Tensione delle microonde nel gap di buncher Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Tensione delle microonde nel Buncher Gap = (Ampiezza del segnale/(Frequenza angolare della tensione a microonde*Tempo di transito medio))*(cos(Frequenza angolare della tensione a microonde*Entrando nel tempo)-cos(Frequenza angolare di risonanza+(Frequenza angolare della tensione a microonde*Distanza del gap del bunker)/Velocità dell'elettrone))
Vs = (V1/(ωv*τ))*(cos(ωv*t0)-cos(ωo+(ωv*d)/vo))
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 8 Variabili
Funzioni utilizzate
cos - Il coseno di un angolo è il rapporto tra il lato adiacente all'angolo e l'ipotenusa del triangolo., cos(Angle)
Variabili utilizzate
Tensione delle microonde nel Buncher Gap - (Misurato in Volt) - La tensione delle microonde nel gaper si riferisce alla tensione RF (radiofrequenza) applicata attraverso il gaper in un dispositivo a microonde.
Ampiezza del segnale - (Misurato in Volt) - Ampiezza del segnale immesso nel tubo a microonde O.
Frequenza angolare della tensione a microonde - (Misurato in Radiante al secondo) - La frequenza angolare della tensione delle microonde indica la frequenza angolare della tensione delle microonde applicata attraverso l'intercapedine.
Tempo di transito medio - (Misurato in Secondo) - Il tempo di transito medio è il tempo medio trascorso nello stato transitorio.
Entrando nel tempo - (Misurato in Secondo) - Il Tempo di Entrata si riferisce all'istante in cui un elettrone entra nella cavità.
Frequenza angolare di risonanza - (Misurato in Hertz) - Frequenza angolare di risonanza dei campi elettromagnetici all'interno di una cavità risonante, come il gaper gap.
Distanza del gap del bunker - (Misurato in metro) - Buncher Gap Distance si riferisce alla separazione fisica tra gli elettrodi o le strutture che formano la cavità del cluster in un dispositivo a microonde.
Velocità dell'elettrone - (Misurato in Metro al secondo) - La velocità dell'elettrone è la velocità con cui gli elettroni viaggiano nel tubo del fascio.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Ampiezza del segnale: 5.5 Volt --> 5.5 Volt Nessuna conversione richiesta
Frequenza angolare della tensione a microonde: 5.6 Radiante al secondo --> 5.6 Radiante al secondo Nessuna conversione richiesta
Tempo di transito medio: 3.8E-08 Secondo --> 3.8E-08 Secondo Nessuna conversione richiesta
Entrando nel tempo: 0.005 Secondo --> 0.005 Secondo Nessuna conversione richiesta
Frequenza angolare di risonanza: 4.3 Hertz --> 4.3 Hertz Nessuna conversione richiesta
Distanza del gap del bunker: 7 metro --> 7 metro Nessuna conversione richiesta
Velocità dell'elettrone: 9.3 Metro al secondo --> 9.3 Metro al secondo Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Vs = (V1/(ωv*τ))*(cos(ωv*t0)-cos(ωo+(ωv*d)/vo)) --> (5.5/(5.6*3.8E-08))*(cos(5.6*0.005)-cos(4.3+(5.6*7)/9.3))
Valutare ... ...
Vs = 41704150.5848926
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
41704150.5848926 Volt --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
41704150.5848926 4.2E+7 Volt <-- Tensione delle microonde nel Buncher Gap
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Zaheer Sheik
Facoltà di Ingegneria Seshadri Rao Gudlavalleru (SRGEC), Gudlavalleru
Zaheer Sheik ha creato questa calcolatrice e altre 10+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da banuprakash
Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore
banuprakash ha verificato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!

20 Tubo del raggio Calcolatrici

Tensione delle microonde nel gap di buncher
​ Partire Tensione delle microonde nel Buncher Gap = (Ampiezza del segnale/(Frequenza angolare della tensione a microonde*Tempo di transito medio))*(cos(Frequenza angolare della tensione a microonde*Entrando nel tempo)-cos(Frequenza angolare di risonanza+(Frequenza angolare della tensione a microonde*Distanza del gap del bunker)/Velocità dell'elettrone))
Potenza di uscita RF
​ Partire Potenza di uscita RF = Potenza in ingresso RF*exp(-2*Costante di attenuazione RF*Lunghezza del circuito RF)+int((Potenza RF generata/Lunghezza del circuito RF)*exp(-2*Costante di attenuazione RF*(Lunghezza del circuito RF-x)),x,0,Lunghezza del circuito RF)
Tensione repeller
​ Partire Voltaggio del repeller = sqrt((8*Frequenza angolare^2*Lunghezza dello spazio alla deriva^2*Tensione del fascio piccolo)/((2*pi*Numero di oscillazioni)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Tensione del fascio piccolo
Esaurimento totale per il sistema WDM
​ Partire Esaurimento totale per un sistema WDM = sum(x,2,Numero di canali,Coefficiente di guadagno Raman*Potenza del canale*Lunghezza effettiva/Area effettiva)
Perdita di potenza media nel risonatore
​ Partire Perdita di potenza media nel risonatore = (Resistenza superficiale del risonatore/2)*(int(((Valore di picco dell'intensità magnetica tangenziale)^2)*x,x,0,Raggio del risonatore))
Frequenza plasmatica
​ Partire Frequenza del plasma = sqrt(([Charge-e]*Densità di carica elettronica CC)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))
Energia totale immagazzinata nel risonatore
​ Partire Energia totale immagazzinata nel risonatore = int((Permittività del mezzo/2*Intensità del campo elettrico^2)*x,x,0,Volume del risonatore)
Profondità della pelle
​ Partire Profondità della pelle = sqrt(Resistività/(pi*Permeabilità relativa*Frequenza))
Densità di corrente totale del fascio di elettroni
​ Partire Densità di corrente totale del fascio di elettroni = -Densità di corrente del fascio CC+Perturbazione istantanea della corrente del raggio RF
Frequenza portante in linea spettrale
​ Partire Frequenza portante = Frequenza della linea spettrale-Numero di campioni*Frequenza di ripetizione
Velocità totale degli elettroni
​ Partire Velocità totale degli elettroni = Velocità dell'elettrone DC+Perturbazione istantanea della velocità degli elettroni
Frequenza plasmatica ridotta
​ Partire Frequenza del plasma ridotta = Frequenza del plasma*Fattore di riduzione della carica spaziale
Densità di carica totale
​ Partire Densità di carica totale = -Densità di carica elettronica CC+Densità di carica RF istantanea
Alimentazione ottenuta dall'alimentatore CC
​ Partire Alimentazione CC = Potenza generata nel circuito anodico/Efficienza elettronica
Potenza generata nel circuito dell'anodo
​ Partire Potenza generata nel circuito anodico = Alimentazione CC*Efficienza elettronica
Guadagno di tensione massimo alla risonanza
​ Partire Guadagno di tensione massimo alla risonanza = Transconduttanza/Conduttanza
Potenza di picco dell'impulso microonde rettangolare
​ Partire Potenza di picco dell'impulso = Potenza media/Ciclo di lavoro
Perdita di ritorno
​ Partire Perdita di ritorno = -20*log10(Coefficiente di riflessione)
Alimentazione CA fornita dalla tensione del fascio
​ Partire Alimentazione CA = (Voltaggio*Attuale)/2
Alimentazione CC fornita dalla tensione del fascio
​ Partire Alimentazione CC = Voltaggio*Attuale

Tensione delle microonde nel gap di buncher Formula

Tensione delle microonde nel Buncher Gap = (Ampiezza del segnale/(Frequenza angolare della tensione a microonde*Tempo di transito medio))*(cos(Frequenza angolare della tensione a microonde*Entrando nel tempo)-cos(Frequenza angolare di risonanza+(Frequenza angolare della tensione a microonde*Distanza del gap del bunker)/Velocità dell'elettrone))
Vs = (V1/(ωv*τ))*(cos(ωv*t0)-cos(ωo+(ωv*d)/vo))
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