Capacità totale tra gate e canale dei MOSFET calcolatrice

✖La capacità dell'ossido è un parametro importante che influenza le prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.ⓘ Capacità dell'ossido [C_ox]			+10% -10%
✖La larghezza del canale si riferisce alla gamma di frequenze utilizzate per la trasmissione di dati su un canale di comunicazione wireless. È anche nota come larghezza di banda e si misura in hertz (Hz).ⓘ Larghezza del canale [W_c]			+10% -10%
✖La lunghezza del canale si riferisce alla distanza tra i terminali source e drain in un transistor ad effetto di campo (FET).ⓘ Lunghezza del canale [L]			+10% -10%

✖La capacità del canale di gate si riferisce alla capacità elettrica esistente tra l'elettrodo di gate e la regione del canale di un transistor a effetto di campo (MOSFET) a semiconduttore di ossido di metallo.ⓘ Capacità totale tra gate e canale dei MOSFET [C_g]

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Formula

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Capacità totale tra gate e canale dei MOSFET

Formula

`"C"_{"g"} = "C"_{"ox"}*"W"_{"c"}*"L"`

Esempio

`"9.4E^-7μF"="940μF"*"10μm"*"100μm"`

Calcolatrice

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Capacità totale tra gate e canale dei MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Capacità del canale di gate = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale
C_g = C_ox*W_c*L
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Capacità del canale di gate - (Misurato in Farad) - La capacità del canale di gate si riferisce alla capacità elettrica esistente tra l'elettrodo di gate e la regione del canale di un transistor a effetto di campo (MOSFET) a semiconduttore di ossido di metallo.
Capacità dell'ossido - (Misurato in Farad) - La capacità dell'ossido è un parametro importante che influenza le prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.
Larghezza del canale - (Misurato in metro) - La larghezza del canale si riferisce alla gamma di frequenze utilizzate per la trasmissione di dati su un canale di comunicazione wireless. È anche nota come larghezza di banda e si misura in hertz (Hz).
Lunghezza del canale - (Misurato in metro) - La lunghezza del canale si riferisce alla distanza tra i terminali source e drain in un transistor ad effetto di campo (FET).

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Capacità dell'ossido: 940 Microfarad --> 0.00094 Farad (Controlla la conversione qui)
Larghezza del canale: 10 Micrometro --> 1E-05 metro (Controlla la conversione qui)
Lunghezza del canale: 100 Micrometro --> 0.0001 metro (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

C_g = C_ox*W_c*L --> 0.00094*1E-05*0.0001

Valutare ... ...

C_g = 9.4E-13

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

9.4E-13 Farad -->9.4E-07 Microfarad (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

9.4E-07 ≈ 9.4E-7 Microfarad <-- Capacità del canale di gate

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 15 Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza Calcolatrici

Conduttanza del canale dei MOSFET

Partire Conduttanza del canale = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*Tensione attraverso l'ossido

Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET

Partire Carica elettronica nel canale = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale*Tensione effettiva

Frequenza di transizione del MOSFET

Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))

Frequenza critica inferiore del Mosfet

Partire Frequenza d'angolo = 1/(2*pi*(Resistenza+Resistenza in ingresso)*Capacità)

Sfasamento nel circuito RC di uscita

Partire Sfasamento = arctan(Reattanza capacitiva/(Resistenza+Resistenza al carico))

Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET

Partire Larghezza del canale = Capacità di sovrapposizione/(Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione)

Capacità di sovrapposizione del MOSFET

Partire Capacità di sovrapposizione = Larghezza del canale*Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione

Mosfet di capacità Miller di uscita

Partire Capacità Miller di uscita = Capacità di gate-drain*((Guadagno di tensione+1)/Guadagno di tensione)

Capacità totale tra gate e canale dei MOSFET

Partire Capacità del canale di gate = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale

Frequenza critica nel circuito RC di ingresso ad alta frequenza

Partire Frequenza d'angolo = 1/(2*pi*Resistenza in ingresso*Capacità di Miller)

Sfasamento nel circuito RC di ingresso

Partire Sfasamento = arctan(Reattanza capacitiva/Resistenza in ingresso)

Reattanza capacitiva del Mosfet

Partire Reattanza capacitiva = 1/(2*pi*Frequenza*Capacità)

Capacità Miller del Mosfet

Partire Capacità di Miller = Capacità di gate-drain*(Guadagno di tensione+1)

Frequenza critica del Mosfet

Partire Frequenza critica in decible = 10*log10(Frequenza critica)

Attenuazione del circuito RC

Partire Attenuazione = Tensione di base/Tensione di ingresso

Capacità totale tra gate e canale dei MOSFET Formula

Capacità del canale di gate = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale
C_g = C_ox*W_c*L

Spiegare l'intero processo della regione del canale del MOSFET che forma un condensatore a piastre parallele.

Il gate e la regione del canale del MOSFET formano un condensatore a piastre parallele, con lo strato di ossido che funge da dielettrico del condensatore. La tensione di gate positiva provoca l'accumulo di una carica positiva sulla piastra superiore del condensatore (l'elettrodo di gate). La corrispondente carica negativa sulla piastra inferiore è formata dagli elettroni nel canale indotto. Si sviluppa così un campo elettrico in direzione verticale. È questo campo che controlla la quantità di carica nel canale e quindi determina la conduttività del canale e, a sua volta, la corrente che fluirà attraverso il canale quando viene applicata una tensione.

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