Calcolatrice da A a Z
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Frequenza massima di oscillazione data la transconduttanza calcolatrice
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La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente drain e la variazione della tensione gate-source, assumendo una tensione drain-source costante.
ⓘ
Transconduttanza [g
m
]
Abmho
Ampere per Volt
Gigasiemens
Kilosimens
Megasiemens
Mho
Micromo
Microsiemens
Millisiemens
Nanosiemens
Picosiemens
Siemens
Statho
+10%
-10%
✖
La capacità gate source è una capacità parassita che esiste tra i terminali gate e source di un MESFET o altri tipi di transistor.
ⓘ
Capacità della sorgente di gate [C
gs
]
Abfarad
Attofarad
Centifarad
Coulomb / Volt
Decafarad
Decifarad
EMU di capacità
ESU di capacità
Exafarad
Farad
Femtofarad
Gigafarad
Ettofarad
kilofarad
Megafarad
Microfarad
Millifrad
Nanofarad
Petafarad
picofarad
Statfarad
Terafarad
+10%
-10%
✖
La frequenza massima delle oscillazioni è definita come il limite superiore pratico per il funzionamento utile del circuito con MESFET.
ⓘ
Frequenza massima di oscillazione data la transconduttanza [f
m
]
Attohertz
Battiti / min
Centohertz
Ciclo/secondo
Decahertz
Decihertz
Exahertz
Femtohertz
Fotogrammi al secondo
Gigahertz
ettohertz
Hertz
Kilohertz
Megahertz
microhertz
Millihertz
Nanohertz
Petahertz
Picohertz
Rivoluzione al giorno
Rivoluzione all'ora
Rivoluzione al minuto
Rivoluzione al secondo
Terahertz
Yottahertz
Zettahertz
⎘ Copia
Passi
👎
Formula
✖
Frequenza massima di oscillazione data la transconduttanza
Formula
`"f"_{"m"} = "g"_{"m"}/(pi*"C"_{"gs"})`
Esempio
`"60.05847Hz"="0.05S"/(pi*"265μF")`
Calcolatrice
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Scaricamento Caratteristiche del MESFET Formule PDF
Frequenza massima di oscillazione data la transconduttanza Soluzione
FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Frequenza massima delle oscillazioni
=
Transconduttanza
/(
pi
*
Capacità della sorgente di gate
)
f
m
=
g
m
/(
pi
*
C
gs
)
Questa formula utilizza
1
Costanti
,
3
Variabili
Costanti utilizzate
pi
- Costante di Archimede Valore preso come 3.14159265358979323846264338327950288
Variabili utilizzate
Frequenza massima delle oscillazioni
-
(Misurato in Hertz)
- La frequenza massima delle oscillazioni è definita come il limite superiore pratico per il funzionamento utile del circuito con MESFET.
Transconduttanza
-
(Misurato in Siemens)
- La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente drain e la variazione della tensione gate-source, assumendo una tensione drain-source costante.
Capacità della sorgente di gate
-
(Misurato in Farad)
- La capacità gate source è una capacità parassita che esiste tra i terminali gate e source di un MESFET o altri tipi di transistor.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Transconduttanza:
0.05 Siemens --> 0.05 Siemens Nessuna conversione richiesta
Capacità della sorgente di gate:
265 Microfarad --> 0.000265 Farad
(Controlla la conversione
qui
)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
f
m
= g
m
/(pi*C
gs
) -->
0.05/(
pi
*0.000265)
Valutare ... ...
f
m
= 60.0584690912813
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
60.0584690912813 Hertz --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
60.0584690912813
≈
60.05847 Hertz
<--
Frequenza massima delle oscillazioni
(Calcolo completato in 00.004 secondi)
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Frequenza massima di oscillazione data la transconduttanza
Titoli di coda
Creato da
Sonu Kumar Keshri
Istituto Nazionale di Tecnologia, Patna
(PNI)
,
Patna
Sonu Kumar Keshri ha creato questa calcolatrice e altre 5 altre calcolatrici!
Verificato da
Parminder Singh
Università di Chandigarh
(CU)
,
Punjab
Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
<
13 Caratteristiche del MESFET Calcolatrici
Frequenza di taglio utilizzando la frequenza massima
Partire
Frequenza di taglio
= (2*
Frequenza massima delle oscillazioni
)/(
sqrt
(
Resistenza allo scarico
/(
Resistenza alla fonte
+
Resistenza alla metallizzazione del cancello
+
Resistenza in ingresso
)))
Resistenza alla metallizzazione del cancello
Partire
Resistenza alla metallizzazione del cancello
= ((
Resistenza allo scarico
*
Frequenza di taglio
^2)/(4*
Frequenza massima delle oscillazioni
^2))-(
Resistenza alla fonte
+
Resistenza in ingresso
)
Resistenza in ingresso
Partire
Resistenza in ingresso
= ((
Resistenza allo scarico
*
Frequenza di taglio
^2)/(4*
Frequenza massima delle oscillazioni
^2))-(
Resistenza alla metallizzazione del cancello
+
Resistenza alla fonte
)
Resistenza alla fonte
Partire
Resistenza alla fonte
= ((
Resistenza allo scarico
*
Frequenza di taglio
^2)/(4*
Frequenza massima delle oscillazioni
^2))-(
Resistenza alla metallizzazione del cancello
+
Resistenza in ingresso
)
Resistenza al drenaggio del MESFET
Partire
Resistenza allo scarico
= ((4*
Frequenza massima delle oscillazioni
^2)/
Frequenza di taglio
^2)*(
Resistenza alla fonte
+
Resistenza alla metallizzazione del cancello
+
Resistenza in ingresso
)
Transconduttanza nella regione di saturazione
Partire
Transconduttanza
=
Conduttanza di uscita
*(1-
sqrt
((
Barriera potenziale del diodo Schottky
-
Tensione di porta
)/
Interruzione della tensione
))
Frequenza massima delle oscillazioni in MESFET
Partire
Frequenza massima delle oscillazioni
= (
Frequenza di guadagno unitario
/2)*
sqrt
(
Resistenza allo scarico
/
Resistenza alla metallizzazione del cancello
)
Frequenza massima di oscillazione data la transconduttanza
Partire
Frequenza massima delle oscillazioni
=
Transconduttanza
/(
pi
*
Capacità della sorgente di gate
)
Lunghezza del cancello del MESFET
Partire
Lunghezza del cancello
=
Velocità di deriva saturata
/(4*
pi
*
Frequenza di taglio
)
Frequenza di taglio
Partire
Frequenza di taglio
=
Velocità di deriva saturata
/(4*
pi
*
Lunghezza del cancello
)
Frequenza di taglio data transconduttanza e capacità
Partire
Frequenza di taglio
=
Transconduttanza
/(2*
pi
*
Capacità della sorgente di gate
)
Capacità della sorgente di gate
Partire
Capacità della sorgente di gate
=
Transconduttanza
/(2*
pi
*
Frequenza di taglio
)
Transconduttanza nel MESFET
Partire
Transconduttanza
= 2*
Capacità della sorgente di gate
*
pi
*
Frequenza di taglio
Frequenza massima di oscillazione data la transconduttanza Formula
Frequenza massima delle oscillazioni
=
Transconduttanza
/(
pi
*
Capacità della sorgente di gate
)
f
m
=
g
m
/(
pi
*
C
gs
)
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