resistenza dell'emettitore

Transconduttanza utilizzando la corrente di collettore dell'amplificatore a transistor

Partire Transconduttanza primaria MOSFET = Corrente del collettore/Soglia di voltaggio

Resistenza di ingresso dell'amplificatore a collettore comune

Partire Resistenza in ingresso = Tensione dei componenti fondamentali/Corrente di base

Tensione fondamentale nell'amplificatore a emettitore comune

Partire Tensione dei componenti fondamentali = Resistenza in ingresso*Corrente di base

Resistenza dell'emettitore nell'amplificatore a base comune

Partire Resistenza dell'emettitore = Tensione di ingresso/Corrente dell'emettitore

Corrente di emettitore dell'amplificatore a base comune

Partire Corrente dell'emettitore = Tensione di ingresso/Resistenza dell'emettitore

Tensione di carico dell'amplificatore CS

Partire Tensione di carico = Guadagno di tensione*Tensione di ingresso

Transconduttanza nell'amplificatore a sorgente comune Formula

Transconduttanza primaria MOSFET = Frequenza di guadagno unitario*(Capacità dal gate alla sorgente+Porta di capacità per lo scarico)
g_mp = f_ug*(C_gs+C_gd)

Cos'è un amplificatore di sorgente comune?

Quando il segnale di ingresso viene applicato al terminale di gate e al terminale di source, la tensione di uscita viene amplificata e ottenuta attraverso il resistore al carico nel terminale di drain. Questo è chiamato amplificatore sorgente comune.

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